化学物质供应单元、基片处理设备及使用该基片处理设备处理基片的方法技术

技术编号:10489428 阅读:109 留言:0更新日期:2014-10-03 17:36
本发明专利技术提供了一种基片处理设备,包括:壳体;支承单元,该支承单元位于壳体内并且支承基片;喷嘴单元,该喷嘴单元将化学物质供应至设置在支承单元上的基片;以及化学物质供应单元,该化学物质供应单元将化学物质供应至喷嘴单元。在本文中,化学物质供应单元包括:化学物质供应源;第一罐和第二罐,该第一罐和第二罐存储化学物质;化学物质供应管路,该化学物质供应管路将化学物质从化学物质供应源供应至第一罐和第二罐;化学物质排放管路,该化学物质排放管路将化学物质从第一罐和第二罐供应至喷嘴单元;循环管路,该循环管路允许化学物质分别循环通过第一罐和第二罐;安装在循环管路上的构件;和控制器,该控制器控制所述构件。

【技术实现步骤摘要】
化学物质供应单元、基片处理设备及使用该基片处理设备处理基片的方法
在此公开的本专利技术涉及一种用于将化学物质供应至基片的化学物质供应单元、包括化学物质供应单元的基片处理设备以及使用该基片处理设备处理基片的方法。
技术介绍
残留在基片表面上的颗粒、有机污染物和金属污染物对半导体器件的性能和产品产量有很大的影响。因此,在半导体制造过程中去除附着于基片表面上的各种污染物的清洁过程是非常重要的,并且在制造半导体各单元的过程之前和之后进行清洁过程。通常,基片的清洁包括使用化学物质去除残留在基片上的金属杂质、有机物质或颗粒的化学处理过程,使用去离子水去除残留在基片上的化学物质的冲洗过程,以及使用氮气气体干燥基片的干燥过程。在化学物质处理过程中,化学物质供应单元设置有具有化学物质的喷嘴单元。通常,化学物质供应单元连接至循环管路,并且该循环管路设置有泵和加热器。有必要使罐中的化学物质满足设定条件,以便在需要时快速地将化学物质供应至喷嘴。因此,将安装在循环管路上的泵设定为允许每分钟的冲程较高,从而消耗大量的能量。
技术实现思路
本专利技术提供了一种能够根据工作条件对化学物质供应状态进行可变控制的基片处理设备。本专利技术还提供了一种能够减少能量的基片处理设备。本专利技术的效果不限于上面所描述的,并且本领域的普通技术人员从说明书和附图可以清楚地理解上面没有提到的效果。本专利技术的实施方式提供了一种基片处理设备,包括:壳体;支承单元,该支承单元位于壳体内并且支承基片;喷嘴单元,该喷嘴单元将化学物质供应至设置在支承单元上的基片;以及化学物质供应单元,该化学物质供应单元将化学物质供应至喷嘴单元。在本文中,化学物质供应单元包括:化学物质供应源;第一罐和第二罐,该第一罐和第二罐存储化学物质;化学物质供应管路,该化学物质供应管路将化学物质从化学物质供应源供应至第一罐和第二罐;化学物质排放管路,该化学物质排放管路将化学物质从第一罐和第二罐供应至喷嘴单元;循环管路,该循环管路允许化学物质分别循环通过第一罐和第二罐;安装在循环管路上的构件;和控制器,该控制器控制所述构件。控制器包括用于控制所述构件的第一模式和第二模式,以及在第二模式中的能量消耗量小于在第一模式中的能量消耗量。在一些实施方式中,控制器可以保持第一模式直至在第一罐和第二罐中的一个罐中的化学物质满足工艺条件,以及在满足工艺条件之后控制器可以将第一模式转换为第二模式并且保持第二模式。在其他实施方式中,控制器在初始阶段可保持第一模式以及在此之后控制器可以将第一模式转换为第二模式并且保持第二模式。在另一些实施方式中,构件可以包括泵,并且控制器可以控制在第二模式中的泵的每分钟冲程低于在第一模式中的泵的每分钟冲程。在另外一些实施方式中,构件可以包括加热器,并且控制器可以控制在第二模式中的加热器的温度低于在第一模式中的加热器的温度。在又一些实施方式中,构件可以包括泵和加热器,并且控制器可以控制在第二模式中的泵的每分钟冲程和加热器的温度低于在第一模式中的泵的每分钟冲程和加热器的温度。在另外的实施方式中,循环管路可以包括:第一管路,该第一管路连接至第一罐的底部;第二管路,该第二管路连接至第二罐的底部;第三管路,该第三管路连接至第一罐的顶部;第四管路,该第四管路连接至第二罐的顶部;以及公共管路,该公共管路连接至所有第一管路、第二管路、第三管路和第四管路。