【技术实现步骤摘要】
【专利摘要】一种，其中所述半导体器件，包括形成在硅衬底的表面之上并包括纵向MOSFET的有源单元区，形成在所述硅衬底的表面之上并从硅衬底的背面引出纵向MOSFET的漏极的漏极电极，在漏极电极之上形成的外部漏极端子，以及形成在所述有源单元区之上，以便至少沿着所述有源单元区之上的外部漏极端子的外周的三个侧面与漏极电极相对并连接到纵向MOSFET的源极的源极电极。【专利说明】相关申请的交叉引用于2013年6月13日提交的日本专利申请号2013-124656的包含说明书、附图和摘要的公开内容以其全文并入本文作为参考。
本专利技术涉及一种半导体器件及其制造方法，并且其可以适当地被用于具有纵向晶体管的半导体器件及其制造方法。
技术介绍
对于功率器件，例如用作针对大电流和高电压的功率开关的功率MOSFET (金属氧化物半导体场效应晶体管)，通常使用纵向M0SFET。在纵向MOSFET中，源极电极和栅极电极形成在一侧(表面)，并且漏极电极形成在半导体衬底的另一侧(背面)，在该侧上漏极电流在半导体衬底的纵向方向上流过。 在功率MOSFET中，操作期间的电阻(导通电阻)应尽可能低，以便抑制功率消耗。因此,其中每单位面积的导通电阻被减小的纵向MOSFET已经通过形成沟槽中的栅极电极以及在纵向方向上形成沟道区来开发，从而缩小了彼此的栅极电极之间的距离并增加了密度。 进一步，在最近几年中，已经出现了其中纵向MOSFET的源极、栅极、和漏极的相应端子形成在半导体衬底的一侧(表面)上的表面漏极端子类型的芯片尺寸封装。这样的CSP结构的半导体器件被公开在，例如...
【技术保护点】
一种半导体器件，包括：有源单元区，形成在半导体衬底的表面之上，并且包括纵向晶体管；漏极电极，形成在所述半导体衬底的表面之上，并且从所述半导体衬底的背面引出所述纵向晶体管的漏极；外部漏极端子，形成在所述漏极电极之上；以及源极电极，形成在所述有源单元区之上，以便至少沿着所述外部漏极端子的外周的三个侧面与所述漏极电极相对，并连接到所述纵向晶体管的源极。
【技术特征摘要】
...
【专利技术属性】
技术研发人员：青木崇，是成贵弘，
申请(专利权)人：瑞萨电子株式会社，
类型：发明
国别省市：日本;JP
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