【技术实现步骤摘要】
光电子器件
本技术涉及半导体
，特别是涉及一种光电子器件。
技术介绍
纤锌矿相宽禁带氧化物半导体MgxZni_x0 (可简写为MgZnO)是由纤锌矿相ZnO和 岩盐相MgO合金而成，其带隙理论上能够从3. 37eV连续调节至7. 8eV，可覆盖大部分近紫外 和中紫外区域，电学性能则可从半导体调谐至绝缘体，因此通过调节Mg组分X，可得到工作 在不同紫外波段、导电特性迥异的Mg xZni_x0合金薄膜。这一特点使得MgZnO作为电光转换 或光电转换的有源材料而在ZnO基激光二极管和深紫外探测器等光电子器件领域拥有更 大的优势，因而成为国际上广泛研究的焦点。MgZnO合金薄膜是一种较好的近紫外发光材 料，其高温区的光电性能特性尤其突出，而MgZnO深紫外探测器无论是在军事上还是在民 用方面都具有重大的应用价值，如火灾监测、臭氧监测及高温尾焰探测等。此外，高Mg组分 MgZnO合金薄膜中存在着更强的极化电场，因此对量子阱中的电子有着更强的限制作用，从 而可以大幅度提高光电子器件性能。 但是随着Mg组分的不断增加，MgxZni_x0的带隙及电阻均在不断增加，这意味着在 深紫外区间，尤其是有着重要应用价值的日盲紫外波段（220?280nm)，合金薄膜的导电性 将变得很差。这是由于它的带隙比较宽（>4.43eV)，体电子浓度很低（〈10 15cnT3)，电子迁移 长度较短，因此显示出巨电阻的特征（>1〇9Ω)，这对以Mg xZni_x0作为有源层的光电子器件 应用来说非常不利。例如对于紫外探测器，无论其采用的是具有金...
【技术保护点】
一种光电子器件，其特征在于，包括由氟掺杂的MgZnO层形成的有源层以及设置在有源层上的金属电极层。
【技术特征摘要】
1. 一种光电子器件，其特征在于，包括由氟掺杂的MgZnO层形成的有源层以及设置在 有源层上的金属电极层。2. 根据权利要求1所述的光电子器件，其特征在于，所述有源层仅由所述氟掺杂的 MgZnO层构成。3. 根据权利要求1或2所述的光电子器件，其特征在于，还包括衬底，所述氟掺杂的 MgZnO层直接设置在所述衬底上。4. 根据权利要求1或2所述的光电子器件，其特征在于，所述光电子器件为光探测器件 或光发射器件。5. 根据权利要求4所述的光电子器件，其特征在于，所述光探测器件为紫外探测器；所 述光发射器件为发光二极管。6....
【专利技术属性】
技术研发人员：刘利书，梅增霞，侯尧楠，刘章龙，梁会力，刘尧平，杜小龙，
申请(专利权)人：中国科学院物理研究所，
类型：新型
国别省市：北京;11
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