一种MEMS红外光源及其制备方法技术

本发明专利技术公开了一种MEMS红外光源及其制备方法，通过MEMS加工技术，制备出适合气体检测的MEMS红外光源，包括如下步骤：1）在双面抛光的单晶硅衬底上，利用干法氧化的方法，在两面形成致密的氧化硅薄膜，随后以化学气相沉积的方式在正面生长氮化硅薄膜；2）在氮化硅薄膜上，以磁控溅射的方式生长电极连接层Ti和电极层Pt；3）以MEMS加工工艺中的光刻、刻蚀等方法，图形化出加热电极；4）以反应离子刻蚀的方式，去除多余的氧化硅和氮化硅；5）以干法刻蚀和湿法刻蚀相结合的方式，形成悬空结构。本发明专利技术制备的MEMS红外光源工艺简单，成本低，易于批量化生产，适用于便携式、微型化的气敏检测系统。

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】
一种MEMS红外光源，其特征在于：包括一具有悬空结构（101）的单晶硅衬底（1），所述单晶硅衬底（1）的正面和反面分别为SiO2薄膜层（2），所述单晶硅衬底（1）正面的SiO2薄膜层（2）包括一层Si3N4薄膜层（3），所述Si3N4薄膜层（3）上设置有一电极连接层（4），所述电极连接层（4）上为一电极层（5），所述电极连接层（4）与电极层（5）形成的加热电极成一条纹结构（102）设置在所述Si3N4薄膜层（3）上。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：石威，赵真真，吴奇，李永方，
申请(专利权)人：苏州宏态环保科技有限公司，
类型：发明
国别省市：江苏;32