发光二极管封装结构制造技术

本发明专利技术提供一种发光二极管封装结构，包括一发光元件以及一透明封装胶体。发光元件具有一上表面。透明封装胶体配置于发光元件上，且覆盖上表面。透明封装胶体具有彼此相对的一顶表面与一底表面以及一连接顶表面与底表面的第一外围表面。第一外围表面的表面积大于等于四倍的上表面的水平投影面积。

【技术实现步骤摘要】
发光二极管封装结构
本专利技术是有关于一种半导体封装结构，且特别是有关于一种发光二极管封装结构。
技术介绍
随着光电技术的进步，用以取代传统白炽灯泡及荧光灯管的新时代光源─发光二极管（Light-emittingdiode,LED）─的技术逐渐成熟。由于发光二极管具有低功率消耗、体积小、非热致发光、环保等优点，因此其应用领域逐渐地被推广。发光二极管光源是一种具有指向性的光源，所以位于发光二极管光源前方的光直射区通常具有较高的亮度，导致了发光二极管光源容易有眩光的问题。一般来说，在发光二极管封装结构中，覆盖于发光二极管芯片上的封装胶体是呈一透镜的形状，然而，采用透镜状的封装胶体，其出光角度有限，无法具有较大出光角度而达到面光源的功效。
技术实现思路
本专利技术提供一种发光二极管封装结构，其具有较大的侧向出光强度。本专利技术的发光二极管封装结构，其包括一发光元件以及一透明封装胶体。发光元件具有一上表面。透明封装胶体配置于发光元件上，且覆盖上表面。透明封装胶体具有彼此相对的一顶表面与一底表面以及一连接顶表面与底表面的第一外围表面。第一外围表面的表面积大于等于四倍的上表面的水平投影面积。在本专利技术的一实施例中，上述的透明封装胶体的顶表面的表面积等于上表面的水平投影面积。在本专利技术的一实施例中，上述的发光元件具有一第二外围表面，且第二外围表面与第一外围表面切齐。在本专利技术的一实施例中，上述的透明封装胶体完全覆盖发光元件的上表面。在本专利技术的一实施例中，上述的发光元件包括一承载器以及至少一发光二极管芯片。承载器具有一凹穴。发光二极管芯片配置于凹穴内且发光二极管芯片与承载器电性连接。在本专利技术的一实施例中，上述的发光元件包括一基板以及至少一发光二极管芯片。发光二极管芯片倒覆于基板上且与基板电性连接。发光二极管芯片具有一出光面，且出光面面向透明封装胶体的底表面。在本专利技术的一实施例中，上述的发光元件还包括一波长转换结构，波长转换结构覆盖于发光二极管芯片上。在本专利技术的一实施例中，上述的透明封装胶体包括一第一封胶部以及一第二封胶部。第一封胶部位于第二封胶部与发光元件之间。第一封胶部的折射率大于第二封胶部的折射率。在本专利技术的一实施例中，上述的发光二极管封装结构还包括一反射率大于90%的反射层，配置于透明封装胶体的顶表面上。本专利技术的发光二极管封装结构，其包括一发光元件以及一透明封装胶体。发光元件具有一上表面。透明封装胶体配置于发光元件上，且覆盖上表面。透明封装胶体具有彼此相对的一顶表面与一底表面以及一连接顶表面与底表面的第一外围表面。发光元件具有一第二外围表面，第二外围表面与第一外围表面切齐，且透明封装胶体的顶表面和底表面之间的最大垂直距离大于发光元件的最大厚度。在本专利技术的一实施例中，上述的透明封装胶体的顶表面的表面积等于上表面的水平投影面积。本专利技术的发光二极管封装结构，其包括一发光元件以及一透明封装胶体。发光元件具有一上表面。透明封装胶体配置于发光元件上，且覆盖上表面。透明封装胶体具有彼此相对的一顶表面与一底表面。透明封装胶体的顶表面的表面积等于上表面的水平投影面积，且透明封装胶体的顶表面和底表面之间的最大垂直距离大于发光元件的最大厚度。基于上述，由于本专利技术是利用透明封装胶体的第一外围表面的表面积大于等于四倍的发光元件的上表面的水平投影面积，或者是，透明封装胶体的顶表面和底表面之间的最大垂直距离大于发光元件的最大厚度，来提高透明封装胶体的侧面面积。当透明封装胶体的侧面面积一旦被提高，其侧面出光量也会因此提升。再者，透明封装胶体的第一外围表面的表面积与发光元件的上表面的水平投影面积的比例大于等于四倍，可有效将发光元件所发出的光分散到透明封装胶体的侧面并由透明封装胶体的侧面出光。如此一来，本专利技术的发光二极管封装结构可具有较大的侧向出光强度以及较佳的光均匀性，且可达到面光源的功效。为让本专利技术的上述特征和优点能更明显易懂，下文特举实施例，并配合附图作详细说明如下。附图说明图1A示出为本专利技术的一实施例的一种发光二极管封装结构的剖面示意图；图1B示出为本专利技术的另一实施例的一种发光二极管封装结构的剖面示意图；图1C示出为本专利技术的另一实施例的一种发光二极管封装结构的剖面示意图；图2示出为本专利技术的另一实施例的一种发光二极管封装结构的剖面示意图；图3示出为本专利技术的另一实施例的一种发光二极管封装结构的剖面示意图；图4示出为本专利技术的另一实施例的一种发光二极管封装结构的剖面示意图；图5示出为本专利技术的另一实施例的一种发光二极管封装结构的剖面示意图；图6示出为本专利技术的另一实施例的一种发光二极管封装结构的剖面示意图。附图标记说明：100a、100a’、100a’’、100b、100c、100d、100e、100f：发光二极管封装结构；110a、110a’、110a’’、110b、110c：发光元件；112a：承载器；112b、112c：基板；113a：凹穴；113b：第二外围表面；114a、114b、114c：发光二极管芯片；115a：壳体；115b、115c：出光面；116a、116a’：密封胶；116c：波长转换结构；117a：线路层；120a、120a’、120b、120d、120e、120f：透明封装胶体；121d：第一封胶部；122a、122b、122e、122f：顶表面；123d：第二封胶部；124a、124a’、124b、124e、124f：底表面；126a、126b、126e、126f：第一外围表面；130：焊线；140：反射层；B1、B2、B3、B4、B5：上表面；S：密闭空间；S1：区域；H1、H2、H3、H4：最大垂直距离；T1、T2、T3：最大厚度。具体实施方式图1A示出为本专利技术的一实施例的一种发光二极管封装结构的剖面示意图。请参考图1A，在本实施例中，发光二极管封装结构100a包括一发光元件110a以及一透明封装胶体120a。发光元件110a具有一上表面B1。透明封装胶体120a体配置于发光元件110a上，且覆盖上表面B1。透明封装胶体120a具有彼此相对的一顶表面122a与一底表面124a以及一连接顶表面122a与底表面124a的第一外围表面126a。特别是，透明封装胶体120a的第一外围表面126a的表面积大于等于四倍的上表面B1的水平投影面积。详细来说，在本实施例中，发光元件110a包括一承载器112a、至少一发光二极管芯片114a（图1A中仅示意地示出一个）以及一密封胶116a。承载器112a具有一凹穴113a以及一第二外围表面113b，其中透明封装胶体120a与承载器112a定义出一密闭空间S。发光二极管芯片114a配置于凹穴113a内且位于密闭空间S中，其中发光二极管芯片114a与承载器112a电性连接。密封胶116a填充于密闭空间S中，且覆盖发光二极管芯片114a，如图1A所示，密封胶116a填满密闭空间S。更进一步来说，此处的承载器112a可例如是由一壳体115a以及一设置于壳体115a上的线路层117a所组成。本实施例的发光二极管封装结构100a还包括至少一焊线130，其中发光二极管芯片114a通过焊线130与承载器112a的线路层117a电性连接。当然，在其他未示出的实施例中，承载器也可由导线架及与导线架连接的壳体所组成，本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种发光二极管封装结构，其特征在于，包括：一发光元件，具有一上表面；以及一透明封装胶体，配置于该发光元件上，且覆盖该上表面，该透明封装胶体具有彼此相对的一顶表面与一底表面以及一连接该顶表面与该底表面的第一外围表面，其中该第一外围表面的表面积大于等于四倍的该上表面的水平投影面积。