在本文中,构件可以安装在公共管路上,并且第一罐中的化学物质可以循环通过第一管路、公共管路和第三管路并且第二罐中的化学物质可以循环通过第二管路、公共管路和第四管路。在本专利技术的其他实施方式中,将待供应的化学物质供应至基片的化学物质供应单元包括:化学物质供应源;罐,该罐存储化学物质;化学物质供应管路,该化学物质供应管路将化学物质从化学物质供应源供应至罐;化学物质排放管路,该化学物质排放管路将化学物质从罐供应至喷嘴单元;循环管路,该循环管路允许化学物质循环通过罐;安装在循环管路上的构件;以及控制器,该控制器控制所述构件。在本文中,控制器可以包括:用于控制所述构件的第一模式和第二模式,以及在第二模式中的能量消耗量小于在第一模式中的能量消耗量。在一些实施方式中,控制器可以保持第一模式直至第一罐和第二罐中的一个罐中的化学物质满足工艺条件,并且在满足工艺条件之后控制器可以将第一模式转换为第二模式并且保持第二模式。在其他实施方式中,控制器可以在初始阶段保持第一模式以及在此之后控制器可以将第一模式转换为第二模式并且保持第二模式。在另一些实施方式中,构件可以包括泵,以及控制器可以控制在第二模式中的泵的每分钟冲程低于在第一模式中的泵的每分钟冲程。在另外一些实施方式中,构件可以包括加热器,以及控制器可以控制在第二模式中的加热器的温度低于在第一模式中的加热器的温度。在又一些实施方式中,构件可以包括泵和加热器,以及控制器可以控制在第二模式中的泵的每分钟冲程和加热器的温度低于在第一模式中的泵的每分钟冲程和加热器的温度。在另外的实施方式中,罐可以包括第一罐和第二罐,以及化学物质供应源可以包括供应第一化学物质的第一化学物质供应源和供应第二化学物质的第二化学物质供应源。在本专利技术的另一些实施方式中,提供了一种处理基片的方法,其中对供应至罐中的化学物质进行控制以使其循环通过连接至罐的循环管路,同时在第一模式中进行控制直至满足工艺条件,以及在满足工艺条件之后在不同于第一模式的第二模式下进行控制。在一些实施方式中,在第二模式中的能量消耗量小于在第一模式中的能量消耗量。在其他实施方式中,循环管路可以安装有用于控制化学物质的温度的加热器,以及可以控制在第二模式中的温度低于在第一模式中的温度。在另一些实施方式中,循环管路可以安装有用于控制化学物质的流量的泵,以及控制在第二模式中的泵的每分钟冲程低于在第一模式中的泵的每分钟冲程。在又一些实施方式中,循环管路可以安装有用于控制化学物质的流量的泵和用于控制化学物质的温度的加热器,以及在第二模式中的泵的每分钟冲程以及温度被控制为低于在第一模式中的泵的每分钟冲程以及温度。附图说明附图被包括(其中)以提供对本专利技术的进一步的理解,并且附图并入本说明书中且构成本说明书的一部分。附图结合描述示出了本专利技术的示例性实施方式并且用来说明本专利技术的原理。在图中:图1是示意性地示出了根据本专利技术实施方式的设置有基片处理设备的基片处理系统的正视图;图2是图1的基片处理设备的截面图;图3是根据本专利技术实施方式的化学物质供应单元的视图;图4是示出了通过图3的循环管路的化学物质的循环的视图;图5是控制图3的构件的控制器的视图;图6是示出了在供应模式下泵的功率消耗量的视图;图7是示出了在供应模式下的每分钟冲程的视图;图8是示出了在供应模式下的加热器的温度的视图;图9和图10是对构件进行控制的控制器的视图;图11是示出了根据本专利技术另一实施方式的化学物质供应单元的视图;图12是示出了根据本专利技术再一个实施方式的化学物质供应单元的视图;以及图13至图18是顺序地示出了通过使用图3的化学物质供应单元来处理晶片的方法的视图。具体实施方式在下文中,将参照附图对本专利技术的实施方式进行更详细地描述。本专利技术的实施方式可以修改成各种形式,并且本专利技术的范围不限于下列实施方式。提供实施方式是为了向本领域的普通技术人员更好地解释本发本文档来自技高网...
化学物质供应单元、基片处理设备及使用该基片处理设备处理基片的方法

