熔丝单元电路制造技术

本发明专利技术公开了一种熔丝单元电路。该熔丝单元电路包括：多晶硅熔丝；电流可控单元，通过采用电流可控单元与多晶硅熔丝相连接，多晶硅熔丝通过电流可控单元与电源形成电流通路；开关电路与电流可控单元相连接，用于通过控制电流可控单元控制流经多晶硅熔丝的电流值。通过本发明专利技术，解决了现有技术中芯片工艺发生变化时容易造成熔丝烧不断或者过烧的问题，避免由于芯片工艺发生变化时出现熔丝烧不断或者过烧的情况。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及芯片领域，具体而言，涉及一种熔丝单元电路。
技术介绍
在集成芯片领域，熔丝(eFuse)越来越多的被广泛使用，而eFuse的功能也已经不仅是做单元的修复，也可以做可编程阵列，而且被大量使用。eFuse的单元结构主要通过熔丝被熔断与否来存储信息，多晶硅熔丝在熔断前电阻很小，在持续的大电流熔断后电阻成倍的增加，并且熔丝断裂的状态将永久的保持。一根熔丝可以对应二进制中的“0”或“1”的值。但是对于熔断模式熔丝单元(rupture mode eFuse element)来说，熔丝可完全烧断的电流范围比较小。电流的变化会导致eFuse过烧或者是烧不断。目前，在芯片制造过程中，如果工艺发生变化，器件电流变大或者变小的情况下，就会造成熔丝烧不断或者过烧。针对现有技术中芯片工艺发生变化时容易造成熔丝烧不断或者过烧的问题，目前尚未提出有效的解决方案。
技术实现思路
本专利技术的主要目的在于提供一种熔丝单元电路，以解决现有技术中芯片工艺发生变化时容易造成熔丝烧不断或者过烧的问题。为了实现上述目的，根据本专利技术实施例的一个方面，提供了一种熔丝单元电路。根据本专利技术的熔丝单元电路包括：多晶硅熔丝；电流可控单元，与所述多晶硅熔丝相连接，所述多晶硅熔丝通过所述电流可控单元与电源形成电流通路；开关电路，与所述电流可控单元相连接，用于通过控制所述电流可控单元控制流经所述多晶硅熔丝的电流值。进一步地，所述电流可控单元包括：多个场效应管，其中，所述多个场效应管并联后与所述多晶硅熔丝串联。进一步地，所述开关电路与所述多个场效应管中全部或者一部分场效应管的栅极相连接，所述开关电路用于控制所述多个场效应管的接通个数来控制流经所述多晶硅熔丝的电流值。进一步地，所述多个场效应管为多个N沟道结型场效应管。进一步地，所述多晶硅熔丝的第一端连接所述电源，所述多晶硅熔丝的第二端分别连接所述多个N沟道结型场效应管的漏极，所述多个N沟道结型场效应管形成并联，其中，所述多个N沟道结型场效应管的源极接地。进一步地，所述开关电路包括：高电平输入端，用于接收高电平信号；第一组开关，所述第一组开关包括多个开关，分别连接在所述多个N沟道结型场效应管中的全部或者一部分N沟道结型场效应管的栅极和所述高电平输入端之间，用于控制所述多个N沟道结型场效应管中的全部或者一部分N沟道结型场效应管的栅极的门电压。进一步地，所述开关电路还包括：第二组开关，所述第二组开关包括多个开关，分别连接在所述多个N沟道结型场效应管中的全部或者一部分N沟道结型场效应管的栅极和接地端之间。进一步地，所述多个场效应管为多个P沟道结型场效应管。进一步地，所述熔丝单元电路还包括：读操作晶体管，用于读取数据。根据专利技术实施例，通过采用电流可控单元与多晶硅熔丝相连接，多晶硅熔丝通过电流可控单元与电源形成电流通路；开关电路与电流可控单元相连接，用于通过控制电流可控单元控制流经多晶硅熔丝的电流值，解决了现有技术中芯片工艺发生变化时容易造成熔丝烧不断或者过烧的问题，避免由于芯片工艺发生变化时出现熔丝烧不断或者过烧的情况。附图说明构成本申请的一部分的附图用来提供对本专利技术的进一步理解，本专利技术的示意性实施例及其说明用于解释本专利技术，并不构成对本专利技术的不当限定。在附图中：图1是根据本专利技术实施例的熔丝单元电路的示意图；以及图2是根据本专利技术实施例的优选的熔丝单元电路的示意图。具体实施方式需要说明的是，在不冲突的情况下，本申请中的实施例及实施例中的特征可以相互组合。下面将参考附图并结合实施例来详细说明本专利技术。为了使本
的人员更好地理解本专利技术方案，下面将结合本专利技术实施例中的附图，对本专利技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例
仅仅是本专利技术一部分的实施例，而不是全部的实施例。基于本专利技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都应当属于本专利技术保护的范围。需要说明的是，本专利技术的说明书和权利要求书及上述附图中的术语“第一”、“第二”等是用于区别类似的对象，而不必用于描述特定的顺序或先后次序。应该理解这样使用的数据在适当情况下可以互换，以便这里描述的本专利技术的实施例。此外，术语“包括”和“具有”以及他们的任何变形，意图在于覆盖不排他的包含，例如，包含了一系列步骤或单元的过程、方法、系统、产品或设备不必限于清楚地列出的那些步骤或单元，而是可包括没有清楚地列出的或对于这些过程、方法、产品或设备固有的其它步骤或单元。本专利技术实施例提供了一种熔丝单元电路。图1是根据本专利技术实施例的熔丝单元电路的示意图。如图1所示，该熔丝单元电路包括：多晶硅熔丝E、电流可控单元10。电流可控单元10与多晶硅熔丝E相连接，多晶硅熔丝E通过电流可控单元10与电源V形成电流通路；开关电路20与电流可控单元10相连接，用于通过控制电流可控单元10控制流经多晶硅熔丝E的电流值。本专利技术实施例中，流经电流可控单元10的总电流可以通过开关电路20进行控制，由于电流可控单元10与多晶硅熔丝E串联，也即是由开关电路20可以控制流经多晶硅熔丝E的电流。这样，通过设置电流可控单元10，并增加开关电路20来控制流经多晶硅熔丝E的电流值，使得流经多晶硅熔丝E的电流可以根据工艺的变化进行调节，解决了现有技术中芯片工艺发生变化时容易造成熔丝烧不断或者过烧的问题，避免由于芯片工艺发生变化时出现熔丝烧不断或者过烧的情况。优选地，电流可控单元包括：多个场效应管，其中，多个场效应管并联后与多晶硅熔丝串联。场效应管并联是指场效应管的源漏极之间形成并联，例如，场效应管的源极与源极相连接，漏极与漏极相连接。多个场效应管并联是指多个场效应管按照上述方式相互并联，再与多晶硅熔丝串联。进一步地，开关电路与多个场效应管中全部或者一部分场效应管的栅极相连接，开关电路用于控制多个场效应管的接通个数来控制流经多晶硅熔丝的电流值。开关电路可以用于控制上述多个场效应管中的一部分场效应管，或者控制上述多个场效应管中的所有场效应管，具体地，可以是控制上述多个场效应管中一部分或者
全部场效应管的栅极电压，通过控制栅极电压来调节导通的场效应管，从而调节流经多晶硅熔丝的电流。进一步地，多个场效应管为多个N沟道结型场效应管(NMOS管)，或者多个场效应管为多个P沟道结型场效应管(PMOS管)。以场效应管为NMOS管为例，如图2所示，多晶硅熔丝E的第一端连接电源V，多晶硅熔丝E的第二端分别连接多个N沟道结型场效应管(包括M0、M1和M2)的漏极，多个N沟道结型场效应管形成并联，其中，多个N沟道结型场效应管的源极接地GND。进一步地，开关电路包括：高电平输入端，用于接收高电平信号；第一组开关，第一组开关包括多个开关，分别连接在多个N沟道结型场效应管中的全部或者一部分N沟道结型场效应管的栅极和高电平输入端之间，用于控制多个N沟道结型场效应管中的全部或者一部分N沟道结型场效应管的栅极的门电压。具体地，如图2所示，第一组开关的开关a1连接在高电平输入端VP和NMOS管M1的栅极之间，开关a2连接在高电平输入端VP和NMOS管M2的栅极之间，这样，当需要接通NMOS管M1时，则可以闭合开关a1，使得NMOS管M1的栅极为高电平，NMOS管M1的漏极与源极之间接通，N本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种熔丝单元电路，其特征在于，包括：多晶硅熔丝；电流可控单元，与所述多晶硅熔丝相连接，所述多晶硅熔丝通过所述电流可控单元与电源形成电流通路；开关电路，与所述电流可控单元相连接，用于通过控制所述电流可控单元控制流经所述多晶硅熔丝的电流值。

