高可靠性表面安装器件制造技术

本发明专利技术公开一种高可靠性表面安装器件，包括：二极管芯片；第一引线端头通过焊膏层与二极管芯片的正极面的连接，第二引线端头通过焊膏层与二极管芯片的负极面的连接，第一引线端头、第二引线端头与焊膏层接触的表面设有至少2个凹洞；二极管芯片包括重掺杂P型区、轻掺杂P型区、轻掺杂N型区和重掺杂N型区的P型单晶硅片衬底；轻掺杂N型区与重掺杂N型区接触的上部区域具有中掺杂N型区；轻掺杂P型区位于轻掺杂P型区边缘的四周区域具有中掺杂P型区。本发明专利技术大大降低整个器件的反向漏电流，避免了器件的局部温升，提高了器件耐高压性能性和可靠性；也防止发生移位、焊接封装后的二极管焊片偏心，提高了二极管的良品率和电性能，大大减低了环氧封装体与铜引线之间开裂。

【技术实现步骤摘要】
【专利摘要】本专利技术公开一种高可靠性表面安装器件，包括：二极管芯片；第一引线端头通过焊膏层与二极管芯片的正极面的连接，第二引线端头通过焊膏层与二极管芯片的负极面的连接，第一引线端头、第二引线端头与焊膏层接触的表面设有至少2个凹洞；二极管芯片包括重掺杂P型区、轻掺杂P型区、轻掺杂N型区和重掺杂N型区的P型单晶硅片衬底；轻掺杂N型区与重掺杂N型区接触的上部区域具有中掺杂N型区；轻掺杂P型区位于轻掺杂P型区边缘的四周区域具有中掺杂P型区。本专利技术大大降低整个器件的反向漏电流，避免了器件的局部温升，提高了器件耐高压性能性和可靠性；也防止发生移位、焊接封装后的二极管焊片偏心，提高了二极管的良品率和电性能，大大减低了环氧封装体与铜引线之间开裂。【专利说明】高可靠性表面安装器件
本专利技术涉及一种表面安装器件，属于半导体元器件领域。
技术介绍
表面安装器件广泛应用于各种电子线路。现有的高可靠性表面安装器件存在以下技术问题:(1)高温下漏电流大，器件容易局部温升，器件耐高压性能性和可靠性均较差；体积较大，安装不方便，且安装时，容易造成环氧封装体与铜引线开裂，以及影响二极管芯片与铜引线焊接牢度；(3)铜引线与二极管芯片之间容易发生移位，最终导致焊接封装后的二极管焊片偏心，造成二极管的良品率下降，接触不可靠，电性能不稳定且容易失效等问题。
技术实现思路
本专利技术提供一种高可靠性表面安装器件，该表面安装器件大大降低整个器件的反向漏电流，避免了器件的局部温升，提高了器件耐高压性能性和可靠性；也防止发生移位、焊接封装后的二极管焊片偏心，提高了二极管的良品率和电性能，大大减低了环氧封装体与铜引线之间开裂。为达到上述目的，本专利技术采用的技术方案是:一种高可靠性表面安装器件，包括: 二极管芯片，其具有正极面和负极面； 第一铜引线，此第一铜引线一端为第一焊接区，此第一铜引线另一端作为整流二极管器件的阳极端子区，阳极端子区一端与第一焊接区一端之间具有第一折弯区； 第二铜引线，此第二铜引线一端为第二焊接区，此第二铜引线另一端作为整流二极管器件的阴极端子区，阴极端子区一端与第二焊接区一端之间具有第二折弯区； 位于第一焊接区另一端的第一引线端头通过焊膏层与所述二极管芯片的正极面的连接，位于第二焊接区另一端的第二引线端头通过焊膏层与所述二极管芯片的负极面的连接，第一引线端头、第二引线端头与焊膏层接触的表面设有至少2个凹洞； 所述第一铜引线的第一焊接区、第二铜引线的第二焊接区中部均设有凸条； 一环氧封装体包覆所述二极管芯片、第一焊接区和第二焊接区，第一折弯区、第二折弯区分别位于环氧封装体两侧，阳极端子区、阴极端子区位于环氧封装体下方； 