一种LED用高效散热陶瓷基板的制作方法技术

一种LED用高效散热陶瓷基板的制作方法，包括以下步骤：（1）选用表面吸附分布密度为5%~90%石墨烯粉体的陶瓷基板作为加工基材，并抽高真空至真空度＞4.0×10E-3Pa；（2）以惰性气体或反应气体或二者的混合气体作为载气，在真空度为1.0×10E-1Pa以上的工作真空环境下，采用沉积法将至少一种材料薄膜沉积于吸附在陶瓷基板上的石墨烯粉体与陶瓷基板的表面，沉积温度为25~125℃，沉积时间为1200~5000秒。本发明专利技术所制得的陶瓷基板的导热系数>800~3600W/(m·K)，既满足导热性好同时又绝缘性好，适用于各种半导体芯片的散热基片。

【技术实现步骤摘要】
一种LED用高效散热陶瓷基板的制作方法
本专利技术涉及一种LED用高效散热陶瓷基板的制作方法。
技术介绍
LED照明产品由于能量转化效率非常高，能耗理论上仅有白炽灯的10%，相比荧光 灯，可以达到50%的节能效果，因而具有节能、环保和长寿命的优势，可广泛应用于景观照 明、安全照明、特种照明和普通照明光源等照明领域，市场潜力巨大。 -般情况下，LED的发光波长随温度变化为0. 2~0. 3nm/°C，光谱宽度随之增加，影 响颜色鲜艳度。另外，当正向电流流经pn结，发热性损耗使结区产生温升时，在室温附近， 温度每升高1°C，LED的发光强度会相应地减少1%左右，LED发热的原因是由于所加入的电 能并没有全部转化为光能，而是一部分转化成为热能。LED的光效目前只有1001m/W，其电 光转换效率大约仅2(Γ30%左右，也就是说大约70%的电能都变成了热能。因此，影响大功 率LED照明的核心突破点是散热技术。 几乎绝大多数的LED芯片用散热基片为A1203陶瓷、碳化硅、硅片、A1N复合A1 203 陶瓷基片。而下面一层绝缘体则要求其绝缘性能很好，而且还要本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种LED用高效散热陶瓷基板的制作方法，其特征在于：包括以下步骤：（1）抽高真空：选用表面吸附分布密度为5%~90%石墨烯粉体的陶瓷基板作为加工基材，并抽高真空至真空度＞4.0×10E‑3Pa；（2）薄膜沉积：以惰性气体或反应气体或二者的混合气体作为载气，在真空度为1.0×10E‑1Pa以上的工作真空环境下，采用沉积法将至少一种材料薄膜沉积于吸附在陶瓷基板上的石墨烯粉体与陶瓷基板的表面，沉积温度为25~125℃，沉积时间为1200~5000秒，得到LED用高效散热陶瓷基板。

【技术特征摘要】
1. 一种LED用高效散热陶瓷基板的制作方法，其特征在于：包括以下步骤： (1) 抽高真空：选用表面吸附分布密度为59Γ90%石墨烯粉体的陶瓷基板作为加工基 材，并抽高真空至真空度> 4. Ο X 10E-3Pa ; (2) 薄膜沉积：以惰性气体或反应气体或二者的混合气体作为载气，在真空度为 1. Ο X ΙΟΕ-lPa以上的工作真空环境下，采用沉积法将至少一种材料薄膜沉积于吸附在陶瓷 基板上的石墨烯粉体与陶瓷基板的表面，沉积温度为25?125°C，沉积时间为120(Γ5000秒， 得到LED用高效散热陶瓷基板。2. 根据权利要求1所述LED用高效散热陶瓷基板的制作方法，其特征在于：所述石 墨烯粉体为单层片或多层片的导电或绝缘石墨烯粉体，所述单层片的导电或绝缘石墨烯 粉体的厚度为〇.33nm，长度为3unT5 Um，所述多层片的导电或绝缘石墨烯粉体的厚度为 lnm~3nm〇3. 根据权利要求1或2所述LED用高效散热陶瓷基板的制作方法，其特征在于：所述 沉积法选用磁过滤多弧离子复合镀膜法、电子回旋共振化学气相沉积法、高能离子束溅射 沉积法、中频或射频化学气相沉积法、金属有机化合物化学气相沉积法、单原子层沉积法中 的一种或多种沉积方式组合。4. 根据权利要求1或2所述LED用高效散热陶瓷基板的制作方法，其特征在于：所述 材料薄膜为 SiC、TiAIN、AIN、Ag、Cu、Al、Sn、Au、DLC...

【专利技术属性】
技术研发人员：谭彬，兰育辉，
申请(专利权)人：湖南元素密码石墨烯研究院有限合伙，
类型：发明
国别省市：湖南;43