芯片发光面积利用率高的交流高压的发光芯片制造技术

本发明专利技术提供发光芯片，包括：绝缘衬底、至少一个单元芯片组、焊盘；单元芯片组包括第一发光整流单元芯片、第二发光整流单元芯片、第三发光整流单元芯片、第四发光整流单元芯片、至少一个公共发光单元芯片；公共发光单元芯片包括第一组电极和第二组电极；焊盘包括第一焊盘和第二焊盘；第一发光整流单元芯片、公共发光单元芯片的第一组电极、第二发光整流单元芯片形成第一串串联连接发光单元；第四发光整流单元芯片、公共发光单元芯片的第二组电极、第三发光整流单元芯片形成第二串串联连接发光单元；第一串和第二串串联连接发光单元反向并联，与第一和第二焊盘形成电连接，使得公共发光单元芯片在交流电流的正半周和负半周都发光，提高芯片发光面积利用率。

【技术实现步骤摘要】
芯片发光面积利用率高的交流高压的发光芯片
本专利技术涉及应用于LED和OLED照明的芯片发光面积利用率高的、低频闪的交流高压的发光芯片。
技术介绍
降低LED和OLED照明灯具成本的方法之一是采用交流电流驱动的交流芯片，方案之一是反向并联方案(美国专利:8053791，美国专利:13/890878，韩国专利:1020090011325，美国专利:7586129,美国专利:8062916,韩国专利:1020080030045,等)，该方案采用把两串串联的直流电流驱动的单元芯片反向并联，形成一个交流芯片。其不足之处在于，(I)芯片发光面积利用率只有50%，在交流电的正半周和负半周，分别只有一串单元芯片发光，另一串单元芯片不发光；(2)存在频闪；(3)发光效率较低。需要一种芯片发光面积利用率较高、能减轻频闪的、发光效率较高的采用交流电流驱动的高压发光芯片。
技术实现思路
本专利技术的首要目的是提供一种芯片发光面积利用率较高的发光芯片。第二个目的是提供一种能减轻频闪的交流高压发光芯片。在达到上述两个目的的同时，得到发光效率较高的发光芯片。本专利技术提供一种把芯片发光面积利用率提高到60+%的交流电流驱动的高压发光芯片:芯片发光面积利用率的极限可以达到66.7%，比传统的50%的芯片发光面积的利用率提高了 33.3%。本专利技术进一步提供一种在保持发光面积利用率60+%的同时，减轻频闪的交流高压发光芯片。发光芯片的一个实施实例，包括:绝缘衬底；一个单元芯片组；一对焊盘；单元芯片组包括第一发光整流单元芯片；第二发光整流单元芯片；第三发光整流单元芯片；第四发光整流单元芯片；一个公共发光单元芯片；公共发光单元芯片分别包括第一组电极和第二组电极；一对焊盘包括第一焊盘和第二焊盘；第一发光整流单元芯片、第二发光整流单元芯片、第三发光整流单元芯片、第四发光整流单元芯片和公共发光单元芯片形成在绝缘衬底上，并且彼此分开；第一发光整流单元芯片、公共发光单元芯片的第一组电极、第二发光整流单元芯片形成第一串串联连接发光单元；第四发光整流单元芯片、公共发光单元芯片的第二组电极、第三发光整流单元芯片形成第二串串联连接发光单元；其中，第一串串联连接发光单元和第二串串联连接发光单元反向并联，与第一焊盘和第二焊盘形成电连接，使得发光芯片可以直接被交流电流驱动，使得公共发光单元芯片在输入的交流电流的正半周和负半周都发光，提高芯片发光面积利用率，提高发光效率。一个实施实例:发光芯片包括LED发光芯片和OLED发光芯片。一个实施实例:包括:绝缘衬底；N个单元芯片组，N≥2 ;与N个单元芯片组相对应的N对焊盘；N个单元芯片组中的第M单元芯片组包括:第Ml发光整流单元芯片，第M2发光整流单元芯片，第M3发光整流单元芯片，第M4发光整流单元芯片，第M公共发光单元芯片，其中，N≥M≥2。N个单元芯片组中的N个第M公共发光单元芯片分别包括第一组电极和第二组电极；与第M个单元芯片组相对应的第M对焊盘包括第Ml焊盘和第M2焊盘；第M个单元芯片组的第Ml发光整流单元芯片、第M2发光整流单元芯片、第M3发光整流单元芯片、第M4发光整流单元芯片和第M公共发光单元芯片形成在所述绝缘衬底上，并且彼此分开；第Ml发光整流单元芯片、第M公共发光单元芯片的第一组电极、第M2发光整流单元芯片形成第M-1串串联连接发光单元；第M4发光整流单元芯片、第M公共发光单元芯片的第二组电极、第M3发光整流单元芯片形成第M-2串串联连接发光单元；其中，第M-1串串联连接发光单元和第M-2串串联连接发光单元反向并联，与相对应的第Ml焊盘和第M2焊盘形成电连接，使得第M单元芯片组可以直接被从第M对焊盘输入的交流电流驱动，使得第M公共发光单元芯片在输入的交流电流的正半周和负半周都发光，提高芯片发光面积利用率，提高发光效率。