【技术实现步骤摘要】
一种高介电常数栅介质材料沟槽MOS肖特基二极管器件
本专利技术属于功率整流器件领域，具体的说是一种低功耗、超高速半导体整流器件， 广泛应用于开关电源、变频器、驱动器等电路，做高频、大电流整流二极管、续流二极管、保 护二极管使用，或在微波通信等电路中做整流二极管、小信号检波二极管。
技术介绍
随着社会的发展，人类对于能源的需求和消耗日益增加，降低能源消耗已经成为 了节能环保所必不可少的重要措施。目前，各种功率整流器件被广泛应用于人们的生活和 生产中，因此，功率整流器件在节能环保中扮演着重要的角色。 肖特基二极管由于其低的正向导通压降和快速的反向恢复时间，在功率整流器件 中得到了广泛的应用。但是，由于肖特基二极管中少数载流子的存储效应很小，所以其频率 响应仅为RC时间常数限制，因而，他是高频和快速开关的理想器件。在传统的平面硅肖特 基二极管中，由于其反向漏电主要来自于热电子发射，而不是P-η结一样来自于产生复合 电流。因此，在相同的面积和电压下，平面肖特基结二极管的反向漏电流比p-n结大很多。 另外，在高压器件中，由于寄生电阻的影响，平...
【技术保护点】
一种高介电常数栅介质材料沟槽MOS肖特基二极管器件，包括N+半导体衬底、N+半导体衬底上的N‑外延层、N‑外延层上加工的沟槽结构、N‑外延层上及沟槽内生长肖特基接触的阳极金属、N+衬底下面生长欧姆接触的阴极金属；其特征在于：所述沟槽侧壁氧化层包括上下两部分，上部采用高介电常数栅介质材料，下部使用二氧化硅；且所述的沟槽内壁生长高介电常数栅介质材料的高度占沟槽总高度的四分之三以内。
【技术特征摘要】
1. 一种高介电常数栅介质材料沟槽MOS肖特基二极管器件，包括N+半导体衬底、N+半 导体衬底上的N-外延层、N-外延层上加工的沟槽结构、N-外延层上及沟槽内生长肖特基接 触的阳极金属、N+衬底下面生长欧姆接触的阴极金属；其特征在于：所述沟槽侧壁氧化层 包括上下两部分，上部采用高介电常数栅介质材料，下部使用二氧化硅；且所述的沟槽内壁 生长高介电常数栅介质材料的高度占沟槽总高度的四分之三以内。2. 根据权利要求1所述的高介电常数栅介质材料沟槽M0S肖特基二极管器件，其特征 在于：所述沟槽内壁生长的二氧化硅和高介电常数栅介质材料厚度在〇. 1 μ m以上。3. 根据权利要求1所述的高介电常数栅介质材料沟槽MOS肖特基二极管器件，其特征 在于...
【专利技术属性】
技术研发人员：蔡银飞，翟东媛，赵毅，施毅，郑有炓，
申请(专利权)人：杭州启沛科技有限公司，
类型：发明
国别省市：浙江;33
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