一种嵌段共聚物制剂及其相关方法技术

本发明专利技术涉及一种嵌段共聚物制剂及其相关方法，提供了包含嵌段共聚物共混物的嵌段共聚物制剂，所述嵌段共聚物共混物包括第一聚（丙烯酸酯）-嵌段-聚（丙烯酸甲硅烷基酯）嵌段共聚物、和第二聚（丙烯酸酯）-嵌段-聚（丙烯酸甲硅烷基酯）嵌段共聚物。还提供了用所述嵌段共聚物制剂处理的基材。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及自组装嵌段共聚物领域。具体来说，本专利技术涉及包含嵌段共聚物共混物的嵌段共聚物制剂，所述嵌段共聚物共混物包括第一聚（丙烯酸酯）-嵌段-聚（丙烯酸甲硅烷基酯）嵌段共聚物和第二聚（丙烯酸酯）-嵌段-聚（丙烯酸甲硅烷基酯）二嵌段共聚物。
技术介绍
已知由首尾相连的两种或更多种不同的均聚物组成的一些嵌段共聚物能自组装（self-assemble）成典型尺寸为10纳米至50纳米的周期性微结构域(micro domain)。由于采用光刻技术以纳米尺度尺寸(尤其是小于45纳米)图案化的费用高、难度大，使用这种微结构域在表面形成图案的可能性正越来越受到关注。 但是，控制基材上嵌段共聚物微结构域的横向设置一直是个挑战。过去采用光刻形成的预定形貌的基材和/或对基材化学图案化来解决该问题。过去的研究证明，可引导薄层形式的自组装嵌段共聚物微结构域来遵循(follow)基材的化学图案化，产生与化学预定图案接近的周期性结构。其它研究本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种嵌段共聚物制剂，其包括：嵌段共聚物共混物，该嵌段共聚物共混物包括：第一聚（丙烯酸酯）‑嵌段‑聚（丙烯酸甲硅烷基酯）嵌段共聚物(DB1)，其包括DB1聚（丙烯酸酯）嵌段、DB1聚（丙烯酸甲硅烷基酯）嵌段、且DB1数均分子量MN‑DB1为10‑1000千克/摩尔、DB1多分散性PDDB1为1‑3；以及，第二聚（丙烯酸酯）‑嵌段‑聚（丙烯酸甲硅烷基酯）嵌段共聚物(DB2)，其包括DB2聚（丙烯酸酯）嵌段、DB2聚（丙烯酸甲硅烷基酯）嵌段、且DB2数均分子量MN‑DB2为1‑1000千克/摩尔、DB2多分散性PDDB2为1‑3；以及，≥2重量%的抗氧化剂，以该嵌段共聚物共混物的重量为基准计。

