微机电系统传感器及其制造方法技术方案

本发明专利技术涉及一种微机电系统传感器及其制造方法，包括：S1、提供基片；S2、在基片上形成第一介质层，去除部分第一介质层以形成第一掩膜图形，在基片上进行刻蚀以形成若干第一深孔，将若干第一深孔底部连通以形成第一腔体；S3、去除第一介质层，于基片外延覆盖第一层单晶硅薄膜；S4、在第一层单晶硅薄膜上形成第二介质层，去除部分第二介质层以形成第二掩膜图形，在第一层单晶硅薄膜上进行刻蚀以形成若干第二深孔，将若干第二深孔底部连通以形成第二腔体；S5、去除第二介质层，于第一层单晶硅薄膜上外延覆盖第二层单晶硅薄膜；S6、在第二层单晶硅薄膜上制作电阻应变片；S7、形成第三掩膜图形，进行刻蚀工艺形成若干与第一腔体连接的深槽。

【技术实现步骤摘要】

[0001 ] 本专利技术涉及一种。
技术介绍
微机电系统传感器(Micro-Electro-Mechanical Systems,MEMS)技术是近年来快速发展的一项高新技术，它采用先进的半导体制造工艺，可实现MEMS传感器的批量制造，与对应的传统器件相比，MEMS传感器在体积、功耗、重量及价格方面有相当的优势。MEMS传感器大都具有薄膜、质量块、悬臂梁等微结构。传统的硅膜制备方法多用表面牺牲层工艺，先利用各种淀积工艺，如低压化学气相淀积(low pressure vapor phasedeposition, LPCVD)、等离子体气相淀积(Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition,PECVD)及派射、蒸发等物理气相淀积(Physical Vapor Deposition,PVD)制作牺牲层,然后再在牺牲层上采用同样的各种淀积工艺制作薄膜，最后再将薄膜下方的牺牲层用腐蚀、刻蚀等方法去除，即形成可动的微结构。但是，这些方法适合制作多晶硅薄膜、金属薄膜、介质薄膜等，而不适合制作单晶硅薄膜，而有些传感器却需要用到单晶硅薄膜。压力传感器是本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种微机电系统传感器，包括衬底，其特征在于：所述衬底包括底壁、自所述底壁向上延伸形成的侧壁、由所述底壁和侧壁围设形成的收容腔、收容在所述收容腔内且与所述底壁和侧壁形成空隙的感应本体、以及自所述底壁和侧壁其中一个或多个上朝所述感应本体延伸以支撑所述感应本体的支撑部，所述感应本体包括形成在所述感应本体内呈真空封闭状的第一腔体、位于所述第一腔体上方的感应薄膜。

【技术特征摘要】
1.一种微机电系统传感器，包括衬底，其特征在于:所述衬底包括底壁、自所述底壁向上延伸形成的侧壁、由所述底壁和侧壁围设形成的收容腔、收容在所述收容腔内且与所述底壁和侧壁形成空隙的感应本体、以及自所述底壁和侧壁其中一个或多个上朝所述感应本体延伸以支撑所述感应本体的支撑部，所述感应本体包括形成在所述感应本体内呈真空封闭状的第一腔体、位于所述第一腔体上方的感应薄膜。2.根据权利要求1所述的微机电系统传感器，其特征在于:所述支撑部包括自所述侧壁朝所述感应本体延伸形成的梁。3.根据权利要求1或2所述的微机电系统传感器，其特征在于:所述支撑部包括自所述底壁朝所述感应本体延伸形成的支柱。4.一种微机电系统传感器的制造方法，其特征在于:所述微机电系统传感器的制造方法包括如下步骤: 51、提供基片，所述基片具有相对设置的第一表面和第二表面； 52、在所述基片的第一表面形成第一介质层,然后去除部分第一介质层以形成第一掩膜图形，按照所述第一掩膜图形在所述基片上进行刻蚀以形成若干第一深孔，于基片内将若干所述第一深孔底部连通以形成第一腔体； 53、去除第一介质层,然后于基片的第一表面外延覆盖第一层单晶娃薄膜,所述第一层单晶硅薄膜遮盖若干第一深孔； 54、在第一层单晶硅薄膜上形成第二介质层，然后去除部分第二介质层以形成第二掩膜图形，按照所述第二掩膜图形在所述第一层单晶硅薄膜上进行刻蚀以形成若干第二深孔，于第一层单晶硅薄膜内将若干所述第二深孔底部连通以形成第二腔体； 55、去除第二介质层，然后于第一层单晶硅薄膜上外延覆盖第二层单晶硅薄膜，所述第二层单晶硅薄膜遮盖若干第二深孔； 56、在第二层单晶硅薄膜上制作电阻应变片； 57、在第二层单晶硅薄膜上方形成第三掩膜图形，按照所述第三掩膜图形进行刻蚀工艺形成若干与第一腔体连接的深槽。5.根据...

【专利技术属性】
技术研发人员：李刚，胡维，肖滨，
申请(专利权)人：苏州敏芯微电子技术有限公司，
类型：发明
国别省市：江苏;32