半导体制造中使用的装载腔、晶圆输送盘、CVD系统技术方案

本实用新型专利技术公开了一种半导体制造中使用的装载腔、晶圆输送盘、CVD系统。所述晶圆输送盘的四周设置有防止被输送的晶圆在输送的过程中从所述晶圆输送盘上滑落的阻挡件。在晶圆输送的过程中，可以稳固地承载被输送的晶圆，因此，即使晶圆没有在输送盘放置好，即出现wafer handoff状态，或者晶圆没有以最佳位置传送到装载腔发生微小偏差，也被阻挡件稳固的挡在所述晶圆输送盘上，无法在晶圆输送盘上移动，甚至是从所述晶圆输送盘上滑落，从而避免了现有技术中由于晶圆在小圆锥边缘滑动导致的晶圆边缘颗粒缺陷，进一步排除了晶圆边缘颗粒聚集于装载腔底部污染装载腔。

【技术实现步骤摘要】
【专利摘要】本技术公开了一种半导体制造中使用的装载腔、晶圆输送盘、CVD系统。所述晶圆输送盘的四周设置有防止被输送的晶圆在输送的过程中从所述晶圆输送盘上滑落的阻挡件。在晶圆输送的过程中，可以稳固地承载被输送的晶圆，因此，即使晶圆没有在输送盘放置好，即出现wafer?handoff状态，或者晶圆没有以最佳位置传送到装载腔发生微小偏差，也被阻挡件稳固的挡在所述晶圆输送盘上，无法在晶圆输送盘上移动，甚至是从所述晶圆输送盘上滑落，从而避免了现有技术中由于晶圆在小圆锥边缘滑动导致的晶圆边缘颗粒缺陷，进一步排除了晶圆边缘颗粒聚集于装载腔底部污染装载腔。【专利说明】
本技术属于半导体制造领域，具体地说，涉及一种半导体制造中使用的装载 腔、晶圆输送盘、化学气相沉积系统。 半导体制造中使用的装载腔、晶圆输送盘、CVD系统
技术介绍
镀膜技术包括真空镀膜、蒸发镀膜、溅射镀膜、离子镀。 真空镀膜是由物理方法产生薄膜材料的技术。在真空室内材料的原子从加热源离 析出来打到被镀物体的表面上。真空镀膜是指在真空环境下，将某种金属或金属化合物以 气相的形式沉积到材料表面（通常是非金属材料），属于物理气相沉积工艺。 蒸发镀膜通过加热蒸发某种物质使其沉积在固体表面，蒸发物质如金属、化合物 等置于坩埚内或挂在热丝上作为蒸发源，待镀工件，如金属、陶瓷、塑料等基片置于坩埚前 方。待系统抽至高真空后，加热坩埚使其中的物质蒸发。蒸发物质的原子或分子以冷凝方 式沉积在基片表面。 溅射镀膜用高能粒子轰击固体表面时能使固体表面的粒子获得能量并逸出表面， 沉积在基片上。通常将欲沉积的材料制成板材--祀材固定在阴极上。基片置于正对靶面 的阳极上。系统抽至高真空后充入气体（通常为氩气），在阴极和阳极间加几千伏电压，两 极间即产生辉光放电。放电产生的正离子在电场作用下飞向阴极，与靶表面原子碰撞，受碰 撞从靶面逸出的靶原子称为溅射原子。溅射原子在基片表面沉积成膜。 离子镀通过蒸发物质的分子被电子碰撞电离后以离子沉积在固体表面。离子镀是 真空蒸发与阴极溅射技术的结合。将基片台作为阴极，外壳作阳极，充入惰性气体（如氩） 以产生辉光放电。从蒸发源蒸发的分子通过等离子区时发生电离。正离子被基片台负电压 加速打到基片表面。 在等离子镀技术中，等离子体增强化学气相沉积（plasma enhanced chemical vapor deposition，PECVD)等离子体增强化学气相沉积是：在化学气相沉积中，激发气体， 使其产生低温等离子体，增强反应物质的化学活性，从而进行外延的一种方法。该方法可 在较低温度下形成固体膜。例如在一个反应室内将基体材料置于阴极上，通入反应气体至 较低气压，基体保持一定温度，以某种方式产生辉光放电，基体表面附近气体电离，反应气 体得到活化，同时基体表面产生阴极溅射，从而提高了表面活性。在表面上不仅存在着通常 的热化学反应，还存在着复杂的等离子体化学反应。沉积膜就是在这两种化学反应的共同 作用下形成的。 现有技术中，实现等离子体增强化学气相沉积PECVD技术的机台有部分没有传输 室（transfer chamber),比如，LAM C3 VECTOR。因此，wafer传输路径必须由机械手输送到 装载腔（Load lock module,以下简称LL)再到处理腔（Process chamber)。其中，装载腔 LL在提供真空和大气状态的过度区域的同时，起到了传输室的作用。 