本发明专利技术涉及一种在利用等离子体的基板处理工序中能够调节基板的各区域温度的支撑单元及包括该单元的基板处理装置。根据本发明专利技术的一实施例的支撑单元支撑基板，并且具备在上表面形成有根据突出部而互相分离的多个槽的主体和形成在上述主体内并向各个上述槽供给气体的气体供给线，上述多个槽中一部分的深度互相不同。
【技术实现步骤摘要】
支撑单元及包括该单元的基板处理装置
本专利技术涉及基板处理装置，详细地涉及利用等离子体的基板处理装置。
技术介绍
为了制造半导体元件而对基板实施光刻、蚀刻、灰化、注入离子、沉积薄膜以及清洗等多种工序，从而在基板上形成所需的图案。其中，蚀刻工序是去除形成在基板上的膜中被选择的区域的工序，其使用湿式蚀刻和干式蚀刻。 其中，利用等离子体的蚀刻装置用于干式蚀刻。通常，为了形成等离子体而在腔体的内部空间中形成电磁场，电磁场使向腔体内提供的处理气体激发为等离子体状态。 等离子体是指由离子或电子、自由基等构成的被离子化的气体状态。等离子体根据非常高的温度、强电场或高频电磁场(RF Electromagnetic Fields)而生成。在半导体元件制造工序中使用等离子体来实施蚀刻工序。蚀刻工序是通过等离子体所包含的离子粒子撞击基板而实施的。 在利用等离子体的基板处理工序中，基板被支撑单元的上表面支撑。为了在基板处理工序中调节温度，基板与支撑单元相互发生热移动，从而基板的温度得以调节。在支撑单元的上表面形成有一个或多个槽。向支撑单元上表面的槽提供热传递气体。在基板，热通过向支撑单元与基板接触的部分和支撑单元上表面的槽提供的热传递气体而移动，从而温度得以调节。
技术实现思路
本专利技术的一目的在于，提供一种在利用等离子体的基板处理工序中能够调节基板的各区域温度的支撑单元及包括该单元的基板处理装置。 本专利技术所要解决的技术问题并不限于上述的问题，所属
的技术人员能够根据本说明书和附图明确地理解未在上面说明的技术问题。 本专利技术提供基板处理装置。 根据本专利技术的一实施例的基板处理装置包括:在内部具有处理空间的腔体；位于上述腔体内并且支撑基板的支撑单元；向上述处理空间供给处理气体的气体供给单元；以及根据上述处理气体产生等离子体的等离子体源，在上述支撑单元的上表面形成有环状的突起，并且上述支撑单元包括:位于上述突起内侧的内侧槽；位于上述突起外侧的外侧槽；以及向上述内侧槽和上述外侧槽提供热传递气体的热传递气体供给线，上述内侧槽与上述外侧槽的深度互相不同。 上述内侧槽位于中心区域并形成为圆形形状，上述外侧槽能够形成为环形的圈(ring)形状。 上述内侧槽和上述外侧槽能够在其内部分别包括多个突出部。 上述突起的上端和上述突出部的上端能够形成在同一高度。 在上方观察时，上述内侧槽的面积能够比上述外侧槽的面积宽。 上述外侧槽的深度能够比上述内侧槽的深度深。 上述外侧槽的体积能够比上述内侧槽的体积大。 上述外侧槽的体积能够与上述内侧槽的体积相同。 上述热传递气体供给线能够包括与上述内侧槽连接的第I热传递气体供给线和与上述外侧槽连接的第2热传递气体供给线。 上述支撑单元能够包括静电夹头。 上述热传递气体能够包括氦。 根据本专利技术的另一实施例的基板处理装置包括:在内部具有处理空间的腔体；位于上述腔体内并且支撑基板的支撑单元；向上述处理空间供给处理气体的气体供给单元；以及根据上述处理气体产生等离子体的等离子体源，在上述支撑单元的上表面形成有被供给热传递气体的互相分割的多个槽，并且上述支撑单元包括与上述槽连接并向上述槽供给热传递气体的热传递气体供给线，上述多个槽中的一部分槽的深度不同。 [0021 ] 上述多个槽能够在其内部分别包括多个突出部。 上述多个槽中的一部分槽的体积能够互相不同。 在上方观察时，上述多个槽中的一部分槽的面积能够不同。 上述热传递气体供给线与上述多个槽的数量相同，上述热传递气体供给线能够分别与上述多个槽连接。 此外，本专利技术提供支撑单元。 根据本专利技术的一实施例的支撑单元是在实施基板处理工序的腔体内部支撑基板的支撑单元，在上述支撑单元，在其上表面形成有圈形状的突起，并且包括位于上述突起内侧的内侧槽和位于上述突起外侧的外侧槽以及向上述内侧槽与上述外侧槽提供热传递气体的热传递气体供给线，上述内侧槽与上述外侧槽的深度互相不同。 上述内侧槽位于中心区域并形成为圆形形状，上述外侧槽能够形成为环形的圈形状。 上述内侧槽和上述外侧槽能够在其内部分别包括多个突出部。 上述突起的上端和上述突出部的上端能够形成在相同的高度。 在上方观察时，上述内侧槽的面积能够比上述外侧槽的面积宽。 [0031 ] 上述外侧槽的深度能够比上述内侧槽的深度深。 上述外侧槽的第2体积能够比上述内侧槽的第I体积大。 上述外侧槽的第2体积能够与上述内侧槽的第I体积相同。 上述热传递气体供给线能够包括与上述内侧槽连接的第I热传递气体供给线和与上述外侧槽连接的第2热传递气体供给线。 上述支撑单元能够包括静电夹头。 根据本专利技术的一实施例，在利用等离子体的基板处理工序中，能够在基板的每个边缘调节温度。 本专利技术的效果并不限于上述的效果，本专利技术所属
