封装结构的联机构件及其制法制造技术

一种封装结构的联机构件及其制法，该封装结构的联机构件包括基板本体、第一感光型介电层、导电孔、第二感光型介电层与线路层，该基板本体的一表面具有导电部，该第一感光型介电层形成于具有该导电部的基板本体的表面上，且具有外露该表面的导电部的孔，该导电孔形成于该孔中，且连接该导电部，该第二感光型介电层形成于该第一感光型介电层上，且具有外露该导电孔与第一感光型介电层的开孔，该线路层形成于该开孔中，且连接该导电孔。本发明专利技术可有效减少工艺步骤、降低工艺成本与缩短工艺时间。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种封装结构的金属联机(Metal Interconnection)构件及其制法，尤指一种低制造成本且具有感光型可图形化介电层的封装结构的金属联机构件及其制法。
技术介绍
传统上集成电路的多层线路结构是先干蚀刻金属层，然后进行介电层的填充；而镶嵌(damascene)技术则是先在介电层上蚀刻出金属导线用的图形，然后再填入金属。镶嵌技术最主要的特点是不需蚀刻金属层。当金属导线的材料由铝转换成电阻率较低的铜时，因为铜的干蚀刻技术较为困难，所以镶嵌技术对于铜工艺来说非常重要。 一般有两种常见的镶嵌结构：单镶嵌(single damascene)结构及双镶嵌(dual damascene)结构。双镶嵌结构是将孔洞及金属导线结合在一起都用镶嵌的方式来做，如此则只需要一个金属填充的步骤，因此，双镶嵌内联机技术在半导体工艺中显得日益重要。 图1A至图1I所示者，为现有的双镶嵌结构的制法的剖视图。 如图1A所示，提供一硅基板10。 如图1B所示，通过化学气相沉积（chemical vapor deposition，简称CVD）方式于该硅基板10的一表面上依序形成第一氮化层11、第一氧化层12、第二氮化层13与第二氧化层14。 如图1C所示，于该第二氧化层14上形成图案化的第一光阻15。 如图1D所示，以该第一光阻15为屏蔽来蚀刻该第二氮化层13与第二氧化层14。 如图1E所示，移除该第一光阻15。 如图1F所示，于该第二氧化层14上形成图案化的第二光阻16。 如图1G所示，以该第二光阻16为屏蔽来蚀刻该第一氮化层11与第一氧化层12，而于该第一氮化层11、第一氧化层12、第二氮化层13与第二氧化层14中构成孔171与沟槽172。 如图1H所示，移除该第二光阻16。 如图1I所示，沉积金属层18，并移除高于该第二氧化层14顶面的金属层18，以于该孔171与沟槽172中分别形成导电孔181与线路层182。 但是，现有的双镶嵌结构的制造必须经过化学气相沉积、光阻涂布、光阻曝光、光阻显影与干蚀刻等步骤，故整体工艺的步骤较多、较还杂、较耗时且成本较高，尤其是该化学气相沉积与干蚀刻步骤需要在高度真空环境下进行，且需要配合特殊工艺气体，所以大幅增加工艺时间与成本。 因此，如何避免上述现有技术中的种种问题，实已成为目前亟欲解决的课题。
技术实现思路
