【技术实现步骤摘要】
【专利摘要】本专利技术提供一种电阻式存储器件，其包括：存储器单元阵列，该存储器单元阵列包括耦接于字线与位线之间的单位存储器单元，其中单位存储器单元包括串联耦接的数据储存材料和基于非硅衬底型双向存取器件；路径设定电路，耦接于位线与字线之间，适用于基于路径控制信号、正向写入命令和反向写入命令而向位线或字线提供编程脉冲；以及控制单元，适用于基于外部命令信号而提供写入路径控制信号、正向编程命令和反向编程命令。【专利说明】 相关申请的交叉引用 本申请要求2013年4月25日提交的申请号为10-2013-0046089的韩国专利申请 的优先权，其全部内容通过引用合并于此。
本专利技术构思涉及一种半导体集成电路，尤指一种电阻式存储器件。
技术介绍
电阻式存储器件使用一种电阻材料，电阻材料的电阻基于施加电压而急剧地改 变，以切换至少二种不同电阻状态。典型作为所述电阻式存储器件的有相变随机存取存储 器（Phase-Change Random Access Memory, PCRAM)、电阻式随机存取存储器（Resistive Random Access ...
【技术保护点】
一种电阻式存储器件的单位存储器单元，包括：数据储存材料，其耦接至第一互连件；以及基于非硅衬底型双向存取器件，其耦接于所述数据储存材料与第二互连件之间。
【技术特征摘要】
...
【专利技术属性】
技术研发人员：朴海赞，金明燮，李世昊，李承润，
申请(专利权)人：爱思开海力士有限公司，
类型：发明
国别省市：韩国;KR
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。