半导体集成电路装置制造方法及图纸

提供一种熔断器电路和半导体集成电路装置，该熔断器电路用简洁的电路结构将面积和成本抑制到最低限度。将形状大致相同而方块电阻不同的第一熔断器和第二熔断器串联连接在不同电位的端子之间来构成熔断器电路，在不切断熔断器的状态下，将输出端子的电位固定于任意一个端子的电位。

【技术实现步骤摘要】
熔断器电路和半导体集成电路装置
本专利技术涉及由能够用激光等切断的熔断器构成的熔断器电路和具有该熔断器电路的半导体集成电路装置。
技术介绍
能够用激光切断的熔断器电路被广泛用于半导体集成电路装置的特性调整和功能切换。例如，在带隙基准电压产生电路中，为了对由于制造上的偏差而产生的基准电压的温度特性进行校正，得到高精度的基准电压，要用激光切断熔断器，使与电阻连接的开关接通或断开来调整电阻值。图7是现有的熔断器电路的电路图。现有的熔断器电路是将电阻R1、熔断器H1、熔断器H2、电阻R2串联连接在电源端子之间而构成的。熔断器电路的端子A与开关电路连接，该开关电路例如是与带隙基准电压产生电路内的电阻中的一个电阻并列或者串联连接而成的。进而，通过使端子A成为高电平或低电平来接通或断开开关电路，调整带隙基准电压产生电路内的电阻的电阻值，从而调整基准电压的温度特性。端子A的电平根据用激光切断熔断器Hl还是熔断器H2而决定。在调整前的阶段，即在任何熔断器均未切断的状态下测定出基准电压后，决定切断哪个熔断器。通常，由于熔断器使用导电率高的材料，因此，考虑芯片上的面积，出于限制在未切断熔断器的状态下流过电源端子之间的电流的目的，连接有电阻Rl和电阻R2。如上所述，通过在半导体集成电路装置搭载能够用激光切断的熔断器电路，例如在带隙基准电压产生电路中，实现了高精度这样的附加价值。专利文献1:日本特开2010-177612号公报但是，近年来，在半导体集成电路装置中，对高精度和高性能的要求正在加强，并且，对降低成本的要求极高。在半导体集成电路装置中，由于芯片尺寸影响到成本，因此要求尽可能减小芯片尺寸。S卩，强烈要求电路尽可能简化结构。在这样的状况下，在上述现有的熔断器电路中，存在随着调整部位的增加而芯片尺寸增大、成本上升这样的问题。
技术实现思路
本专利技术正是鉴于这一点而完成的，其目的在于提供一种低成本的半导体集成电路装置，其用极其简洁的电路结构构成熔断器电路。为了解决现有这样的问题，本实施方式的熔断器电路是将形状大致相同而方块电阻不同的第一熔断器和第二熔断器串联连接在不同电位的端子之间而构成的，在不切断熔断器的状态下，将输出端子的电位固定于任意一个端子的电位。根据本专利技术的半导体集成电路装置，在半导体基板上集成由方块电阻不同的电阻构成的熔断器，由此，能够以极其简洁的电路结构构成熔断器电路。因此，能够实现面积小且成本低的半导体集成电路装置。【附图说明】图1是本实施方式的熔断器电路的电路图。图2是示出具有本实施方式的熔断器电路的半导体集成电路装置的一例的电路图。图3是示出具有本实施方式的熔断器电路的半导体集成电路装置的另一例的电路图。图4是示出具有本实施方式的熔断器电路的半导体集成电路装置的另一例的电路图。图5是示出图4的半导体集成电路装置的动作的表。图6是示出图4的检测电路的一例的电路图。图7是现有的半导体集成电路装置的熔断器电路的电路图。标号说明I熔断器电路；2开关电路；4检测电路；4a霍尔元件；4b放大电路；4c比较电路；4d基准电压电路。【具体实施方式】具有本专利技术的熔断器电路的半导体集成电路装置被广泛应用于在集成在半导体基板上的电子电路中，例如基准电压产生电路或传感器电路等要求高精度和高性能的产品。以下，参照附图，对本实施方式进行说明。图1是本实施方式的熔断器电路的电路图。熔断器电路I由熔断器Fl和熔断器F2构成。熔断器Fl和熔断器F2分别具有2个连接端子，各熔断器的一个连接端子公共连接。其连接点是熔断器电路I的输出端子NI。各熔断器的另一个连接端子分别与不同电位的布线连接。为了进行说明，将该不同电位设为电位VSS和电位比电位VSS高的电位VDD。此外，设熔断器Fl的电阻值为Rfl，设熔断器F2的电阻值为Rf2，设输出端子NI的电位为VI。