有鉴于上述现有技术的缺点，本专利技术的主要目的在于提供一种封装结构的联机构件及其制法，可有效减少工艺步骤、降低工艺成本与缩短工艺时间。 本专利技术的封装结构的联机构件包括：基板本体，其一表面具有导电部；第一感光型介电层，其形成于具有该导电部的基板本体的表面上，且具有外露该导电部的第一开孔；第一线路层，其形成于该第一开孔中；第二感光型介电层，其形成于该第一感光型介电层与第一线路层上，且具有外露该第一线路层的孔；导电孔，其形成于该孔中，用以电性连接该第一线路层；第三感光型介电层，其形成于该第二感光型介电层上，且具有外露该导电孔与第二感光型介电层的第二开孔；以及第二线路层，其形成于该第二开孔中，用以电性连接该导电孔。 本专利技术还提供一种封装结构的联机构件的制法，其包括：于一具有导电部的基板本体的表面上形成第一感光型介电层，且该第一感光型介电层形成有外露该导电部的第一开孔；于该第一开孔中形成第一线路层；于该第一感光型介电层与第一线路层上形成第二感光型介电层，且该第二感光型介电层形成有外露该第一线路层的孔；于该孔中与第二感光型介电层上形成第三感光型介电层；移除该孔中的第三感光型介电层与该第二感光型介电层上的部分第三感光型介电层，以外露该孔并形成外露该孔与第二感光型介电层的第二开孔；以及于各该孔中形成导电孔，并于该第二开孔中形成第二线路层，以由该导电孔电性连接该第一线路层与第二线路层。 本专利技术提供另一种封装结构的联机构件，其包括：基板本体，其一表面具有导电部；第一感光型介电层，其形成于具有该导电部的基板本体的表面上，且具有外露该导电部的孔；导电孔，各形成于该孔中，用以电性连接该导电部；第二感光型介电层，其形成于该第一感光型介电层上，且具有外露该导电孔与第一感光型介电层的开孔；以及线路层，其形成于该开孔中，用以电性连接该导电孔。 本专利技术还提供另一种封装结构的联机构件的制法，其包括：于一具有导电部的基板本体的表面上形成第一感光型介电层，且该第一感光型介电层形成有外露该导电部的孔；于该孔中与第一感光型介电层上形成第二感光型介电层；移除该孔中的第二感光型介电层与该第一感光型介电层上的部分第二感光型介电层，以外露该孔并形成外露该孔与第一感光型介电层的开孔；以及于各该孔中形成导电孔，并于该开孔中形成线路层，且该导电孔电性连接该导电部与线路层。 由上可知，由于本专利技术为改进现有的双镶嵌结构，并使用感光型介电层来取代现有化学气相沉积的介电层配合光阻以图案化的方式，因此无须进行昂贵且费时的干蚀刻及化学气相沉积步骤，故本专利技术的工艺步骤较少、工艺时间较短且工艺成本较低。 附图说明 图1A至图1I所示者为现有的双镶嵌结构的制法的剖视图。 图2A至图2G所示者为本专利技术的封装结构的联机构件及其制法的第一实施例的剖视图。 图3A至图3F所示者为本专利技术的封装结构的联机构件及其制法的第二实施例的剖视图。 符号说明 10               硅基板 11               第一氮化层 12               第一氧化层 13               第二氮化层 14               第二氧化层 15               第一光阻 16               第二光阻 171、230、310    孔 172              沟槽 18               金属层 181、251、331    导电孔...