【技术特征摘要】
2013.02.08 US 13/762,7721.一种嵌段共聚物制剂，其包括：
嵌段共聚物共混物，该嵌段共聚物共混物包括：
第一聚（丙烯酸酯）-嵌段-聚（丙烯酸甲硅烷基酯）嵌段共聚物
(\DB1\)，其包括DB1聚（丙烯酸酯）嵌段、DB1聚（丙烯酸甲硅烷基酯）
嵌段、且DB1数均分子量MN-DB1为10-1000千克/摩尔、DB1多分散性
PDDB1为1-3；以及，
第二聚（丙烯酸酯）-嵌段-聚（丙烯酸甲硅烷基酯）嵌段共聚物
(\DB2\)，其包括DB2聚（丙烯酸酯）嵌段、DB2聚（丙烯酸甲硅烷基酯）
嵌段、且DB2数均分子量MN-DB2为1-1000千克/摩尔、DB2多分散性
PDDB2为1-3；以及，
≥2重量%的抗氧化剂，以该嵌段共聚物共混物的重量为基准计。
2.如权利要求1所述的嵌段共聚物制剂，其特征在于，所述嵌段共聚
物制剂包括5-30重量%的抗氧化剂,以该嵌段共聚物共混物的重量为基准计。
3.如权利要求1所述的嵌段共聚物制剂，其特征在于，在该嵌段共聚
物共混物中，DB1与DB2的重量比例是1:1-1:9。
4.如权利要求3所述的嵌段共聚物制剂，其特征在于，所述嵌段共聚
物共混物是≥33重量%-99重量%的DB1和1至≤50重量%的DB2。
5.如权利要求1所述的嵌段共聚物制剂，其特征在于，所述抗氧化剂
选自下组：
包含至少一种2，6-双-叔丁基苯酚部分的抗氧化剂；
包含至少一种具有下式结构的部分的抗氧化剂
包含至少一种具有下式结构的部分的抗氧化剂
包含至少一种具有下式结构的部分的抗氧化剂
以及，
它们的混合物。
6.如权利要求1所述的嵌段共聚物制剂，其特征在于，所述抗氧化剂
选自下组
以及，
它们的混合物。
7.如权利要求1所述的嵌段共聚物制剂，其特征在于，
所述DB1聚（丙烯酸酯）嵌段和DB2聚（丙烯酸酯）嵌段两者都包括
来自丙烯酸酯单体、氘代丙烯酸酯单体、丙烯酸酯嵌段改性单体和氘代丙
烯酸酯嵌段改性单体中至少一种的残基；所述DB1聚（丙烯酸酯）嵌段和
DB2聚（丙烯酸酯）嵌段两者都包括＞75重量%的丙烯酸酯单体衍生单元；所
述丙烯酸酯单体选自下组：(C1-5烷基)丙烯酸C6-14芳基酯、(C1-5烷基)丙烯酸
C1-5烷基酯；所述氘代丙烯酸酯单体选自下组：氘代(C1-5烷基)丙烯酸C6-14芳基酯、氘代(C1-5烷基)丙烯酸C1-5烷基酯；所述丙烯酸酯嵌段改性单体选
自C1-5烯烃和C3-7环烯烃；所述氘代丙烯酸酯嵌段改性单体选自氘代C1-5烯
烃和氘代C3-7环烯烃；以及，
所述DB1聚（丙烯酸甲硅烷基酯）嵌段和DB2聚（丙烯酸甲硅烷基
酯）嵌段两者都包括来自丙烯酸甲硅烷基酯单体、氘代丙烯酸甲硅烷基酯
单体、丙烯酸甲硅烷基酯嵌段改性单体和氘代丙烯酸甲硅烷基酯嵌段改性
单体中至少一种的残基；所述DB1聚（丙烯酸甲硅烷基酯）嵌段和DB2聚
（丙烯酸甲硅烷基酯）嵌段两者都包括＞75重量%的丙烯酸甲硅烷基酯单体
衍生单元；所述丙烯酸甲硅烷基酯单体具有以下结构式
(R1(R2)(R3)Si)rR4xOOCC(R5)=CR62 式中，R1、R2和R3各自独立的选自下组：C1-6烷基,甲硅烷基化C1-6烷基,C1-6烷氧基,甲硅烷基化C1-6烷氧基,C6-10芳基,C6-10芳氧基,甲硅烷基

\t化C6-10芳基,甲硅烷基化C6-10芳氧基,C1-10芳基烷基,C1-10芳基烷氧基,甲硅
烷基化C1-10芳基烷基,甲硅烷基化C1-10芳基烷氧基,C6-10烷基芳基,C6-10烷
基芳氧基,甲硅烷基化C6-10烷基芳基,甲硅烷基化C6-10烷基芳氧基；r选
自下组：0,1,2以及3；R4选自下组：C1-3烷基；x选自下组：0以
及1；R5选自下组：氢以及甲基；R6是氢；所述丙烯酸甲硅烷基酯单
体包括至少一个Si原子；所述氘代丙烯酸甲硅烷基酯单体具有以下结构式
(R7(R8)(R9)Si)tR10yOOCC(R11)=CR122 式中，R7、R8和R9各自独立的选自下组：C1-6烷基,甲硅烷基化C1-6烷基,C1-6烷氧基,甲硅烷基化C1-6烷氧基,C6-10芳基,C6-10芳氧基,甲硅烷基
化C6-10芳基,甲硅烷基化C6-10芳氧基,C1-10芳基烷基,C1-10芳基烷氧基,甲硅
烷基化C1-10芳基烷基,甲硅烷基化C1-10芳基烷氧基,C6-10烷基芳基,C6-10烷
基芳氧基,甲硅烷基化C6-10烷基芳基,甲硅烷基化C6-10烷基芳氧基，氘代C1-6烷基,氘代甲硅烷基化C1-6烷基,氘代C1-6烷氧基,氘代甲硅烷基化C1-6烷
氧基,氘代C6-10芳基,氘代C6-10芳氧基,氘代甲硅烷基化C6-10芳基,氘代甲
硅烷基化C6-10芳氧基,氘代C1-10芳基烷基,氘代C1-10芳基烷氧基,氘代甲硅
烷基化C1-10芳基烷基,氘代甲硅烷基化C1-10芳基烷氧基,氘代C6-10烷基芳
基,氘代C6-10烷基芳氧基,氘代甲硅烷基化C6-10烷基芳基,氘代甲硅烷基化
C6-10烷基芳氧基；t选自下组：0,1,2和3；R10选自下组：C1-3烷基
和氘代C1-3烷基；y是0...

【专利技术属性】
技术研发人员：P·赫斯塔德，P·特雷福纳斯，顾歆宇，张诗玮，V·靳兹伯格，E·沃格尔，D·默里，
申请(专利权)人：罗门哈斯电子材料有限公司，陶氏环球技术有限公司，
类型：发明
国别省市：美国;US