【技术实现步骤摘要】
【专利摘要】本专利技术提供一种堆叠式发光二极管阵列结构，包括一基板及多个依序堆叠于基板之上的发光二极管裸晶，每一发光二极管裸晶包括一第一半导体层及一第二半导体层，第一半导体层之上设置有一第一电极及叠设有第二半导体层，而第二半导体层之上设置有一第二电极及叠设有另一发光二极管裸晶的第一半导体层，每一发光二极管裸晶的第二电极通过一金属层与另一发光二极管裸晶的第一电极连接以串接成一发光二极管阵列，则，利用堆叠方式将多个发光二极管裸晶叠设成一发光二极管阵列，不仅容易进行制作且有效降低整体发光二极管阵列的设置体积。【专利说明】堆叠式发光二极管阵列结构
本专利技术涉及一种发光二极管阵列结构，尤其涉及一种堆叠式的发光二极管阵列结构。
技术介绍
发光二极管(Light Emitting Diode, LED)是一种半导体发光元件,其被施加正向偏压时，将会致电发光。目前发光二极管已经发展可以操作在高电压的交流电源(如AC110V/220V)上。再者，由于发光二极管相较于电灯泡(如白炽灯泡)或日光灯管(如萤光灯管)是具有低功率消耗及使用寿命长的优点，故发光二极管逐渐地取代电灯泡...
【技术保护点】
一种堆叠式发光二极管阵列结构，其特征在于，包括：一基板，其表面设置一第一电位垫及一第二电位垫；多个发光二极管裸晶，依序堆叠于基板之上，每一发光二极管裸晶分别包括：一第一半导体层；及一第二半导体层，其中第一半导体层的上表面设置有一第一电极及叠设有第二半导体层，而第二半导体层的上表面设置有一第二电极及/或叠设另一个发光二极管的第一半导体层；及至少一金属层，每一发光二极管裸晶的第二电极通过对应的金属层与另一发光二极管裸晶的第一电极进行连接，以串接成一发光二极管阵列；其中，堆叠在最下方的第一半导体层的第一电极通过一金属线连接至基板的第一电位垫，堆叠在最上方的第二半导体层的第二电极通...
【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：蔡文钦，赖力弘，
申请(专利权)人：美禄科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾;71
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