半导体器件和制造器件的方法技术

本发明专利技术涉及半导体器件和制造器件的方法。一种器件包括：第一衬底，功能性元件和电极在其中形成；第二衬底，贯通电极在其中形成；接合材料，其接合所述第一衬底和所述第二衬底，并在所述功能性元件和所述第二衬底之间保留预定空间；和导电材料，其将所述电极电连接到所述贯通电极。在此，所述接合材料比所述导电材料更硬，并且在电学上，所述接合材料比所述导电材料导电性更弱。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及器件、。
技术介绍
通过使用半导体技术制造微机电系统(MEMS)器件。MEMS器件包括电路元件和精密机械元件。这种MEMS器件当前用于，例如，加速度传感器、打印机头、压力传感器、FIR传感器，或数字微镜器件(DMD)。其市场规模正在扩大。一般地，MEMS器件包括可移动部分(功能性元件)，其以中空形状形成。由于可移动部分要被保护以免于外部空气等，所以可移动部分密封为真空状态(或在恒定压力下)。如果真空密封不充分，则可靠性会降低，并且会引起MEMS器件故障。一种用于MEMS器件的密封方法，能够考虑阳极键合。在阳极键合中，施加高电压，硅衬底与玻璃衬底在300°C到500°C的温度下接合。在阳极键合中，由于器件衬底与封装衬底直接接合，所以会需要单独的腔室用于密封可移动部分。另一种密封方法，能够考虑一种方法以便在安装过程中使用密闭的封装衬底。在此，密闭的封装衬底密封为高真空状态。此外，提出接合器件衬底与封装衬底，并且提出在制造MEMS器件的晶片制造过程(晶片级)中整体密封它们。例如，专利文件I (日本未经审查的专利公开N0.2010-17805)公开了在密闭部分设置一金本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种半导体器件，其包括：第一衬底，功能性元件和电极在其中形成；第二衬底，贯通电极在其中形成；接合材料，其接合所述第一衬底和所述第二衬底，并在所述功能性元件和所述第二衬底之间保留预定空间；和导电材料，其将所述电极电连接到所述贯通电极，其中所述接合材料比所述导电材料更硬，并且所述接合材料在电学上比所述导电材料导电性更弱。

【技术特征摘要】
2013.02.21 JP 2013-032383;2014.01.14 JP 2014-004271.一种半导体器件，其包括: 第一衬底，功能性元件和电极在其中形成； 第二衬底，贯通电极在其中形成； 接合材料，其接合所述第一衬底和所述第二衬底，并在所述功能性元件和所述第二衬底之间保留预定空间；和 导电材料，其将所述电极电连接到所述贯通电极， 其中所述 。2.根据权利要求1所述的半导体器件，其中所述接合材料和所述导电材料由具有相同熔化温度的相应烘烤材料形成。3.根据权利要求1或权利要求2所述的半导体器件，其中所述接合材料是玻璃熔料材料或聚合物树脂。4.根据权利要求1至3中的任何一项所述的半导体器件，其中所述导电材料是Au、Ag、包括Au和Ag的衆料材料,或包括Au和Ag的焊接材料。5.根据权利要求1至4中的任何一项所述的半导体器件，其中所述功能性元件由所述接合材料真空密封。6.根据权利要求1至5中的任何一项所述的半导体器件，其中所述第一衬底和所述第二衬底中的每一个是平面衬底。7.根据权利要求1所述的半导体器件，其进一步包括: 第三衬底，其中光学元件形成在所述第三衬底上。8.根据权利要求7所述的半导体器件，其中接合所述第一衬底和所述第二衬底的所述接合材料是第一接合材料，而接合所述第一衬底和所述第三衬底的接合材料是第二接合材料，并且 其中所述第二接合材料的厚度和宽度与所述第一接合材料的厚度和宽度不同。9.根据权利要求8所述的半导体器件，其中所述第一接合材料和所述第二接合材...

【专利技术属性】
技术研发人员：安藤友一，佐藤幸人，前胜知，
申请(专利权)人：株式会社理光，
类型：发明
国别省市：日本;JP