的技术人员可根据本说明书及附图明确了解未作说明的效果。 【附图说明】 图1是表示根据本专利技术的一实施例的基板处理装置的截面图。 图2是表示图1的支撑单元的电介质板的一实施例的平面图。 图3是表示在图2的线X-X’处观察的支撑单元的电介质板的截面图。 图4是表示图2的支撑单元的电介质板的第I变形例的平面图。 图5是表示在图4的线Y-Y’处观察的支撑单元的电介质板的截面图。 图6是表示图2的支撑单元的电介质板的第2变形例的平面图。 图7是表示在图6的线处Z-Z’观察的支撑单元的电介质板的截面图。 图8是表示图2的支撑单元的电介质板的第3变形例的平面图。 【具体实施方式】 以下，参照附图进一步详细说明本专利技术的实施例。本专利技术的实施例能够以多种方式变形，并不能解释为本专利技术的范围限定在下述的实施例。本实施例是为了给所属
的技术人员完整地说明而提供的。从而，为了进一步明确的说明而夸张地示出了附图中的要素的形状。 图1是表示根据本专利技术的一实施例的基板处理装置的截面图。 如图1所示，基板处理装置10利用等离子体来处理基板W。例如，基板处理装置10能够利用等离子体对基板W实施蚀刻、清洗、灰化等工序。基板处理装置10包括:腔体100、支撑单元200、等离子体源300、气体供给单元400以及挡板单元500。 腔体100在内部提供实施基板处理工序的处理空间。腔体100具有内部的处理空间，并且形成为密封的形状。腔体100由金属材料形成。腔体100能够由铝材料形成。腔体100能够被接地。在腔体100的下表面形成有排气孔102。排气孔102与排气线151连接。在工序过程中产生的反应副产物以及驻留在壳体的内部空间的气体可通过排气线151向外部排出。根据排气过程，腔体100的内部减压至规定压力。 根据一个例子，在腔体100的内部能够形成有衬垫130。衬垫130具有上表面和下表面开放的圆筒形状。衬垫130能够被形成为与腔体100的内侧面接触。衬垫130保护腔体100的内侧壁，以防止腔体100的内侧壁因弧放电而遭到破损。此外，防止在基板处理工序中产生的杂质沉积在腔体100的内侧壁。可选地，还能够不形成衬垫130。 支撑单元200位于腔体100的内部。支撑单元200支撑基板W。支撑单元200能够包括利用静电力来吸附基板W的静电夹本文档来自技高网...
【技术保护点】
一种基板处理装置，其中，包括：腔体，其在内部具有处理空间；支撑单元，其位于上述腔体内并支撑基板；气体供给单元，其向上述处理空间供给处理气体；以及等离子体源，其根据上述处理气体产生等离子体，其中，上述支撑单元在其上表面形成有环状的突起，上述支撑单元包括:内侧槽，其位于上述突起的内侧；外侧槽，其位于上述突起的外侧；以及热传递气体供给线，其向上述内侧槽和上述外侧槽提供热传递气体，上述内侧槽和上述外侧槽的深度互相不同。
【技术特征摘要】
2013.03.29 KR 10-2013-0034703;2013.08.30 KR 10-2011.一种基板处理装置，其中，包括: 腔体，其在内部具有处理空间； 支撑单元，其位于上述腔体内并支撑基板； 气体供给单元，其向上述处理空间供给处理气体；以及 等离子体源，其根据上述处理气体产生等离子体， 其中， 上述支撑单元在其上表面形成有环状的突起， 上述支撑单元包括: 内侧槽，其位于上述突起的内侧； 外侧槽，其位于上述突起的外侧；以及 热传递气体供给线，其向上述内侧槽和上述外侧槽提供热传递气体， 上述内侧槽和上述外侧槽的深度互相不同。2.根据权利要求1所述的基板处理装置，其中， 上述内侧槽位于中心区 域并形成为圆形形状， 上述外侧槽形成为环形的圈形状。3.根据权利要求2所述的基板处理装置，其中， 上述内侧槽和上述外侧槽在其内部分别包括多个突出部。4.根据权利要求3所述的基板处理装置，其中， 上述突起的上端与上述突出部的上端形成在同一高度。5.根据权利要求3所述的基板处理装置，其中， 在上方观察时，上述内侧槽的面积比上述外侧槽的面积宽。6.根据权利要求3所述的基板处理装置，其中， 上述外侧槽的深度比上述内侧槽的深度深。7.根据权利要求3所述的基板处理装置，其中， 上述外侧槽的体积比上述内侧槽的体积大。8.根据权利要求3所述的基板处理装置，其中， 上述外侧槽的体积与上述内侧槽的体积相同。9.根据权利要求1至8中任意一项所述的基板处理装置，其中， 上述热传递气体供给线包括与上述内侧槽连接的第I热传递气体供给线和与上述外侧槽连接的第2热传递气体供给线。10.根据权利要求1至8中任意一项所述的基板处理装置，其中， 上述支撑单元包括静电夹头。11.根据权利要求1至8中任意一项所述的基板处理装置，其中， 上述热传递气体包括氦。12.一种支撑单元，其在实施基板处理工序的腔体内部支撑基板，其中， 在上述支撑单元的上表面形成有环状的突起， 上述支撑单元包括: 内侧槽，其位于上述突起的内侧； 外侧槽，其位于上述突起的外侧；以及...
【专利技术属性】
技术研发人员：李元行，
申请(专利权)人：细美事有限公司，
类型：发明
国别省市：韩国;KR
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