一种半导体器件用键合铜合金丝及其制造方法技术

技术编号:10526383 阅读:180 留言:0更新日期:2014-10-09 11:40
一种半导体器件用键合铜合金丝,含有下述重量配比的成分:铜100份,钯0.5-1.5份,氢0.0005-0.002份。本发明专利技术还提供上述键合铜合金丝的一种制造方法,包括下述步骤:(1)将铜和钯熔合成铜钯合金熔体,再经过拉丝处理,获得铜钯合金线材;(2)对铜钯合金线材进行多道次拉拔,得到铜钯合金丝;在拉拔过程中及拉拔完成后进行退火处理,最后一次退火处理采用氮氢混合气作为退火气氛;(3)最后一次退火处理结束后,将铜钯合金丝通入乙醇水溶液中进行冷却,得到键合铜合金丝。本发明专利技术的键合铜合金丝具有较强的抗氧化能力,在N2气氛下球焊时有较大的结合面积和较高的结合强度,导电能力强,可靠性高,且制造工艺简单易行。

【技术实现步骤摘要】
【专利摘要】一种半导体器件用键合铜合金丝,含有下述重量配比的成分:铜100份,钯0.5-1.5份,氢0.0005-0.002份。本专利技术还提供上述键合铜合金丝的一种制造方法,包括下述步骤:(1)将铜和钯熔合成铜钯合金熔体,再经过拉丝处理,获得铜钯合金线材;(2)对铜钯合金线材进行多道次拉拔,得到铜钯合金丝;在拉拔过程中及拉拔完成后进行退火处理,最后一次退火处理采用氮氢混合气作为退火气氛;(3)最后一次退火处理结束后,将铜钯合金丝通入乙醇水溶液中进行冷却,得到键合铜合金丝。本专利技术的键合铜合金丝具有较强的抗氧化能力,在N2气氛下球焊时有较大的结合面积和较高的结合强度,导电能力强,可靠性高,且制造工艺简单易行。【专利说明】
本专利技术涉及用于半导体器件(如集成电路)邦定的材料,具体涉及一种半导体器件 用键合铜合金丝,以及这种键合铜合金丝的制造方法。
技术介绍
键合丝(bonding wire)是连接芯片与外部封装基板(substrate)和/或多层线路 板(PCB)的主要连接方式。键合丝发展趋势,从应用方向上主要是线径细微化、高车间寿命 (floor li本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种半导体器件用键合铜合金丝,其特征在于所述键合铜合金丝含有下述重量配比的成分:铜100份,钯0.5-1.5份,氢0.0005-0.002份。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员:周振基周博轩任智
申请(专利权)人:汕头市骏码凯撒有限公司
类型:发明
国别省市:广东;44

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