【技术实现步骤摘要】
氮化镓发光二极管及其制作方法
本专利技术涉及氮化物半导体光电组件,尤其涉及一种具有改善缓冲层结构的氮化物半导体光电器件。
技术介绍
发光二极管(Light-emittingdiode,LED)在节能,环保和寿命长方面的优势,所以受到广泛关注。特别是基于氮化镓材料的LED,由于其波长范围理论上覆盖了整个可见光波段和紫外波段,因此成为目前LED发展的主流方向。氮化镓材料蓝光LED技术无论在研究上和商业化生产应用上都取得了进步,其应用领域广阔。但目前LED的发光效率相对较低,从外延结构而言,除了提升内部量子效率(IQE:InternalQuantumEfficiency)之外,改善外部量子效率(EQE:ExternalQuantumEfficiency)也是重要的课题。这些LED组件,具有在蓝宝石衬底上形成氮化物缓冲层,由Si掺杂GaN的N型接触层,由具有InGaN的多层量子井结构(MQW:Multi-Quantum-Well)活性层,由Mg掺杂的P型氮化物接触层依次迭层而形成的结构,这种结构具有较高亮度的半导体组件特性。
技术实现思路
针对现有技术,为了有效地提高发光二极管的发光效率,本专利技术提供一种氮化镓发光二极管及其制作方法,其主要方案包括:提供三甲基铝成长的缓冲层结构,利用三甲基铝熔点较低的特性,升温至660℃以上可通入氨气,由于在达到660℃温度前不通氨气,只通入三甲基铝源,记此温度为T1,让三甲基铝熔解形成不规则的形状,使发光二极管可通过缓冲层的不规则铝金属产生反射与折射效应,以提高外部量子效率。为了达到上述目的,此结构包括缓冲层、N型层、应力释放层、 ...
【技术保护点】
氮化物发光二极管,包括缓冲层、N型层、活性层以及P型层,其特征在于:所述缓冲层为金属铝,其呈不规则颗粒状,当活性层发出的光线入射至所述缓冲层时发生反射与折射效应。
【技术特征摘要】
1.氮化物发光二极管的制作方法,包括步骤:提供一衬底,在所述衬底之上形成一呈不规则颗粒状的金属铝薄膜层作为缓冲层;在所述金属铝缓冲层上依次形成N型层、活性层、P型层,当活性层发出的光线入射至所述不规则颗粒状的缓冲层时,发生反射与折射效应;其特征在于:所述缓冲层的形状步骤为,将所述衬底置于一反应室里,调节所述反应室的温度为T1,仅通入三甲基铝源,使其在温度T1条件下熔融聚集在所述衬底上形成不规则颗粒状的铝薄膜层。2.根据权利要求1所述的氮化物发光二极管的制作方法,其特征在于:所述温度T1小于或等于660℃。3.根据权利要求2所述的氮化物发光二极管的制作方法,其特征在于:所述温度T1为200℃~660℃。4.根据权利要求1所述的氮化物发光二极管...
【专利技术属性】
技术研发人员:蓝永凌,张家宏,卓昌正,林兓兓,谢翔麟,谢祥彬,徐志波,
申请(专利权)人:安徽三安光电有限公司,
类型:发明
国别省市:安徽;34
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