【技术实现步骤摘要】
【专利摘要】本技术公开了一种多晶片发光二极管封装结构,包括:金属基板、多个LED芯片及金属导线,金属基板上开设用于放置LED芯片的凹腔,凹腔的底部设置有铜基底层,金属基板的上表面依次成型有第一导热绝缘层、导线层及第二导热绝缘层,LED芯片设置在铜基底层上,相邻的两个LED芯片的间距为0.5~1mm,且相邻的两个LED芯片之间填充有金属铜,LED芯片上还覆盖有荧光粉层,金属导线一端与LED芯片电性连接,另一端穿过第二导热绝缘层与导线层电性连接,铜基底层的厚度为0.25~0.3mm。本技术是一种使用寿命长、减少成本、提高封装效率的多晶片发光二极管封装结构。【专利说明】 多晶片发光二极管封装结构
本技术涉发光二极管封装
,尤其涉及一种使用寿命长、减少成本、提高封装效率的多晶片发光二极管封装结构。
技术介绍
随着LED (发光二极管)照明技术的不断发展,LED的生产规模在不断扩大,LED的封装技术是其在生产制造过程中的关键的一环。LED封装是指发光芯片的封装,相比集成电路封装有较大不同。LED的封装不仅要求能够保护灯芯,而且还要能够透光。所以LED的封装 ...
【技术保护点】
一种多晶片发光二极管封装结构,其特征在于,包括:金属基板、LED芯片及金属导线,所述金属基板上开设用于放置LED芯片的凹腔,所述凹腔的底部设置有铜基底层,所述金属基板的上表面依次成型有第一导热绝缘层、导线层及第二导热绝缘层,所述LED芯片设置在所述铜基底层上,相邻的两个所述LED芯片的间距为0.5~1mm,且相邻的两个所述LED芯片之间填充有金属铜,所述LED芯片上还覆盖有荧光粉层,所述金属导线一端与所述LED芯片电性连接,另一端穿过所述第二导热绝缘层与所述导线层电性连接,所述铜基底层的厚度为0.25~0.3mm。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员:陈燕章,
申请(专利权)人:深圳市力维登光电科技有限公司,
类型:新型
国别省市:广东;44
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