在此，设构成熔断器Fl的电阻体的方块电阻大于构成熔断器F2的电阻体的方块电阻，熔断器Fl和熔断器F2的布局形状为大致相同的形状。本实施方式的熔断器电路I如上述那样构成，如下进行动作。在没有切断熔断器Fl和熔断器F2的状态下，输出端子NI的电位Vl和从VDD经由熔断器Fl和熔断器F2流向VSS的电流IF由下式表示。Vl - VSS = Rf2(Rfl + Rf2) X (VDD — VSS)...(I)IF = (VDD — VSS) + (Rfl + Rf2)...(2)电阻体的电阻值根据方块电阻和电阻的宽度W、长度L求出。由于熔断器Fl和熔断器F2为大致相同的布局形状，因此宽度W和长度L大致相同，构成熔断器Fl的电阻体的方块电阻大于构成熔断器F2的电阻体的方块电阻。S卩，电阻值Rfl大于电阻值Rf2。因此，在任何熔断器均未切断的状态下，输出端子NI的电位Vl相对于VDD和VSS的中点电位，成为与VSS接近的电位。在切断了熔断器Fl和熔断器F2中的任意一个的状态下，输出端子NI的电位Vl成为与VSS或VDD大致相等的电位，从VDD经由熔断器Fl和熔断器F2流向VSS的电流IF几乎等于零。图2是示出具有本实施方式的熔断器电路的半导体集成电路装置的一例的电路图。图2所示的半导体集成电路装置是将开关电路2连接于熔断器电路I的输出端子NI而构成的。开关电路2根据端子N21的电位，控制端子N22与端子N23之间的接通或断开。开关电路2的端子N21与熔断器电路I的输出端子NI连接，端子N22和端子23与根据开关的接通或断开而进行调整或切换的元件(未图示)连接。作为该元件，例如可举出集成在半导体基板上的电阻或晶体管、电容。图2所示的半导体集成电路装置如上述那样构成，如下进行动作。在熔断器Fl和熔断器F2中的任何熔断器均未切断的状态下，输出端子NI的电位Vl成为与VDD和VSS的中点电位相比更接近VSS的电位。开关电路2构成为在端子N21的电位是与中点电位相比更接近VDD的电位时接通，在端子N21的电位是与中点电位相比更接近VSS的电位时断开。在任何熔断器均未切断的状态下，电位Vl是与VDD和VSS的中点电位相比更接近VSS的电位，因此开关电路2必定断开。在该状态下测定半导体集成电路装置的特性，为了成为更合适的特性，选择使开关电路2接通或断开。在使开关电路2接通的情况下，用激光切断熔断器F2，在使开关电路2断开的情况下，用激光切断熔断器Fl即可。图3是示出具有本实施方式的熔断器电路的半导体集成电路装置的另一例的电路图。图3所示的半导体集成电路装置是将作为逻辑电路的非电路3连接于熔断器电路I的输出端子NI而构成的。非电路3的输入端子与熔断器电路I的输出端子NI连接，电源由VDD和VSS提供(未图示)。此外，虽然没有图示，但是非电路3的输出端子N3可以与图2所示的开关的控制端子连接，也可以与对半导体集成电路装置的功能进行切换的逻辑电路块的输入端连接。图3所示的半导体集成电路装置如上述那样构成，如下进行动作。在熔断器Fl和熔断器F2中的任何熔断器均未切断的状态下，输出端子NI的电位Vl成为与VDD和VSS的中点电位相比更接近VSS的电位。因此，非电路3的输出端子N3的电位是VDD。在该状态下测定半导体集成电路装置的特性，为了成为更合适的特性，选择将非电路3的输出端子N3的电位设为VDD或VSS。在本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种熔断器电路，其特征在于，该熔断器电路具有串联连接在不同电位的端子之间的第一熔断器和第二熔断器，所述第一熔断器和所述第二熔断器是方块电阻不同的电阻体，且呈大致相同的布局形状。

【技术特征摘要】
2013.02.26 JP 2013-0362121.一种熔断器电路，其特征在于， 该熔断器电路具有串联连接在不同电位的端子之间的第一熔断器和第二熔断器， 所述第一熔断器和所述第二熔断器是方块电阻不同的电阻体，且呈大致相同的布局形状。2.根...

【专利技术属性】
技术研发人员：有山稔，
申请(专利权)人：精工电子有限公司，
类型：发明
国别省市：日本;JP