芯片封装体及其制造方法技术
【技术实现步骤摘要】
芯片封装体及其制造方法
各种实施例总体上涉及芯片封装体及其制造方法。
技术介绍
图1是示出了常规硅传声器100的截面透视图的示意图。在一些常规的硅传声器微机电系统（MEMS）芯片100中，有效区域包括典型地具有数百纳米的厚度的非常薄的膜102以及悬置在通孔106之上的对电极104。从背侧蚀刻具有膜102的微机电系统（MEMS）芯片100。对电极104典型地也是非常薄的。膜102与对电极104两者均是部分金属化的。声波将冲击在膜102上。这将导致膜102振荡。通过测量由于膜102的振荡所造成的电容改变来检测声波。该传声器的性能通常取决于膜的背侧（即，与其中声波所冲击的前侧相对侧）上的容积。图2是示出了常规硅传声器200中可能存在的各种部件的图解。该硅传声器包括具有膜204的微机电系统（MEMS）芯片202。MEMS芯片202被安装在基板206上并接线键合至基板206。硅传声器200还可以包括可选的逻辑芯片208。微机电芯片202和可选的逻辑芯片208可以通过多个电引线相连接。硅传声器200还具有盖件210以覆盖微机电芯片202和可选的逻辑芯片208。盖件210通常是...
【技术保护点】
一种用于制造芯片封装体的方法，所述方法包括：将芯片布置在基板之上，所述芯片包括传声器结构和通向所述传声器结构的开口；并且将所述芯片用包封材料包封，使得所述开口被保持成至少部分地不具有所述包封材料。
【技术特征摘要】
2013.01.23 US 13/747,4991.一种用于制造芯片封装体的方法，所述方法包括：将芯片布置在基板之上，所述芯片包括传声器结构和通向所述传声器结构的开口；在所述传声器结构周围形成间隔件结构；并且将所述芯片用包封材料包封；其中所述间隔件结构被配置成保持所述开口至少部分地不具有所述包封材料。2.根据权利要求1所述的方法，其中所述传声器结构包括至少一个膜结构。3.根据权利要求2所述的方法，其中所述至少一个膜结构包括形成电容器的多个膜。4.根据权利要求1所述的方法，其中包封所述芯片包括模制所述芯片。5.根据权利要求1所述的方法，进一步包括：将另外的芯片布置在所述基板之上，其中所述另外的芯片被电耦合到所述芯片。6.根据权利要求5所述的方法，其中所述另外的芯片经由所述基板被电耦合到所述芯片。7.根据权利要求5所述的方法，其中所述另外的芯片经由接线键合件被电耦合到所述芯片。8.根据权利要求5所述的方法，其中所述另外的芯片被配置成对从所述芯片接收的一个或多个信号进行信号处理。9.根据权利要求1所述的方法，其中所述传声器结构包括被配置成接收音波的至少一个膜。10.根据权利要求1所述的方法，其中所述芯片包括倒装芯片。11.根据权利要求...
【专利技术属性】
技术研发人员：H·托伊斯，
申请(专利权)人：英飞凌科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：德国;DE
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