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本实用新型提供了一种晶圆级半导体器件，包括晶圆级基片；形成于基片表面且并联设置的多个串联组，每一串联组包括串联设置的多个并联组，每一并联组包括并联设置的多个单胞，其中每一单胞均是由直接生长于所述基片表面的半导体层加工形成的独立功能单元；以及...
该专利属于中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所所有，仅供学习研究参考，未经过中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所授权不得商用。

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