一个实施实例:从一对焊盘输入的交流电流的相位与从另一对焊盘输入的交流电流的相位有一个预定角度不同，使得从一个单元芯片组发出的光与从另一个单元芯片组发出的光互相叠加，降低频闪。—个实施实例:一种发光芯片,包括:绝缘衬底；一个单元芯片组；一对焊盘；单元芯片组包括第一发光整流单元芯片；第二发光整流单元芯片；第三发光整流单元芯片；第四发光整流单元芯片；x个公共发光单元芯片，X≥2:每个公共发光单元芯片分别包括第一组电极和第二组电极；任意两个公共发光单元芯片之间有第一中间发光整流单元芯片和第二中间发光整流单元芯片，共有(X-1)个第一中间发光整流单元芯片，共有(X-1)个第二中间发光整流单兀芯片；第一中间发光整流单元芯片与相邻的两个公共发光单元芯片的第一组电极串联，第二中间发光整流单元芯片与相邻的两个公共发光单元芯片的第二组电极串联；一对焊盘包括第一焊盘和第二焊盘；第一发光整流单元芯片、第二发光整流单元芯片、第三发光整流单元芯片、第四发光整流单元芯片、X个公共发光单元芯片、(X-1)个第一中间发光整流单元芯片、(X-1)个第二中间发光整流单元芯片形成在绝缘衬底上，并且彼此分开；第一发光整流单元芯片、每一个公共发光单元芯片的第一组电极、(X-1)个第一中间发光整流单元芯片、第二发光整流单元芯片形成第一串串联连接发光单元；第四发光整流单元芯片、每一个公共发光单元芯片的第二组电极、(X-1)个第二中间发光整流单元芯片、第三发光整流单元芯片形成第二串串联连接发光单元；其中，第一串串联连接发光单元和第二串串联连接发光单元反向并联，与第一焊盘和第二焊盘形成电连接，使得发光芯片可以直接被交流电流驱动，提高芯片发光面积利用率，提高发光效率。一个实施实例:发光芯片，包括:绝缘衬底；P个单元芯片组，P≥2 ;与P个单元芯片组相对应的P对焊盘；P个单元芯片组中的第Q个单元芯片组包括:第Ql发光整流单元芯片；第02发光整流单元芯片；第Q3发光整流单元芯片；第Q4发光整流单元芯片；其中，P≥Q≥2 ;P个单元芯片组的每一个单元芯片组分别包括X个公共发光单元芯片，X≥2 ;每一个公共发光单元芯片分别包括第一组电极和第二组电极；P个单元芯片组中的每一组单元芯片中的任意两个公共发光单元芯片之间有第一中间发光整流单元芯片和第二中间发光整流单元芯片，共有(X-1)个第一中间发光整流单元芯片，共有(X-1)个第二中间发光整流单元芯片；第一中间发光整流单元芯片与相邻的两个公共发光单元芯片的第一组电极串联，第二中间发光整流单元芯片与相邻的两个公共发光单元芯片的第二组电极串联；与第Q个单元芯片组相对应的第Q对焊盘包括第Ql焊盘和第Q2焊盘；P组单元芯片的全部发光整流单元芯片、全部公共发光单元芯片、全部第一中间发光整流单元芯片、全部第二中间发光整流单元芯片形成在绝缘衬底上，并且彼此分开；P个单元芯片组中的第Q个单元芯片组的第Ql发光整流单元芯片、X个公共发光单元芯片的第一组电极、(X-1)个第一中间发光整流单元芯片、第Q2发光整流单元芯片形成第Q-1串串联连接发光单元。P个单元芯片组中的第Q个单元芯片组的第Q4发光整流单元芯片、X个公共发光单元芯片的第二组电极、(X-1)个第二中间发光整流单元芯片、第Q3发光整流单元芯片形成第Q-2串串联连接发光单元；其中，第Q-1串串联连接发光单元和第Q-2串串联连接发光单元反向并联，与相对应的第本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种发光芯片，包括：绝缘衬底；一个单元芯片组；一对焊盘；所述单元芯片组包括第一发光整流单元芯片；第二发光整流单元芯片；第三发光整流单元芯片；第四发光整流单元芯片；一个公共发光单元芯片；所述公共发光单元芯片包括第一组电极和第二组电极；所述一对焊盘包括第一焊盘和第二焊盘；所述第一发光整流单元芯片、所述第二发光整流单元芯片、所述第三发光整流单元芯片、所述第四发光整流单元芯片和所述公共发光单元芯片形成在所述绝缘衬底上，并且彼此分开；所述第一发光整流单元芯片、所述公共发光单元芯片的所述第一组电极、所述第二发光整流单元芯片形成第一串串联连接发光单元；所述第四发光整流单元芯片、所述公共发光单元芯片的所述第二组电极、所述第三发光整流单元芯片形成第二串串联连接发光单元；其中，所述第一串串联连接发光单元和第二串串联连接发光单元反向并联，与所述第一焊盘和第二焊盘形成电连接，使得所述发光芯片可以直接被交流电流驱动，使得所述公共发光单元芯片在输入的交流电流的正半周和负半周都发光，提高芯片发光面积利用率，提高发光效率。

