一种提高低介电常数SiCOH介质薄膜机械强度的方法技术

一种提高低介电常数ＳｉＣＯＨ介质薄膜机械强度的方法。现有集成电路互连中低介电常数的ＳｉＣＯＨ介质薄膜具有较低的介电常数，但是其机械强度不够理想。本发明专利技术的方法采用紫外线对低介电常数的ＳｉＣＯＨ介质薄膜进行照射，照射时的温度为室温，照射时间大于５０小时，紫外线的波长为２５３７□，经过紫外线的照射，低介电常数ＳｉＣＯＨ介质薄膜的机械性能有非常明显的提高，电学性能依然保持不变。

Method for improving mechanical strength of low dielectric constant SiCOH dielectric film

Method for improving mechanical strength of low dielectric constant SiCOH dielectric film. SiCOH dielectric films with low dielectric constant in existing integrated circuit have low dielectric constant, but their mechanical strength is not ideal enough. The method of the invention adopts SiCOH film ultraviolet on low dielectric constant irradiation, irradiation time, irradiation at room temperature for 50 hours, the wavelength of ultraviolet light for 2537 -, after UV irradiation, the mechanical properties of low SiCOH dielectric films have obvious improvement, the electrical performance remains the same.

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种提高低介电常数掺碳氧化硅(SiCOH)介质薄膜的机械强度 的方法。
技术介绍
随着超大规模集成电路(ULSI)的发展，器件的特征尺寸不断縮小，互连电 容和电阻急速增加，从而限制了器件性能的提高，为了降低互连延迟，需要采 用低介电常数(介电常数)的材料来代替传统的Si02作为互连的介质材料。掺碳 的氧化硅薄膜(SiCOH)由于其易于制备，较低的介电常数值，以及良好的工艺 兼容性等特点成为90纳米及以下技术节点集成电路技术的互连介质的最佳选 择。然而，引入的-CH3基团降低了膜的密度，在减小介电常数的同时，也使得 绝缘膜的机械性能明显变差随着Si-CH3键的增加，密度减小，膜的杨氏模量 和硬度都迅速减小，使得介质薄膜在后续的工艺特别是平整化(CMP)工艺中都 遇到很大的问题。在这种情况下非常有必要采用一种提高低介电常数SiCOH介 质薄膜机械强度的方法，可以在原有工艺的基础上有效地改善SiCOH薄膜的性
技术实现思路
本专利技术的目的是提供一种提高低介电常数掺碳氧化硅(SiCOH)介质薄膜的 机械强度，并不改变低介电常数的SiCOH薄膜原有的性能特点的方法，该 SiCOH本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种提高低介电常数ＳｉＣＯＨ介质薄膜机械强度的方法，其特征是：利用紫外光对低介电常数ＳｉＣＯＨ介质薄膜进行一定时间的照射，提高薄膜的机械强度。

【技术特征摘要】
1. 一种提高低介电常数SiCOH介质薄膜机械强度的方法，其特征是利用紫外光对低介电常数SiCOH介质薄膜进行一定时间的照射，提高薄膜的机械强度。2. 根据权利要求l所述的方法，其特征是紫外线照射时的温度为室温。3. 根据权利要求1所述的方法，其特征是紫外线照射的时间大于50小时...

【专利技术属性】
技术研发人员：章蕾，
申请(专利权)人：章蕾，
类型：发明
国别省市：31[中国|上海]