具有核/壳型结构纳米线的光电装置制造方法及图纸

本发明专利技术涉及一光电装置，其包括有纳米线形式（1，7）的发光装置，所述纳米线具有核/壳型结构并形成于衬底（11）上，其中，所述纳米线包括有源区（12，72），所述有源区包括至少两种具有不同发射波长的量子阱以及分布在所述有源区内至少两个不同的区域（120，121；720，721，722），所述纳米线（1，7）上的所述有源区（12，72）中设有第一区域（120，720），所述第一区域是至少部分包围所述纳米线的芯部（10，70）的外围部分，实质上是其垂直部分，并且还包含有径向量子阱，所述有源区上第二区域（121，721）是位于所述纳米线芯部端面的一上端部分，实质上是其水平部分，并设置有轴向量子阱，其中，所述光电装置还包括位于衬底上方的第一电连接区（15）和所述发光装置上方的第二电连接区（16，51；17，81），所述第二电连接区这样安排是为了，当发光装置至少分成两组进行分布，电连接是通过连续导电层加以实现的，为了所述有源区不同区域内至少两组中任意一组发光装置并且控制电源，从而获得多波长光的发射。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】具有核/壳型结构纳米线的光电装置
本专利技术涉及光电领域，尤其涉及基于具有核/壳型结构的纳米线的光发射器。
技术介绍
事实上，生产光电器件特别是生产基于氮化铟镓/氮化镓纳米线的发光二极管（LED）是众所周知的。在一般情况下，纳米线可以有两种不同的结构，一种是轴向结构或一种是径向结构。在这两种情况下，纳米线包括一n型掺杂区，一P型掺杂区和位于这两个区域之间的一个非故意掺杂有源区，其包括有量子阱。使用氮化铟镓（InGaN）从而形成的量子阱在现有技术中是已知的。通过增加铟的浓度，可以减少这三元材料的间禁带宽度，即从氮化镓（GaN）的禁带宽度大约为3.5电子伏特减小到氮化铟（InN）的禁带宽度大约为0.69电子伏特。因此，这在理论上可以扫描整个可见光谱。在具有轴向结构的纳米线中，所述有源区位于平行于纳米线生长衬底的位置。在具有径向结构的纳米线中，所述有源区围绕从生长衬底中获得的纳米线进行外延生长。所得到的径向结构被认为是核/壳结构。术语“纳米线”也将被用于指代完整的结构，包括芯部，轴向有源区和外壳。拥有轴向结构的纳米线通常是由分子束外延（MBE）来获得，而拥有径向结构的纳米线是通过金属有机物本文档来自技高网...

【技术保护点】
一光电装置，包括具有纳米线形式（1，7）的发光装置，所述纳米线具有核/壳型结构并形成于衬底（11）上方，其特征在于，所述纳米线包括有源区（12，72），所述有源区包括至少两种具有不同发射波长的量子阱以及分布在所述有源区内至少两个不同的区域（120，121；720，721，722），所述纳米线（1，7）上的所述有源区（12，72）中设有第一区域（120，720），所述第一区域是至少部分包围所述纳米线的芯部（10，70）的外围部分，并且是垂直部分，并且还包含有径向量子阱，所述有源区上第二区域（121，721）是位于所述纳米线芯部端面的一上端部分，并且是水平部分，并设置有轴向量子阱，其中，所述光电装...

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2011.12.01 FR 11036701.一光电装置，包括具有纳米线形式(1，7)的发光装置，所述纳米线具有核/壳型结构并形成于衬底(11)上方，其特征在于，所述纳米线包括有源区(12，72)，所述有源区包括至少两种具有不同发射波长的量子阱以及分布在所述有源区内至少两个不同的区域(120，121；720，721，722)，所述纳米线(1，7)上的所述有源区(12，72)中设有第一区域(120，720)，所述第一区域是至少部分包围所述纳米线的芯部(10，70)的外围部分，并且是垂直部分，并且还包含有径向量子阱，所述有源区上第二区域(121，721)是位于所述纳米线芯部端面的一上端部分，并且是水平部分，并设置有轴向量子阱，其中，所述光电装置还包括位于衬底上方的第一电连接区(15)和所述发光装置上方的第二电连接区(16，51；17，81)，所述第二电连接区这样设置是为了，当发光装置至少分成两组进行分布，所述电连接是通过连续导电层加以实现的，为了所述有源区不同区域内至少两组中任意一组发光装置，并且控制电源以获得多波长光的发射。2.如权利要求1所述的光电装置，其特征在于，所述有源区(72)包括一第三区域(722)，所述第三区域位于所述第一区域和第二区域之间。3.如权利要求1或2所述的光电装置，其特征在于，所述第二电连接区域向外延伸并覆盖所述纳米线有源区的中至少一部分第一区域。4.如权利要...

【专利技术属性】
技术研发人员：菲利普·吉莱，安劳尔·巴文科夫，
申请(专利权)人：原子能及能源替代委员会，
类型：发明
国别省市：法国;FR