直列式热处理装置制造方法及图纸

技术编号:10491874 阅读:91 留言:0更新日期:2014-10-03 19:12
本发明专利技术涉及直列式热处理装置。本发明专利技术的直列式热处理装置的特征在于,具备:多个加热炉(110a、120a、130a、140a、150a),连续地配置,并且分别提供对基板(50)进行热处理的空间;基板搬运部(370),设置在各个加热炉(110a、120a、130a、140a、150a)的内部,用于搬运基板(50);以及多个加热器(200),设置在各个加热炉(110a、120a、130a、140a、150a)中,在与基板(50)的搬运方向垂直的方向上隔着规定的间隔贯通各个加热炉(110a、120a、130a、140a、150a),用于对基板(50)进行升温。

【技术实现步骤摘要】
直列式热处理装置
本专利技术涉及直列式热处理装置。更具体地,通过设置贯通多个加热炉的多个加热器,能够均匀地保持加热炉整个区域的温度,并且在整个基板上进行均匀的热处理。
技术介绍
使用于平板显示装置制造中的热处理(Annealing)装置,为了提高沉积在基板上的膜的特性,对沉积的膜进行结晶化或相变化处理。 使用于平板显示装置中的作为半导体层的薄膜晶体管,利用沉积装置,在玻璃或石英等基板上沉积非晶(Amorphous)硅,对非晶硅层进行脱氢热处理后,注入形成沟道所需的砷(Arsenic)、磷(Phosphorus)或硼(Boron)等掺杂物。然后进行结晶化工艺,以将具有低电子迁移率的非晶硅层通过结晶化处理为具有高电子迁移率的结晶结构的多晶硅层。 为了使非晶硅层结晶化处理为多晶硅层,需要向非晶硅层施加热能,通常利用以下方法:向加热炉(Furnace)内部投入基板,通过设置在加热炉内部的加热器等加热单元,向非晶硅层提供热量。 现有的热处理装置进行利用一个加热炉来加热以及冷却基板的热处理工艺,但是利用一个加热炉的现有的热处理装置,由于将基板制造成成品需要很长时间,导致降低生产率。为了解决这个问题,正在开发和使用直列式热处理装置,其连续配置多个加热炉,并将基板分别向所述加热炉依次搬运,以对基板进行热处理。 由于现有的直列式热处理装置,将加热器配置在加热炉的外侧,或者使用板状加热器等,因此很难控制加热器整个区域的温度。此外,随着近年来使用于平板显示装置中的基板趋于大型化,需要开发可以均匀地保持加热炉内部的温度,并且在整个基板上进行均匀的热处理的直列式热处理装置。 此外,由于现有的热处理装置在可旋转的多个辊上直接搭载基板进行搬运,因此,由相互接触的辊和基板之间的摩擦力而产生的颗粒(Particle)有可能导致基板被污染,从而降低成品的可靠性。 专利技术的内容 本专利技术为了解决如上所述的现有技术的各种问题而提出,目的在于提供一种直列式热处理装置,能够均匀地保持加热炉整个区域的温度。 此外,本专利技术的目的在于提供一种直列式热处理装置,可以在整个基板上进行均匀的热处理。 此外,本专利技术的目的在于提供一种直列式热处理装置,通过在移动(Moving)部件上搭载并支撑基板进行搬运,从而能够降低摩擦力导致的基板的损伤,提高成品的可靠性。 为了解决上述目的,本专利技术一实施方式的直列式热处理装置的特征在于,具备:多个加热炉(Furnace),连续地配置,并且分别提供对基板进行热处理的空间;搬运单元,设置在各个所述加热炉的内部,用于搬运所述基板;以及多个加热器,设置在各个所述加热炉中,并且,在与所述基板的搬运方向垂直的方向上隔着规定的间隔贯通各个所述加热炉,以对所述基板进行升温。 根据如上所述结构的本专利技术,能够均匀地保持加热炉整个区域的温度。 此外,可以在整个基板上进行均匀的热处理。 此外,通过在移动(Moving)部件上搭载并支撑基板进行搬运,从而能够降低摩擦力导致的基板的损伤,提高成品的可靠性。 【附图说明】 图1是表示本专利技术一实施方式的直列式热处理装置的概略结构的主剖视图。 图2是表示本专利技术一实施方式的升温部的加热炉的放大主剖视图。 图3是表示本专利技术一实施方式的升温部的加热炉的放大侧剖视图。 图4是表不本专利技术一实施方式的直列式热处理装置的概略结构的俯剖视图。 图5是表示本专利技术一实施方式的基板搬运部支撑移动部件的立体图。 图6是图5中示出的基板搬运部的放大立体图。 图7至图13是表示本专利技术一实施方式的直列式热处理装置的动作的主剖视图。 图14是本专利技术一实施方式的支撑部件的立体图。 附图标记 50:基板 61、65:支撑部件 110:加载部 120:升温部 130:工艺部 140:冷却部 150:卸载部 110a、120a、120b、130a、140a、150a:加热炉 200:加热器 210:上侧加热器 220:下侧加热器 230:侧方加热器 330:移动部件 350:驱动单元 370:基板搬运部 390:升降杆 【具体实施方式】 参照图示的附图,对可实施本专利技术的特定实施方式的本专利技术进行详细说明。通过这些实施方式,所属领域的技术人员能够充分实施本专利技术。虽然本专利技术的各种实施方式相互不同,但不应理解为相互排斥。例如,所记载的特定形状、结构以及特性,在不脱离本专利技术的精神以及范围的基础上能够以其他实施方式体现。此外,各个公开的实施方式中的个别的构成要素的位置或配置能够在不脱离本专利技术的精神以及范围的基础上进行变更。因此,后述的详细说明并非旨在限定,本专利技术的范围仅限于其权利要求所主张的均等的所有范围以及后附的权利要求。附图中类似的附图标记在几个侧面具有相同或类似的功能,而且,为了便于表示,也有可能夸张表现长度、面积、厚度等其形状。 应理解为,本说明书中的基板包括在LED、IXD等显示装置中使用的基板、半导体基板、太阳能电池基板等。 以下参照附图来详细说明本专利技术的实施方式的直列式热处理装置。 图1是表示本专利技术一实施方式的直列式热处理装置的概略结构的主剖视图。 参照图1,本实施方式的直列式热处理装置具备加载部110、升温部120、工艺部130、冷却部140以及卸载部150,并且,加载部110、升温部120、工艺部130、冷却部140以及卸载部150可以依次连续地配置。 加载部110、升温部120、工艺部130、冷却部140以及卸载部150可以分别具备加热炉(Furnace) 110a、120a、120b、130a、140a、150a。 基板50可以通过基板搬运机器人(未图示)加载至加载部110,并以规定的温度均匀预热,然后搬运至升温部120。为此,加热炉IlOa上可以设有加热器(未图示)。加热器(未图示)可以具有与后述的加热器200相同的结构,或者板状结构。 进一步参照图2以及图3说明升温部120。图2是表示本专利技术一实施方式的升温部120的加热炉120a的放大主剖视图。图3是表示本专利技术一实施方式的升温部120的加热炉120a的放大侧剖视图。 参照图1至图3,升温部120可以加热基板50至规定的温度后搬运至工艺部130。升温部120可以具备独立控制温度的至少两个加热炉120a、120b。升温部120的加热炉120a、120b的数量可以根据基板50的热处理温度而适当地进行设置。升温部120的各个加热炉120a、120b的结构可以相同。 基板50在低温迅速提高加热温度也不容易变形,但是在高温迅速提高加热温度,则有可能变形。因此,优选升温部120的加热炉120a、120b设定为,在低温使加热温度迅速上升,而在高温使加热温度缓慢上升。 加热炉120a、120b的内部可以设有用于加热基板50的多个加热器200:210、220、230。加热器200贯通加热炉120a、120b,并且在与基板50的搬运方向垂直的方向上隔着规定的间隔设置,加热器200可以从加热炉120a、120b的一侧面向另一侧面贯通,或者贯通规定的一侧面,并且具有棒形状。虽然图1中表示加热器200配置在升温部120、工艺部130以及冷却部140上,但是加热器200也可以本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种直列式热处理装置,其特征在于,具备:多个加热炉,连续地配置,并且分别提供对基板进行热处理的空间;基板搬运部,设置在各个所述加热炉的内部,用于搬运所述基板;以及多个加热器,设置在各个所述加热炉中,并且,在与所述基板的搬运方向垂直的方向上隔着规定的间隔贯通各个所述加热炉,用于对所述基板进行升温。

