发光器件和发光器件封装制造技术

本发明专利技术提供一种发光器件和发光器件封装。在一个实施例中，发光器件包括：支撑构件；在支撑构件上的发光结构，该发光结构包括第一导电类型半导体层、第二导电类型半导体层、以及在第一导电类型半导体层和第二导电类型半导体层之间的有源层；在支撑构件的上表面的外围区域处的保护构件；电极，该电极包括在第一导电类型半导体层上的上部、从上部延伸并且在发光结构的侧表面上的侧部、以及从侧部延伸并且在保护构件上的延伸部；以及在发光结构的侧表面和电极之间的绝缘层。

【技术实现步骤摘要】
发光器件和发光器件封装本申请是2011年2月18日提交的申请号为201110042254.6，专利技术名称为“发光器件和发光器件封装”的专利申请的分案申请。
本专利技术涉及发光器件和发光器件封装。
技术介绍
发光二极管(LED)是将电流转换为光的半导体发光器件。近年来，随着LED的亮度逐渐地增加，越来越多地将LED用作用于显示器的光源、用于车辆的光源以及用于照明系统的光源。通过使用荧光材料或者通过组合分别发射三原色的单个LED可以实现发射白光并且具有优异效率的LED。LED的亮度取决于各种条件，诸如有源层的结构、能够有效地将光提取到外部的光提取结构、在LED中使用的半导体材料、芯片大小以及包封LED的成型构件的类型。
技术实现思路
实施例提供具有新颖的结构的发光器件和发光器件封装。实施例还提供具有增强的可靠性的发光器件和发光器件封装。实施例还提供能够减少光损耗的发光器件和发光器件封装。在一个实施例中，发光器件包括：支撑构件；在支撑构件上的发光结构，该发光结构包括第一导电类型半导体层、第二导电类型半导体层、以及在第一导电类型半导体层和第二导电类型半导体层之间的有源层；在支撑构件的上表面的外围区域处的保护构件；电极，该电极包括：在第一导电类型半导体层上的上部、从上部延伸并且在发光结构的侧表面上的侧部以及从侧部延伸并且在保护构件上的延伸部；以及在发光结构的侧表面和电极之间的绝缘层。在另一实施例中，发光器件封装包括：发光器件、封装主体、引线电极以及插座(socket)。发光器件包括：发光结构，该发光结构包括第一导电类型半导体层、第二导电类型半导体层、以及在第一导电类型半导体层和第二导电类型半导体层之间的有源层；在支撑构件的上表面的外围区域处的保护构件；电极，该电极包括在第一导电类型半导体层上的上部、从上部延伸并且在发光结构的侧表面上的侧部以及从侧部延伸并且在保护构件上的延伸部；以及在发光结构的侧表面和电极之间的绝缘层。发光器件被设置在封装主体上。引线电极位于封装主体上并且被电气地连接到发光器件。插座被电气地连接到发光器件的电极和引线电极。附图说明图1是根据实施例的发光器件的截面图。图2是图1的发光器件的平面图。图3是根据另一实施例的发光器件的平面图。图4是根据修改示例的发光器件的平面图。图5是根据另一修改示例的发光器件的平面图。图6至图11是示出根据实施例的用于制造发光器件的方法的截面图。图12是根据实施例的包括发光器件的第一发光器件封装的截面图。图13是根据实施例的包括发光器件的第二发光器件封装的截面图。图14是图13的第二发光器件封装的插座和发光器件的延伸截面图。图15是图13的第二发光器件封装中的插座和发光器件的分解透视图。图16是第二发光器件封装的第一修改示例的截面图。图17是第二发光器件封装的第二修改示例的截面图。图18是根据实施例的包括发光器件或者发光器件封装的背光单元的分解透视图。图19是根据实施例的包括发光器件或者发光器件封装的照明单元的透视图。具体实施方式在下面的描述中，将理解的是，当层(或者膜)被称为在另一层或者基板“上”时，它能够直接地在另一层或者基板上，或者也可以存在中间层。