【技术保护点】
一种封装结构的联机构件，其包括：基板本体，其一表面具有导电部；第一感光型介电层，其形成于具有该导电部的基板本体的表面上，且具有外露该导电部的第一开孔；第一线路层，其形成于该第一开孔中；第二感光型介电层，其形成于该第一感光型介电层与第一线路层上，且具有外露该第一线路层的孔；导电孔，其形成于该孔中，用以电性连接该第一线路层；第三感光型介电层，其形成于该第二感光型介电层上，且具有外露该导电孔与第二感光型介电层的第二开孔；以及第二线路层，其形成于该第二开孔中，用以电性连接该导电孔。

【技术特征摘要】
2013.02.07 TW 1021047431.一种封装结构的联机构件，其包括：
基板本体，其一表面具有导电部；
第一感光型介电层，其形成于具有该导电部的基板本体的表面上，
且具有外露该导电部的第一开孔；
第一线路层，其形成于该第一开孔中；
第二感光型介电层，其形成于该第一感光型介电层与第一线路层
上，且具有外露该第一线路层的孔；
导电孔，其形成于该孔中，用以电性连接该第一线路层；
第三感光型介电层，其形成于该第二感光型介电层上，且具有外
露该导电孔与第二感光型介电层的第二开孔；以及
第二线路层，其形成于该第二开孔中，用以电性连接该导电孔。
2.根据权利要求1所述的封装结构的联机构件，其特征在于，形成
该第一感光型介电层、第二感光型介电层与第三感光型介电层的材质
为感光型旋涂式介电质、可光定义材料或感光可图案化材料。
3.根据权利要求2所述的封装结构的联机构件，其特征在于，该感
光型旋涂式介电质的主要成份为可光定义的聚对二唑苯先驱物，该可
光定义材料的主要成份为聚酰亚胺先驱物，该感光可图案化材料的主
要成份为聚倍半硅氧烷合成物。
4.根据权利要求1所述的封装结构的联机构件，其特征在于，该第
一感光型介电层、第二感光型介电层与第三感光型介电层的材质为三
者皆相同、三者皆不同或三者中任两者相同。
5.根据权利要求1所述的封装结构的联机构件，其特征在于，该基
板本体为芯片、具有线路的晶圆或中介板或具有多个导电部的介电层
表面本体。
6.根据权利要求1所述的封装结构的联机构件，其特征在于，该基
板本体的该表面具有多个该导电部。
7.根据权利要求6所述的封装结构的联机构件，其特征在于，该联
机构件还包括增层结构，其形成于该第三感光型介电层上，该增层结
构包括至少一第一增层感光型介电层、形成于该增层感光型介电层上
的第二增层感光型介电层、多个形成于该第一增层感光型介电层中的
增层导电孔、与形成于该第二增层感光型介电层中的增层线路层。
8.一种封装结构的联机构件的制法，其包括：
于一具有导电部的基板本体的表面上形成第一感光型介电层，且
该第一感光型介电层形成有外露该导电部的第一开孔；
于该第一开孔中形成第一线路层；
于该第一感光型介电层与第一线路层上形成第二感光型介电层，
且该第二感光型介电层形成有外露该第一线路层的孔；
于该孔中与第二感光型介电层上形成第三感光型介电层；
移除该孔中的第三感光型介电层与该第二感光型介电层上的部分
第三感光型介电层，以外露该孔并形成外露该孔与第二感光型介电层
的第二开孔；以及
于各该孔中形成导电孔，并于该第二开孔中形成第二线路层，以
由该导电孔电性连接该第一线路层与第二线路层。
9.根据权利要求8所述的封装结构的联机构件的制法，其特征在
于，该第一开孔、孔与第二开孔的形成以微影工艺为之。
10.根据权利要求8所述的封装结构的联机构件的制法，其特征在
于，于形成该第一开孔后，还包括固化该第一感光型介电层。
11.根据权利要求8所述的封装结构的联机构件的制法，其特征在
于，于形成该孔后，还包括固化该第二感光型介电层。
12.根据权利要求8所述的封装结构的联机构件的制法，其特征在

\t于，于形成该第二开孔后，还包括固化该第三感光型介电层。
13.根据权利要求8所述的封装结构的联机构件的制法，其特征在
于，形成该第一感光型介电层、第二感光型介电层与第三感光型介电
层的材质为感光型旋涂式介电质、可光定义材料或感光可图案化材料。
14.根据权利要求13所述的封装结构的联机构件的制法，其特征在
于，该感光型旋涂式介电质的主要成份为可光定义的聚对二唑苯先驱
物，该可光定义材料的主要成份为聚酰亚胺先驱物，该感光可图案化
材料的主要成份为聚倍半硅氧烷合成物。
15.根据权利要求8所述的封装结构的联机构件的制法，其特征在
于，该第一感光型介电层、第二感光型介电层与第三感光型介电层的
材质为三者皆相同、三者皆不同或三者中任两者相同。
16.根据权利要求8所述的封装结构的联机构件的制法，其特征在
于，该基板本体为芯片、具有线路的晶圆或中介板或具有多个导电部
的介电层表面本体。
17.根据权利要求8所述的封装结构的联机构件的制法，其特征在
于，该基板本体的该表面具有多个该导电部。

【专利技术属性】
技术研发人员：林俊宏，卢俊宏，马光华，黄晓君，陈光欣，
申请(专利权)人：矽品精密工业股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾;71