【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及在切割带上制备晶片附着粘合剂的制造过程中的一种用于从托架支撑带将粘合膜的被修剪掉的残余部移除的方法。
技术介绍
集成电路在半导体晶圆的表面上制造,所述半导体晶圆由诸如娃和神化嫁的材料组成。晶圆随后通过用锯或者激光将晶圆切块而被分成单个集成电路。用锯或者激光将晶圆切块使得晶圆受压。为了抵消该压力,该晶圆在切块操作期间被支撑在称作切割带的片或带子上。切块之后,单个集成电路从晶圆被分开,并且随后被粘接至基底,所述基底用于为最终的电子设备制造电路。用粘合剂来完成将集成电路粘接至其基底,所述粘合剂已知为晶片附着粘合剂,其包括粘合剂树脂和按重量计算达大约90%的导电填料。晶片附着粘合剂可涂覆至晶片的与包含电路的侧相反的侧或者直接涂覆至基底。如今的制造操作喜好在切块之前将晶片附着粘合剂直接涂覆至晶圆的背面,因为这比将晶片附着粘合剂涂覆至每个单个的集成电路或者基底上的粘接位置更高效。用于晶圆涂覆的晶片附着粘合剂以半导体晶圆形状的膜设在支撑托架上。为了获取该形状,支撑托架被涂以粘合剂从而在支撑托架上形成粘合剂的膜,半导体的图形被刻入粘合膜内,并且残余的粘合剂 ...
【技术保护点】
一种从托架支撑带移除粘合膜的被修剪掉的残余部的方法,所述方法包括:(a)提供支撑托架、粘合膜和离型膜的组件,依此顺序,将图形从离型膜的方向穿过离型膜、穿过粘合膜刻入所述组件内,并且部分地刻入支撑托架内;(b)从围绕被刻入的图形的粘合膜移除离型膜,以使围绕被刻入的图形的粘合膜露出;(c)将临时性粘合片附着在露出的围绕被刻入的图形的粘合膜上以及被刻入的图形的离型膜上,其中,临时性粘合片对粘合膜的粘合度高于粘合膜对支撑托架的粘合度,并且临时性粘合片对离型膜的粘合度高于离型膜对粘合膜的粘合度;和(d)将已附着至露出的粘合膜并附着至余下的离型膜的临时性粘合片移除,藉此从支撑托架移除粘 ...
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2011.12.15 US 61/576,1001.一种从托架支撑带移除粘合膜的被修剪掉的残余部的方法,所述方法包括: (a)提供支撑托架、粘合膜和离型膜的组件,依此顺序,将图形从离型膜的方向穿过离型膜、穿过粘合膜刻入所述组件内,并且部分地刻入支撑托架内; (b)从围绕被刻入的图形的粘合膜移除离型膜,以使围绕被刻入的图形的粘合膜露出; ...
【专利技术属性】
技术研发人员:Y·金,J·格雷,K·贝克尔,
申请(专利权)人:汉高知识产权控股有限责任公司,
类型:发明
国别省市:德国;DE
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