用于ESD保护的垂直切换的构造制造技术

公开了用于ESD保护的垂直切换的构造。此处所公开的实施例一般涉及使用电压可切换的介电材料来实现针对ESD及其他过电压事件的垂直和/或双切换保护的结构、方法以及设备。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】用于ESD保护的垂直切换的构造
此处所公开的实施例一般涉及使用电压可切换的介电材料来实现针对ESD及其他过电压事件的垂直切换保护的结构、方法以及设备。
技术介绍
电子设备常常是通过组装并连接各种组件(例如，集成电路、无源组件、芯片等等，下面简称为“芯片”)而制成的。许多组件，特别是半导体，对在所谓的过电压状态下向设备施加过量电压的杂散电气事件敏感。过电压状态的源的示例包括静电放电(ESD)、反电动势(EMF)、闪电、太阳风、诸如电动机和电磁体之类的切换的电磁感应负载、切换的重电阻性负载、大的电流变化、电磁脉冲等等。过电压状态可能会在包含有源和/或无源电子组件或电路元件(诸如半导体IC芯片)的设备中导致高电压，这些有源和/或无源电子组件或电路元件可能会导致大的电流流动通过组件或在组件内。大的电流流动可能会有效地损坏或者否则对这样的有源或无源组件或电路元件的功能造成负面的影响。某些芯片包括针对在芯片的封装或相应的电子设备的操作过程中可能预期发生的某些过电压事件(例如，温和的ESD事件)的“芯片内”保护(例如，针对“人体模型”事件的保护)。芯片可以被封装(例如，附接到衬底)。封装的芯片可以本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种包含在衬底中的垂直切换的电压可切换介电材料(VSDM)构造，所述VSDM构造包括：a.布置在所述衬底的第一水平层中的第一导电元件和布置在所述衬底的第二水平层中的第二导电元件，所述第二水平层不同于所述第一水平层；b.具有特征电压和垂直厚度的VSDM结构，所述VSDM结构布置在所述衬底的第三水平层中，所述第三水平层不同于所述第一水平层和所述第二水平层；以及c.至少部分地嵌入在所述衬底中的电路元件，所述电路元件具有阻抗；以及d.其中，所述VSDM结构适用于变得跨其垂直厚度基本上导电，并响应于超出所述特征电压的ESD脉冲，在所述第一导电元件和所述第二导电元件之间传导电流。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2011.09.21 US 61/537,4901.一种包含在衬底中的垂直切换的电压可切换介电材料VSDM构造，所述VSDM构造包括：a.布置在所述衬底的第一水平层中的第一导电元件和布置在所述衬底的第二水平层中的第二导电元件，所述第二水平层不同于所述第一水平层；b.具有特征电压和垂直厚度的VSDM结构，所述VSDM结构布置在所述衬底的第三水平层中，所述第三水平层不同于所述第一水平层和所述第二水平层；以及c.至少部分地嵌入在所述衬底中的电路元件，所述电路元件具有阻抗；以及d.其中，所述VSDM结构适用于变得跨其垂直厚度导电，并响应于超出所述特征电压的ESD脉冲，在具有第一电压电平的第一导电元件和具有第二电压电平的第二导电元件之间传导电流，其中所述第一电压电平等于所述第二电压电平。2.如权利要求1所述的构造，其中，所述第一导电元件是分层互连、Z轴导电带、银浆、铜浆、涂银的铜层、碳层、导电环氧树脂、导电聚合物、电极、衬垫、引线、迹线、通道、线路或信号层。3.如权利要求1所述的构造，其中，所述垂直厚度小于2密耳。4.如权利要求1所述的构造，其中，所述衬底是以下之中的一个：单层PCB或多层PCB的组；半导体器件封装；LED衬底；集成电路IC衬底；中介层；连接两个或更多电子组件、器件或衬底的平台；晶片级别封装；封装内的封装；系统中封装；或至少两个封装或衬底的堆叠的组合。5.如权利要求1所述的构造，还包括电子设备。6.如权利要求5所述的构造，其中，所述电子设备是以下之中的一个：移动电话、平板电脑、电子阅读器、移动计算机、台式计算机、服务器计算机、视频显示器、音乐播放器、个人健康管理设备或发光模块。7.根据权利要求5所述的构造，其中所述电子设备是电视机。8.根据权利要求5所述的构造，其中所述电子设备是发光二极管LED或包括至少一个LED的设备。9.如权利要求1所述的构造，其中，所述电路元件包括下列各项中的至少一项：电阻器、感应器、电容器、铁性体电路元件、铁性体VSDM电路元件、二极管、晶体管、过滤器或具有阻抗的分层互连。10.一种包括衬底和垂直切换的电压可切换介电材料VSDM构造的电子设备，所述VSDM构造被包含在所述衬底中，所述衬底包括三个不同的水平层，所述VSDM构造包括：a.布置在第一水平层中的第一导电元件和布置在第二水平层中的第二导电元件；b.具有特征电压和垂直厚度的VSDM结构，所述VSDM结构布置在第三水平层中；以及c.至少部分地嵌入在所述衬底中的电路元件，所述电路元件具有阻抗；以及d.其中，所述VSDM结构适用于变得跨其垂直厚度导电，并响应于超出所述特征电压的ESD脉冲，在具有第一电压电平的第一导电元件和具有第二电压电平的第二导电元件之间传导电流，所述第一电压电平等于所述第二电压电平，并且所述VSDM构造向所述电子设备提供ESD保护。11.如权利要求10所述的电子设备，其中，所述电子设备是以下之中的至少一个：移动电话、平板电脑、电...

【专利技术属性】
技术研发人员：R·弗莱明，M·格利克曼，B·格莱顿，J·吴，D·瓦塞奎兹，
申请(专利权)人：保险丝公司，
类型：发明
国别省市：美国;US