【技术特征摘要】
1.一种熔丝单元电路，其特征在于，包括：多晶硅熔丝；电流可控单元，与所述多晶硅熔丝相连接，所述多晶硅熔丝通过所述电流可控单元与电源形成电流通路；开关电路，与所述电流可控单元相连接，用于通过控制所述电流可控单元控制流经所述多晶硅熔丝的电流值。2.根据权利要求1所述的熔丝单元电路，其特征在于，所述电流可控单元包括：多个场效应管，其中，所述多个场效应管并联后与所述多晶硅熔丝串联。3.根据权利要求2所述的熔丝单元电路，其特征在于，所述开关电路与所述多个场效应管中全部或者一部分场效应管的栅极相连接，所述开关电路用于控制所述多个场效应管的接通个数来控制流经所述多晶硅熔丝的电流值。4.根据权利要求2所述的熔丝单元电路，其特征在于，所述多个场效应管为多个N沟道结型场效应管。5.根据权利要求4所述的熔丝单元电路，其特征在于，所述多晶硅熔丝的第一端连接所述电源，所述多晶硅熔丝的第二端分别连接所述多个N沟道结型场效应管的...

【专利技术属性】
技术研发人员：王艳琴，张京晶，王奇峰，唐华，
申请(专利权)人：中芯国际集成电路制造上海有限公司，
类型：发明
国别省市：上海;31