目前的机台80%以上的晶圆缺陷都是晶圆边缘颗粒缺陷（wafer edge defect)。 如前所述，由于装载腔LL同时提供真空到大气状态的区域，以及传输室的作用，因此，其中 大部分缺陷都是有由装载腔LL导致的。 在实现本申请的过程中，技术人发现，装载腔LL本身体积有限，其内部各 项配件如底座（pedestal)、输送盘（capture ring)之间的间隙（tolerance)非常有限 (margin)。其中在输送盘上，其周围的防止晶圆滑落的圆锥体（cone)与晶圆之间的间隙不 到 0· 5_。 当机械手将晶圆传送进装载腔时，一旦当晶圆没有在输送盘放置好，即出现wafer handoff状态，或者晶圆没有以最佳位置传送到装载腔，发生微小偏差，即出现（active wafer centering,简称AWC)，则会导致晶圆在小圆锥边缘滑动，从而使晶圆产生晶圆边缘 颗粒缺陷，堆积到晶圆边缘。更严重的情况：尤其是在易碎的晶圆时，会导致大量的晶圆边 缘颗粒聚集于装载腔底部，造成装载腔的污染。
技术实现思路
本技术所要解决的技术问题是提供一种半导体制造中使用的装载腔、晶圆输 送盘、CVD系统，用以解决晶圆出现滑动产生晶圆边缘颗粒缺陷，并由此堆积到晶圆边缘，以 及导致大量晶圆边缘颗粒聚集于装载腔底部，造成的装载腔污染。 为了解决上述技术问题，本技术提供了一种半导体制造中使用的装载腔，其 包括从机械上卸载被输送的晶圆输送到装载腔的腔体中的晶圆输送盘，所述晶圆输送盘的 四周设置有防止被输送的晶圆在输送的过程中从所述晶圆输送盘上滑落的阻挡件。 优选地，在本技术的一装载腔实施例中，所述阻挡件的结构为背接触式结构。 优选地，在本技术的一装载腔实施例中，所述阻挡件设置在装载腔的基座一 周边缘处，以围绕所述晶圆输送盘，防止所述被输送的晶圆在输送的过程中从所述晶圆输 送盘上滑落的阻挡件。 优选地，在本技术的一装载腔实施例中，所述阻挡件包括承载所述晶圆的晶 圆支撑部和防止晶圆在输送的过程中从所述晶圆输送盘上滑落所述晶圆滑落的晶圆阻挡 部。 为了解决上述技术问题，本技术提供了一种晶圆输送盘，其用于从机械上卸 载被输送的晶圆输送到装载腔的腔体中，所述晶圆输送盘的四周设置有防止被输送的晶圆 在输送的过程中从所述晶圆输送盘上滑落的阻挡件。 优选地，在本技术的一晶圆输送盘实施例中，所述阻挡件的结构为背接触式 结构。 优选地，在本技术的一晶圆输送盘实施例中，所述阻挡件设置在装载腔的基 座一周边缘处，以围绕所述晶圆输送盘，防止所述被输送的晶圆在输送的过程中从所述晶 圆输送盘上滑落的阻挡件。 优选地，在本技术的一晶圆输送盘实施例中，所述阻挡件包括承载所述晶圆 的晶圆支撑部和防止晶圆在输送的过程中从所述晶圆输送盘上滑落所述晶圆滑落的晶圆 阻挡部。 为了解决上述技术问题，本技术提供了一种CVD系统，其包括：上述任一所述 的装载腔。 与现有的方案相比，所述晶圆输送盘的四周设置有防止被输送的晶圆在输送的过 程中从所述晶圆输送盘上滑落的阻挡件。在晶圆输送的过程中，可以稳固地承载被输送的 晶圆，因此，即使晶圆没有在输送盘放置好，即出现wafer handoff状态，或者晶圆没有以最 佳位置传送到装载腔发生微小偏差，也被阻挡件稳固的挡在所述晶圆输送盘上，无法在晶 圆输送盘上移动，甚至是从所述晶圆输送盘上滑落，从而避免了现有技术中由于晶圆在小 圆锥边缘滑动导致的晶圆边缘颗粒缺陷，进一步排除了晶圆边缘颗粒聚集于装载腔底部污 染装载腔。 【专利附图】【附图说明】 本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种半导体制造中使用的装载腔，其特征在于，包括从机械上卸载被输送的晶圆输送到装载腔的腔体中的晶圆输送盘，所述晶圆输送盘的四周设置有防止被输送的晶圆在输送的过程中从所述晶圆输送盘上滑落的阻挡件。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：张欣，丁小弟，金懿，
申请(专利权)人：上海华力微电子有限公司，
类型：新型
国别省市：上海;31