所述二极管芯片包括重掺杂P型区、轻掺杂P型区、轻掺杂N型区和重掺杂N型区的P型单晶硅片衬底，此轻掺杂N型区与轻掺杂P型区接触形成结接触面且其位于其正上方，重掺杂N型区与轻掺杂N型区接触并位于其正上方，重掺杂P型区与轻掺杂P型区接触并位于其正下方； 重掺杂N型区的中央区域覆盖作为负极的第一金属层，重掺杂P型区下表面覆盖作为阳极的第二金属层； 所述轻掺杂N型区与重掺杂N型区接触的上部区域且位于轻掺杂N型区边缘的四周区域具有中掺杂N型区，此中掺杂N型区的上表面与重掺杂N型区的下表面接触；所述轻掺杂P型区与重掺杂P型区接触的下部区域且位于轻掺杂P型区边缘的四周区域具有中掺杂P型区，此中掺杂P型区的下表面与重掺杂P型区的上表面接触。上述技术方案中进一步改进的方案如下: 1.上述方案中，所述P型单晶硅片衬底四周具有环形缺口区，此环形缺口区位于轻掺杂P型区、轻掺杂N型区和重掺杂N型区四周，所述环形缺口区的表面覆盖有绝缘钝化保护层，此绝缘钝化保护层内侧延伸至重掺杂N型区上表面的边缘区域。2.上述方案中，所述中掺杂N型区的外侧面与环形缺口区接触，此中掺杂P型区的外侧面与环形缺口区接触。3.上述方案中，所述凸条分别与第一焊接区、第二焊接区垂直设置，所述凸条的长度大于第一引线端头、第二引线端头的长度。4.上述方案中，所述第一焊接区与阳极端子区平行且其与第一折弯区垂直，所述第二焊接区与阴极端子区平行且其与第二折弯区垂直。由于上述技术方案运用，本专利技术与现有技术相比具有下列优点: 本专利技术高可靠性表面安装器件，其包括重掺杂P型区、轻掺杂P型区、轻掺杂N型区和重掺杂N型区的P型单晶硅片衬底，环形缺口区位于轻掺杂P型区、轻掺杂N型区和重掺杂N型区四周，轻掺杂N型区与重掺杂N型区接触的上部区域且位于轻掺杂N型区边缘的四周区域具有中掺杂N型区，轻掺杂P型区与重掺杂P型区接触的下部区域且位于轻掺杂P型区边缘的四周区域具有中掺杂P型区，在低压(10V以下)TVS在隧道击穿模式下，有效避免了电荷扩展到边缘边角以及电场扩展，保证了在高温下降低漏电流中来自表面的漏电流，大大降低整个器件的反向漏电流，避免了器件的局部温升，提高了器件耐高压性能性和可靠性；其次，其包括二极管芯片、第一铜引线、第二铜引线，第一铜引线的第一焊接区、第二铜引线的第二焊接区中部均设有凸条，一环氧封装体包覆所述二极管芯片、第一焊接区和第二焊接区，第一折弯区、第二折弯区分别位于环氧封装体两侧，阳极端子区、阴极端子区位于环氧封装体下方，减小了体积同时，便于安装方便，且大大减低了环氧封装体与铜引线之间开裂，以及大大减少后续使用中导致二极管芯片与铜引线焊接不牢的风险；其次，其位于第一焊接区另一端的第一引线端头通过焊膏层与二极管芯片的正极面的连接，位于第二焊接区另一端的第二引线端头通过焊膏层与二极管芯片的负极面的连接，第一引线端头、第二引线端头与焊膏层接触的表面设有至少2个凹洞，防止发生移位、焊接封装后的二极管焊片偏心，提闻了二极管的良品率、可罪性和电性能。【专利附图】【附图说明】附图1为本专利技术高可靠性表面安装器件结构示意图； 附图2为附图1的高可靠性表面安装器件局部结构示意图。以上附图中:1、二极管芯片；2、第一铜引线；21、第一焊接区；22、阳极端子区；23、第一折弯区；3、第二铜引线；31、第二焊接区；32、阴极端子区；33、第二折弯区；4、第一引线端头；5、焊膏层；6、第二引线端头；7、环氧封装体；8、凸条；9、凹洞；11、重掺杂P型区；12、轻掺杂P型区；13、轻掺杂N型区；14、重掺杂N型区；15、P型单晶硅片衬底；16、环形缺口区；17、绝缘钝化保护层；18、第一金属层；19、第二金属层；20、中掺杂N型区；24、中掺杂P型区。