【技术保护点】
一种基片处理设备,包括:壳体;支承单元,所述支承单元位于所述壳体内并且支承基片;喷嘴单元,所述喷嘴单元将化学物质供应至设置在所述支承单元上的所述基片;以及化学物质供应单元,所述化学物质供应单元将所述化学物质供应至所述喷嘴单元,其中,所述化学物质供应单元包括:化学物质供应源;第一罐和第二罐,所述第一罐和所述第二罐存储所述化学物质;化学物质供应管路,所述化学物质供应管路将所述化学物质从所述化学物质供应源供应至所述第一罐和所述第二罐;化学物质排放管路,所述化学物质排放管路将所述化学物质从所述第一罐和所述第二罐供应至所述喷嘴单元;循环管路,所述循环管路允许所述化学物质分别循环通过所述第一罐和所述第二罐;安装在所述循环管路上的构件;和控制器,所述控制器控制所述构件,其中,所述控制器包括用于控制所述构件的第一模式和第二模式,并且其中,在所述第二模式中的能量消耗量小于在所述第一模式中的能量消耗量。

【技术特征摘要】
2013.03.29 KR 10-2013-0034692;2013.06.21 KR 10-2011.一种基片处理设备,包括:壳体;支承单元,所述支承单元位于所述壳体内并且支承基片;喷嘴单元,所述喷嘴单元将化学物质供应至设置在所述支承单元上的所述基片;以及化学物质供应单元,所述化学物质供应单元将所述化学物质供应至所述喷嘴单元,其中,所述化学物质供应单元包括:化学物质供应源;第一罐和第二罐,所述第一罐和所述第二罐存储所述化学物质;化学物质供应管路,所述化学物质供应管路将所述化学物质从所述化学物质供应源供应至所述第一罐和所述第二罐;化学物质排放管路,所述化学物质排放管路将所述化学物质从所述第一罐和所述第二罐供应至所述喷嘴单元;循环管路,所述循环管路允许所述化学物质分别循环通过所述第一罐和所述第二罐;安装在所述循环管路上的构件,所述构件包括泵和/或加热器;和控制器,所述控制器控制所述构件,其中,所述控制器包括用于控制所述构件的第一模式和第二模式,并且其中,在所述第二模式中的能量消耗量小于在所述第一模式中的能量消耗量。2.根据权利要求1所述的设备,其中,所述控制器保持所述第一模式直至在所述第一罐和所述第二罐中的一个罐中的所述化学物质满足工艺条件,以及在满足所述工艺条件之后所述控制器将所述第一模式转换为所述第二模式并且保持所述第二模式。3.根据权利要求1所述的设备,其中,所述控制器在初始阶段保持所述第一模式以及在此之后所述控制器将所述第一模式转换为所述第二模式并且保持所述第二模式。4.根据权利要求1所述的设备,其中,当所述构件包括泵时,所述控制器控制在所述第二模式中的所述泵的每分钟冲程低于在所述第一模式中的所述泵的每分钟冲程。5.根据权利要求1所述的设备,其中,当所述构件包括加热器时,所述控制器控制在所述第二模式中的所述加热器的温度低于在所述第一模式中的所述加热器的温度。6.根据权利要求1所述的设备,其中,当所述构件包括泵和加热器时,所述控制器控制在所述第二模式中的所述泵的每分钟冲程和所述加热器的温度低于在所述第一模式中的所述泵的每分钟冲程和所述加热器的温度。7.根据权利要求1所述的设备,其中,所述循环管路包括:第一管路,所述第一管路连接至所述第一罐的底部;第二管路,所述第二管路连接至所述第二罐的底部;第三管路,所述第三管路连接至所述第一罐的顶部;第四管路,所述第四管路连接至所述第二罐的顶部;以及公共管路,所述公共管路连接至所有所述第一管路、所述第二管路、所述第三管路和所述第四管路,其中,所述构件安装在所述公共管路上,并且其中,所述第一罐中的所述化学物质循环通过所述第一管路、所述公共管路和所述第三管路以及所述第二罐中的所述化学物质循环通过所述第二管路、所述公共管路和所述第四管路。8.一种将待供应的化学物质供应至基片的化学物质供应单元,所述化学物质供应单元包括:化学物质供应源;罐,所述罐存储所述化学物质;化学物质供应管路,所述...

【专利技术属性】
技术研发人员:尹泰锡金秉彦曹昌律
申请(专利权)人:细美事有限公司
类型:发明
国别省市:韩国;KR

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