【技术特征摘要】
1.一种发光二极管封装结构，其特征在于，包括：一发光元件，具有一上表面；以及一透明封装胶体，配置于该发光元件上，且覆盖该上表面，该透明封装胶体具有彼此相对的一顶表面与一底表面以及一连接该顶表面与该底表面的第一外围表面，该发光元件具有一第二外围表面，且该第二外围表面与该第一外围表面切齐，其中该第一外围表面的表面积大于等于四倍的该上表面的水平投影面积。2.根据权利要求1所述的发光二极管封装结构，其特征在于，该透明封装胶体的该顶表面的表面积等于该上表面的水平投影面积。3.根据权利要求1所述的发光二极管封装结构，其特征在于，该透明封装胶体完全覆盖该发光元件的该上表面。4.根据权利要求1所述的发光二极管封装结构，其特征在于，该发光元件包括：一承载器，具有一凹穴；以及至少一发光二极管芯片，配置于该凹穴内且该发光二极管芯片与该承载器电性连接。5.根据权利要求1所述的发光二极管封装结构，其特征在于，该发光元件包括：一基板，以及至少一发光二极管芯片，倒覆于该基板上且与该基板电性连接，其中该发光二极管芯片具有一出光面，且该出光面面向该透明封装胶体的该底表面。6.根据权利要求4或5所述的发光二极管封装结构，其特征在于，该发光元件还包括一波长转换结构，该波长转换结构覆盖于该发光二极管芯片上。7.根据权利要求1所述的发光二极管封装结构，其特征在于，该透明封装胶体包括一第一封胶部以及一第二封胶部，该...

【专利技术属性】
技术研发人员：李允立，苏柏仁，
申请(专利权)人：新世纪光电股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾;71