【技术特征摘要】
1.一种发光芯片，包括: 绝缘衬底； 一个单元芯片组；一对焊盘； 所述单元芯片组包括第一发光整流单元芯片；第二发光整流单元芯片；第三发光整流单元芯片；第四发光整流单元芯片；一个公共发光单元芯片； 所述公共发光单元芯片包括第一组电极和第二组电极； 所述一对焊盘包括第一焊盘和第二焊盘； 所述第一发光整流单元芯片、所述第二发光整流单元芯片、所述第三发光整流单元芯片、所述第四发光整流单元芯片和所述公共发光单元芯片形成在所述绝缘衬底上，并且彼此分开； 所述第一发光整流单元芯片、所述公共发光单元芯片的所述第一组电极、所述第二发光整流单元芯片形成第一串串联连接发光单元； 所述第四发光整流单元芯片、所述公共发光单元芯片的所述第二组电极、所述第三发光整流单元芯片形成第二串串联连接发光单元； 其中，所述第一串串联连接发光单元和第二串串联连接发光单元反向并联，与所述第一焊盘和第二焊盘形成电连接，使得所述发光芯片可以直接被交流电流驱动，使得所述公共发光单元芯片在输入的交流电流的正半周和负半周都发光，提高芯片发光面积利用率，提高发光效率。2.根据权利要求1的发光芯片，其特征于，所述发光芯片包括LED发光芯片和OLED发光芯片。3.根据权利要求1的发光芯片，其特征于，所述发光芯片，包括:N个单元芯片组，N ^ 2 ； 与所述N个单元芯片组相对应的N对焊盘； 所述N个单元芯片组中的第M单元芯片组包括:第Ml发光整流单元芯片；第112发光整流单元芯片；第M3发光整流单元芯片；第M4发光整流单元芯片；第M公共发光单元芯片；其中，N≥M≥2 ; 所述N个单元芯片组中的N个所述公共发光单元芯片分别包括第一组 电极和第二组电极； 与所述第M个单元芯片组相对应的第M对焊盘包括第Ml焊盘和第M2焊盘； 所述第M个单元芯片组的所述第Ml发光整流单元芯片、所述第M2发光整流单元芯片、所述第M3发光整流单元芯片、所述第M4发光整流单元芯片和所述第M公共发光单元芯片形成在所述绝缘衬底上，并且彼此分开； 所述第Ml发光整流单元芯片、所述第M公共发光单元芯片的所述第一组电极、所述第M2发光整流单元芯片形成第M-1串串联连接发光单元；所述第M4发光整流单元芯片、所述第M公共发光单元芯片的所述第二组电极、所述第M3发光整流单元芯片形成第M-2串串联连接发光单元；其中，所述第M-1串串联连接发光单元和第M-2串串联连接发光单元反向并联，与相对应的所述第Ml焊盘和第M2焊盘形成电连接，使得所述第M单元芯片组可以直接被从所述第M对焊盘输入的交流电流驱动，使得所述第M公共发光单元芯片在输入的交流电流的正半周和负半周都发光，提高芯片发光面积利用率，提高发光效率。4.根据权利要求3的发光芯片，其特征于，从一对所述焊盘输入的交流电流的相位与从另一对所述焊盘输入的交流电流的相位有一个预定角度不同，使得从一个单元芯片组发出的光与从另一个单元芯片组发出的光互相叠加，降低频闪。5.一种发光芯片，包括: 绝缘衬底； 一个单元芯片组；一对焊盘； 所述单元芯片组包括第一发光整流单元芯片；第二发光整流单元芯片；第三发光整流单元芯片；第四发光整流单元芯片；X个公共发光单元芯片，X≥2 ; 每个所述公共发光单元芯片分别包括第一组电极和第二组电极； 任意两个所述公共发光单元芯片之间有第一中间发光整流单元芯片和第二中间发光整流单元芯片，共有(X-1)个所述第一中间发光整流单元芯片，共有(X-1)个所述第二中间发光整流单元芯片； 所述第一中间发光整流单元芯片与相邻的两个所述公共发光单元芯片的所述第一组电极串联，所述第二中间发光整流单元芯片与相...

【专利技术属性】
技术研发人员：彭晖，
申请(专利权)人：张涛，彭晖，
类型：发明
国别省市：江苏;32