【技术特征摘要】
2013.03.27 KR 10-2013-00331191.一种直列式热处理装置,其特征在于,具备: 多个加热炉,连续地配置,并且分别提供对基板进行热处理的空间; 基板搬运部,设置在各个所述加热炉的内部,用于搬运所述基板;以及多个加热器,设置在各个所述加热炉中,并且,在与所述基板的搬运方向垂直的方向上隔着规定的间隔贯通各个所述加热炉,用于对所述基板进行升温。2.根据权利要求1所述的直列式热处理装置,其特征在于, 所述加热器具备: 上侧加热器,配置在所述基板的上侧,用于加热所述基板的上表面; 下侧加热器,配置在所述基板的下侧,用于加热所述基板的下表面。3.根据权利要求2所述的直列式热处理 装置,其特征在于, 所述上侧加热器的单位上侧加热器与最邻接的所述下侧加热器的单位下侧加热器对齐配置。4.根据权利要求2所述的直列式热处理装置,其特征在于, 所述上侧加热器的单位上侧加热器与最邻接的所述下侧加热器的单位下侧加热器错开配置。5.根据权利要求2所述的直列式热处理装置,其特征在于, 所述加热器进一步包括用于防止所述加热炉的热损失的多个侧方加热器。6.根据权利要求5所述的直列式热处理装置,其特征在于, 所述多个侧方加热器设置在所述加热炉的底部侧方或顶部侧方。7.根据权利要求1所述的直列式热处理装置,其特征在于, 所述多个加热器分别独立地被控制。8.根据权利要求1所述的直列式热处理装置,其特征在于, 所述基板搬运部具备: 搬运杆,垂直于所述基板的搬运方向,并且一侧以及另一侧可旋转地支撑在所述加热炉上; 辊,设置在所述搬运杆的外周面上,与所述搬运杆一起旋转。9.根据权利要求1所述的直列式热处理装置,其特征在于, 所...

【专利技术属性】
技术研发人员:李炳一吴弘绿赵炳镐
申请(专利权)人:泰拉半导体株式会社
类型:发明
国别省市:韩国;KR

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