本实用新型公开了一种MEMS红外光源，包括一具有悬空结构的单晶硅衬底，所述单晶硅衬底的正面和反面分别为SiO2薄膜层，所述单晶硅衬底正面的SiO2薄膜层包括一层Si3N4薄膜层，所述Si3N4薄膜层上设置有一电极连接层，所述电极连接层上...

本发明公开了一种MEMS红外光源及其制备方法，通过MEMS加工技术，制备出适合气体检测的MEMS红外光源，包括如下步骤：1）在双面抛光的单晶硅衬底上，利用干法氧化的方法，在两面形成致密的氧化硅薄膜，随后以化学气相沉积的方式在正面生长氮化...