此外，将理解的是，当层被称为在另一层“下”时，它能够直接地在另一层下面，并且也可以存在一个或者多个中间层。另外，将会基于附图描述术语“上”或者“下”。在附图中，为了示出的清楚，层和区域的尺寸被夸大。另外，每个部分的尺寸没有反映真实尺寸。在下文中，将会参考附图描述根据实施例的发光器件、用于制造发光器件的方法、发光器件封装以及照明系统。<实施例>图1是根据实施例的发光器件100的截面图，并且图2是图1的发光器件100的平面图。参考图1和图2，根据实施例的发光器件100可以包括导电支撑构件160、在支撑构件160的上表面的外围区域处的保护构件155、在导电支撑构件160和保护构件155上的发光结构145、在第一导电类型半导体层上的电极128、以及在发光结构145和电极128之间用于使它们绝缘的绝缘层125。电极128包括上部，该上部电气地连接到发光结构145的上表面；侧部，该侧部从上部延伸并且形成在第一导电类型半导体层的侧表面上；以及延伸部，该延伸部从侧部延伸并且形成在保护构件155上。发光结构145是产生光的结构，并且至少包括第一导电类型半导体层130、在第一导电类型半导体层130下面的有源层140、以及在有源层140下面的第二导电类型半导体层150。导电支撑构件160和电极128接收来自于外部电源(未示出)的电力并且将电力提供到发光器件100。在这里，根据实施例，为了将发光器件100连接到外部电源，布线可以连接到电极128的延伸部。因此，能够最小化通过布线损耗的从发光结构145发射的光的量，并且能够防止当布线结合时可能产生的发光结构145的损坏。在下文中，将会详细地描述发光器件100的元件。导电支撑构件160可以包括从由Ti、Cr、Ni、Al、Pt、Au、W、Cu、Mo以及掺杂有掺杂物的半导体衬底组成的组中选择的至少一个。反射层157可以形成在导电支撑构件160上。反射层157反射从发光结构145输入的光，从而使得能够提高发光器件100的光提取效率。反射层157可以由具有高反射效率的金属制成。例如，反射层157可以包括Ag、Al、Pt、Pd、Cu或者其合金中的至少一个。附着层(未示出)可以形成在反射层157和导电支撑构件160之间以增强界面结合力，但是不限于此。保护构件155可以形成在反射层157的上表面的外围区域处。保护构件155防止发光结构145和导电支撑构件160之间的电气短路。保护构件155可以包括绝缘且透明的材料以最小化光损耗。例如，保护构件155可以包括SiO2、SixOy、Si3N4、SixNy、SiOxNy、Al2O3、TiO2、ITO、AZO(铝锌氧化物)以及ZnO中的至少一个。欧姆接触层156可以形成在反射层157的上表面上和保护构件155内部。欧姆接触层156可以在发光结构145和反射层157或者导电支撑构件160之间形成欧姆接触。例如，欧姆接触层156可以包括ITO(铟锡氧化物)、Ni、Pt、Ir、Rh以及Ag中的至少一个。当发光结构145欧姆接触反射层157或者导电支撑构件160时，可以省略欧姆接触层156。发光结构145可以形成在欧姆接触层156上。发光结构145可以至少包括第一导电类型半导体层130、在第一导电类型半导体层130下面的有源层140、以及在有源层140下面的第二导电类型半导体层150。第一导电类型半导体层130可以包括n型半导体层。n型半导体层可以包括具有InxAlyGa1-x-yN(0≤x≤1，0≤y≤1，0≤x+y≤1)的组成式的半导体材料，诸如InAlGaN、GaN、AlGaN、InGaN、AlN以及InN。另外，n型半导体层可以掺杂有诸如Si、Ge以及Sn的n型掺杂物。