一种合成的镀铜研磨机台制造技术

本实用新型专利技术提供一种合成的镀铜研磨机台，包括用于研磨晶圆的研磨部；研磨部包括研磨底座、位于研磨底座上的研磨垫、及位于研磨垫上方的旋转头；其中，旋转头包括：用于托付晶圆并将晶圆下压至研磨垫上研磨的研磨头、用于固定研磨头的中心旋转轴，中心旋转轴通过旋转头内的驱动装置来驱动其旋转；用于导引旋转头横向运动的导轨；用于清洗通过导轨运送的已研磨的晶圆的清洗部；清洗部包括清洗台和位于在清洗台上的多个用于喷洒去离子水的冲刷喷嘴。本实用新型专利技术可以有效降低ECP电镀的表面铜暴露在外面的时间和几率。有效防止了ECP电镀的表面铜上出现弹坑、凹陷、及金属损伤等缺陷的发生，整体提升ECP&CMP制程每小时晶圆的生产率同时提高晶圆的性能。（*该技术在2024年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】
一种合成的镀铜研磨机台
本技术属于超大规模集成电路中半导体制造工艺
，涉及一种研磨机台，特别是涉及一种合成的镀铜研磨机台。
技术介绍
随着集成电路的制作方向朝着超大规模集成电路(ULSI)发展，而金属铝是芯片中金属互连线路的金属层的主要材料。但是，由于元件的微型化及集成度的增加，电路中不断增加金属层数目，金属互连线路架构中的电阻及电容所产生的寄生效应造成了严重的传输时延，传输时延在130纳米及更先进的技术中电路中讯号传输速度受限的重要原因。所以，在降低金属层电阻的方面，由于金属铜具有高熔点、低电阻系数、及高抗电子迁移的能力，已被广泛应用于金属互连线路架构中取代金属铝来做金属互连线路的金属层的材料。对于本领域技术人员来说，铜的金属化支撑可使用电化学电镀法(ElectricalChemical Plating，ECP)和溅渡法(物理气相沉积，PVD)和。由于成本低廉，沉积速率快，电化学电镀法已经是一种常规技术。金属铜的电化学电镀法是以两个电极之间的电流通过硫酸铜或含铜的电解液的方式进行。在给半导体晶圆电镀时，将晶圆周围利用数个接触点使晶圆与电源供应器形成电性连接，然后通本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种合成的镀铜研磨机台，其特征在于，包括：用于研磨晶圆的研磨部；所述研磨部包括研磨底座、位于研磨底座上的研磨垫、及位于研磨垫上方的旋转头；其中，所述旋转头包括：用于托付晶圆并将晶圆下压至所述研磨垫上研磨的研磨头、用于固定所述研磨头的中心旋转轴，所述中心旋转轴通过旋转头内的驱动装置来驱动其旋转；用于导引所述旋转头横向运动的导轨；用于清洗通过所述导轨运送的已研磨晶圆的清洗部；所述清洗部包括清洗台和位于在所述清洗台上的多个用于喷洒去离子水的冲刷喷嘴。

【技术特征摘要】
1.一种合成的镀铜研磨机台，其特征在于，包括: 用于研磨晶圆的研磨部；所述研磨部包括研磨底座、位于研磨底座上的研磨垫、及位于研磨垫上方的旋转头；其中，所述旋转头包括:用于托付晶圆并将晶圆下压至所述研磨垫上研磨的研磨头、用于固定所述研磨头的中心旋转轴，所述中心旋转轴通过旋转头内的驱动装置来驱动其旋转； 用于导引所述旋转头横向运动的导轨； 用于清洗通过所述导轨运送的已研磨晶圆的清洗部；所述清洗部包括清洗台和位于在所述清洗台上的多个用于喷洒去离子水的冲刷喷嘴。2.根据权利要求1所述的合成的镀铜研磨机台，其特征在于:所述镀铜研磨机台安装在ECP机台上。3.根据权利要求2所述的合成的镀铜研磨机台，其特征在于:所述清洗部还包括一与所述EC...

【专利技术属性】
技术研发人员：唐强，李广宁，
申请(专利权)人：中芯国际集成电路制造北京有限公司，
类型：新型
国别省市：北京;11