晶圆级半导体器件制造技术

本实用新型专利技术提供了一种晶圆级半导体器件，包括晶圆级基片；形成于基片表面且并联设置的多个串联组，每一串联组包括串联设置的多个并联组，每一并联组包括并联设置的多个单胞，其中每一单胞均是由直接生长于所述基片表面的半导体层加工形成的独立功能单元；以及，导线，其至少电性连接于每一串联组中的两个选定并联组之间，用以使所有串联组的导通电压基本一致。本实用新型专利技术的器件结构简单，且其制程简单便捷、低成本，良品率高，适于规模化制造和应用。（*该技术在2024年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】
晶圆级半导体器件
本技术涉及一种半导体器件，特别涉及一种大功率、大面积晶圆级半导体器 件，该晶圆级半导体器件系在一片晶圆上所形成的多个单胞串并联连接的器件，其无须切 割分离即能使用。
技术介绍
近年来，人们对LED照明的功率提出了越来越高的要求。为获得大功率光源，当前 业界通常是将以传统工艺制成的多个小尺寸LED芯片集成组装于一个器件中。而作为其中 一种典型的方案，参考CN103137643A、CN103107250A等，\人员通过将多个小尺寸LED芯 片通过粘接等方式固定组装在一基底上，并采用一定的电路形式将该多个LED芯片电性连 接，从而形成大功率LED器件。藉由此类工艺，诚然可以获得大功率LED器件，但其中必不 可少的芯片封装、系统集成及安装工序等操作均非常繁复，因而使得器件的总制造成本急 剧提升，限制了大功率LED器件的推广应用。 增加LED器件芯片的面积是实现大功率LED的最直接也是最易想到的途径，然而 现实中却几乎无人按照这种方式去生产大功率LED器件，其原因就在于产品的良率太低。 对于半导体器件来讲，芯片的良率与芯片面积有极大的关系，通常本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种晶圆级半导体器件，其特征在于，包括：晶圆级基片；形成于基片表面且并联设置的多个串联组，每一串联组包括串联设置的多个并联组，每一并联组包括并联设置的多个单胞，其中每一单胞均是由直接生长于所述基片表面的半导体层加工形成的独立功能单元；以及，导线，其至少电性连接于每一串联组中的一个选定并联组与所述半导体器件的一个电极之间和/或两个选定并联组之间，用以使所有串联组的导通电压基本一致。

【技术特征摘要】
1. 一种晶圆级半导体器件，其特征在于，包括： 晶圆级基片； 形成于基片表面且并联设置的多个串联组，每一串联组包括串联设置的多个并联组， 每一并联组包括并联设置的多个单胞，其中每一单胞均是由直接生长于所述基片表面的半 导体层加工形成的独立功能单元；以及， 导线，其至少电性连接于每一串联组中的一个选定并联组与所述半导体器件的一个电 极之间和/或两个选定并联组之间，用以使所有串联组的导通电压基本一致。2. 根据权利要求1所述的晶圆级半导体器件，其特征在于，形成于基片表面的所有单 胞包括多个正常单胞和多个冗余单胞，该多个正常单胞被排布为并联设置的多个多级单元 组，任一多级单元组包括串联设置的多个第一并联组，并且任一多级单元组中选定的Μ个 第一并联组还与Ν个第二并联组串联形成一串联组， 其中，任一第一并联组包括并联设置的多个正常单胞，任一第二并联组包括并联设置 的多个冗余单胞，Μ为正整数，Ν为0或正整数。3. 根据权利要求1所述的晶圆级半导体器件，其特征在于，至少一...

【专利技术属性】
技术研发人员：蔡勇，张亦斌，徐飞，
申请(专利权)人：中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所，
类型：新型
国别省市：江苏;32