有源层140可以包括具有InxAlyGa1-x-yN(0≤x≤1，0≤y≤1，0≤x+y≤1)的组成式的半导体材料。有源层140可以具有量子线结构、量子点结构、单量子阱结构或者多量子阱(MQW)结构，但是实施例不限于此。通过第一导电类型半导体层130注入的电子(或者空穴)与通过第二导电类本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种发光器件，包括：导电支撑构件；在所述导电支撑构件上的发光结构，所述发光结构包括第一导电类型半导体层、在所述第一导电类型半导体层上的第二导电类型半导体层、以及在所述第一导电类型半导体层和所述第二导电类型半导体层之间的有源层；反射层，所述反射层设置在所述导电支撑构件的上表面上；附着层，所述附着层设置在所述反射层和所述导电支撑构件之间；保护构件，所述保护构件设置在所述反射层的上表面的外围区域上；电极，所述电极连接到所述第一导电类型半导体层的上表面；以及在所述发光结构的侧表面和所述电极之间的绝缘层，其中，所述保护构件设置在所述第二导电类型半导体层和所述反射层之间，以及其中，所述电极的至少一部分设置在所述保护构件上。

【技术特征摘要】
2010.02.18 KR 10-2010-00147071.一种发光器件，包括：导电支撑构件；在所述导电支撑构件上的发光结构，所述发光结构包括第一导电类型半导体层、在所述第一导电类型半导体层上的第二导电类型半导体层、以及在所述第一导电类型半导体层和所述第二导电类型半导体层之间的有源层；反射层，所述反射层设置在所述导电支撑构件的上表面上；附着层，所述附着层设置在所述反射层和所述导电支撑构件之间；保护构件，所述保护构件设置在所述反射层的上表面的外围区域上；电极，所述电极连接到所述第一导电类型半导体层的上表面；以及在所述发光结构的侧表面和所述电极之间的绝缘层，其中，所述保护构件设置在所述第二导电类型半导体层和所述反射层之间，以及其中，所述电极的至少一部分设置在所述保护构件上，其中，所述电极包括在所述第一导电类型半导体层上的上部、从所述上部延伸并且在所述发光结构的侧表面上的侧部、以及从所述侧部延伸并且在所述保护构件上的延伸部，其中，所述电极的上部被电气地连接到所述第一导电类型半导体层，其中，所述电极包括连接到所述延伸部的具有开口的图案，以及其中，所述电极的上部具有设置在所述第一导电类型半导体层的上表面上的开口，其中，所述绝缘层设置在所述电极的延伸部和所述保护构件之中。2.根据权利要求1所述的发光器件，其中所述发光结构的侧表面倾斜。3.根据权利要求2所述的发光器件，进一步包括在所述延伸部的至少一部分上的结合金属层。4.根据权利要求1至3中的任一项所述的发光器件，其中，所述电极包括金属。5.根据权利要求1至3中的任一项所述的发光器件，其中，所述电极包括透明材料。6.根据权利要求1至3中的任一项所述的发光器件，其中，所述电极具有多个层。7.根据权利要求3所述的发光器件，其中，所述电极和所述结合金属层具有彼此不同的材料。8.根据权利要求2或3所述的发光器件，其中，所述绝缘层具有透明材料以便最小化光损耗。9.根据权利要求2或3所述的发光器件，其中，所述电极的图案包括栅格图案、螺线状或者螺旋状图案中的至少一个。10.根据权利要求2或3所述的发光器件，其中，所述保护构件的上表面被暴露。11.根据权利要求2或3所述的发光器件，其中，所述电极的侧部具有线状。12.根据权利要求1至3中的任一项所述的发光器件，其中，所述电极设置在所述发光...

【专利技术属性】
技术研发人员：裵贞赫，郑泳奎，朴径旭，朴德炫，
申请(专利权)人：LG伊诺特有限公司，
类型：发明
国别省市：韩国;KR