【具体实施方式】下面结合附图及实施例对本专利技术作进一步描述: 实施例:一种高可靠性表面安装器件，包括: 二极管芯片I，其具有正极面和负极面； 第一铜引线2，此第一铜引线2 —端为第一焊接区21，此第一铜引线2另一端作为整流二极管器件的阳极端子区22，阳极端子区22 —端与第一焊接区21 —端之间具有第一折弯区23 ； 第二铜引线3，此第二铜引线3 —端为第二焊接区31，此第二铜引线3另一端作为整流二极管器件的阴极端子区32，阴极端子区32 —端与第二焊接区31 —端之间具有第二折弯区33 ； 位于第一焊接区21另一端的第一引线端头4通过焊膏层5与所述二极管芯片I的正极面的连接，位于第二焊接区31另一端的第二引线端头6通过焊膏本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种高可靠性表面安装器件，其特征在于：包括：二极管芯片（1），其具有正极面和负极面；第一铜引线（2），此第一铜引线（2）一端为第一焊接区（21），此第一铜引线（2）另一端作为整流二极管器件的阳极端子区（22），阳极端子区（22）一端与第一焊接区（21）一端之间具有第一折弯区（23）；第二铜引线（3），此第二铜引线（3）一端为第二焊接区（31），此第二铜引线（3）另一端作为整流二极管器件的阴极端子区（32），阴极端子区（32）一端与第二焊接区（31）一端之间具有第二折弯区（33）；位于第一焊接区（21）另一端的第一引线端头（4）通过焊膏层（5）与所述二极管芯片（1）的正极面的连接，位于第二焊接区（31）另一端的第二引线端头（6）通过焊膏层（5）与所述二极管芯片（1）的负极面的连接，第一引线端头（4）、第二引线端头（6）与焊膏层（5）接触的表面设有至少2个凹洞（9）；所述第一铜引线（2）的第一焊接区（21）、第二铜引线（3）的第二焊接区（31）中部均设有凸条（8）；一环氧封装体（7）包覆所述二极管芯片（2）、第一焊接区（21）和第二焊接区（31），第一折弯区（23）、第二折弯区（33）分别位于环氧封装体（7）两侧，阳极端子区（22）、阴极端子区（32）位于环氧封装体（7）下方；所述二极管芯片（1）包括重掺杂P型区（11）、轻掺杂P型区（12）、轻掺杂N型区（13）和重掺杂N型区（14）的P型单晶硅片衬底（15），此轻掺杂N型区（13）与轻掺杂P型区（12）接触形成结接触面且其位于其正上方，重掺杂N型区（14）与轻掺杂N型区（13）接触并位于其正上方，重掺杂P型区（11）与轻掺杂P型区（12）接触并位于其正下方；重掺杂N型区（14）的中央区域覆盖作为负极的第一金属层（18），重掺杂P型区（11）下表面覆盖作为阳极的第二金属层（19）；所述轻掺杂N型区（13）与重掺杂N型区（14）接触的上部区域且位于轻掺杂N型区（13）边缘的四周区域具有中掺杂N型区（11），此中掺杂N型区（11）的上表面与重掺杂N型区（14）的下表面接触；所述轻掺杂P型区（12）与重掺杂P型区（11）接触的下部区域且位于轻掺杂P型区（12）边缘的四周区域具有中掺杂P型区（24），此中掺杂P型区（24）的下表面与重掺杂P型区（11）的上表面接触。...

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：罗伟忠，华国铭，张建平，
申请(专利权)人：苏州锝耀电子有限公司，
类型：发明
国别省市：江苏;32