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本发明提供一种高介电常数栅介质材料沟槽MOS肖特基二极管器件，包括N+半导体衬底、N+半导体衬底上的N-外延层、N-外延层上加工的沟槽结构、N-外延层上及沟槽内生长肖特基接触的阳极金属、N+衬底下面生长欧姆接触的阴极金属；所述沟槽侧壁氧化层...
该专利属于杭州启沛科技有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过杭州启沛科技有限公司授权不得商用。

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