【技术实现步骤摘要】
一种具有亚阈值电流补偿的电流模带隙基准电压源
本专利技术涉及带隙基准电压源，尤其涉及一种具有亚阈值电流补偿的电流模带隙基准电压源，属于集成电路
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技术介绍
带隙基准电压源在模拟集成电路或数模混合信号设计领域有着广泛的应用，如数模转换器(DAC)、模数转换器(ADC)、直流-直流电压变换器(DC-DC)、交流-直流电压变换器(AC-DC)、线性稳压器、开关稳压器、温度传感器、充电电池芯片电路等等，它为系统提供电压基准和电流基准，对系统性能起着至关重要的作用。集成电路的不断发展，尤其是低压应用例如PDAs、照相机、笔记本等的需求不断增大，使得对于基准电压的精度及稳定性的要求也越来越高。传统的电压模带隙基准电压源的结构如图1所示，它利用具有负温度系数的三极管Q6发射结电压Vbe(非线性)和具有正温度系数的三极管Q4和Q5发射结电压之差AVbe(线性)进行线性叠加，从而得到一阶补偿的基准电压。三极管发射结电压Vbe的表达式为:
【技术保护点】
一种具有亚阈值电流补偿的电流模带隙基准电压源，电流模带隙基准电压源设有带隙基准核心电路，包括运算放大器、PMOS管MP1、PMOS管MP2、PMOS管MP3、PNP管Q1、PNP管Q2、电阻R1、电阻R2、电阻R3、电阻R4，运算放大器的同相输入端与PMOS管MP2的漏极、电阻R2的一端以及电阻R3的一端连接在一起，电阻R2的另一端接地，电阻R3的另一端连接PNP管Q2的发射极，PNP管Q2的基极和集电极均接地，运算放大器的反向输入端与PMOS管MP1的漏极、电阻R2的一端以及PNP管Q1的发射极连接在一起，电阻R2的另一端以及PNP管Q1的基极和集电极均接地，PMOS管MP1的栅极与PMOS管MP2的栅极及PMOS管MP3的栅极互连并连接运算放大器的输出端，PMOS管MP1的源极以及PMOS管MP2的源极和PMOS管MP3的源极均连接电源VDD，PMOS管MP3漏极连接电阻R4的一端，电阻R4的另一端接地；其特征在于：增设第一、第二两个MOS管亚阈值电流补偿电路，对电流模带隙基准电流进行补偿，通过MOS管近似指数变化关系的亚阈值电流温度特性，补偿基准电流的二次变化关系，实现低温度系数...
【技术特征摘要】
1.一种具有亚阈值电流补偿的电流模带隙基准电压源，电流模带隙基准电压源设有带隙基准核心电路，包括运算放大器、PMOS管MPUPM0S管MP2、PM0S管MP3、PNP管Q1、PNP管Q2、电阻R1、电阻R2、电阻R3、电阻R4，运算放大器的同相输入端与PMOS管MP2的漏极、电阻R2的一端以及电阻R3的一端连接在一起，电阻R2的另一端接地，电阻R3的另一端连接PNP管Q2的发射极，PNP管Q2的基极和集电极均接地，运算放大器的反向输入端与PMOS管MPl的漏极、电阻R2的一端以及PNP管Ql的发射极连接在一起，电阻R2的另一端以及PNP管Ql的基极和集电极均接地，PMOS管MPl的栅极与PMOS管MP2的栅极及PMOS管MP3的栅极互连并连接运算放大器的输出端，PMOS管MPl的源极以及PMOS管MP2的源极和PMOS管MP3的源极均连接电源VDD，PMOS管MP3漏极连接电阻R4的一端，电阻R4的另一端接地； 其特征在于:增设第一、第二两个MOS管亚阈值电流补偿电路，对电流模带隙基准电流进行补偿，通过MOS管近似指数变化关系的亚阈值电流温度特性，补偿基准电流的二次变化关系，实现低温度系数的带隙基准电压； 第一 MOS管亚阈值电流补偿电路包括NMOS管MN1、NMOS管MN2、PMOS管MP4、电阻R5、电阻R6，NMOS管丽I的漏极连接带隙基准核心电路中PMOS管MP2的漏极，NMOS管丽2的漏极连接带隙基...
【专利技术属性】
技术研发人员：孙伟锋，黄泽祥，张允武，祝靖，陆生礼，时龙兴，
申请(专利权)人：东南大学，
类型：发明
国别省市：江苏;32
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