并入了添加剂的透明导体以及相关的制造方法技术

透明导体包含导电性陶瓷的膜。添加剂至少部分地并入膜中。添加剂是导电性的和半导电的至少一种，并且至少一种添加剂具有至少3的纵横比。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】【专利摘要】透明导体包含导电性陶瓷的膜。添加剂至少部分地并入膜中。添加剂是导电性的和半导电的至少一种，并且至少一种添加剂具有至少3的纵横比。【专利说明】相关申请的交叉引用本申请要求2011年6月28日提交的美国临时申请号61/502，169,2011年10月17日提交的美国临时申请号61/547，983、2011年6月28日提交的美国临时申请号61/502，174、2011年10月17日提交的美国临时申请号61/547，995、2011年6月28日提交的美国临时申请号61/502，180,2011年10月17日提交的美国临时申请号61/548，001、2011年11月16日提交的美国临时申请号61/560，475和2011年11月23日提交的美国临时申请号61/563，454的权益，其公开内容通过引用以其全文并入本文。专利
本专利技术一般而言涉及并入了添加剂的结构。更具体而言，本专利技术涉及并入了添加剂的透明导体，以赋予改进的功能比如导电性。
技术介绍
透明导体允许光透射，同时提供导电通路，用于电流流过包含透明导体的装置。传统地，透明导体形成为掺杂的金属氧化物的涂层，比如掺杂锡的氧化铟(或ΙΤ0)，其布置在玻璃或塑料膜衬底上面。ITO涂层一般通过利用干法形成，比如通过利用专门的物理气相沉积(例如，溅射)或专门的化学气相沉积技术。所得的涂层可展现良好的透明度和良好的导电性。然而，这些技术的缺点包括高成本、高过程复杂性、强的能量需要、装置的高资本支出以及差的生产率。针对此背景，需要开发本文所述的透明导体和相关制造方法。
技术实现思路
本专利技术的一个方面涉及透明导体。在一个实施方式中，透明导体包含导电性陶瓷的膜。添加剂至少部分地并入膜中。添加剂是导电性的和半导电的至少一种，并且至少一种添加剂具有至少3的纵横比。在另一个实施方式中，透明导体包含具有嵌入表面的陶瓷材料。添加剂至少部分地嵌入陶瓷材料中，并且定位在邻近嵌入表面的嵌入区域中。嵌入区域的厚度不大于陶瓷材料整体厚度的50%，并且添加剂是导电性的和半导电的至少一种。在一些实施中，透明导体还包含邻近嵌入表面并且覆盖从陶瓷材料暴露的添加剂的部分的外涂层。也考虑了本专利技术的其它方面和实施方式。前面的
技术实现思路
和下面的详述不旨在将本专利技术限于任何【具体实施方式】，而仅仅在于描述本专利技术的一些实施方式。附图简述为了更好地理解本专利技术一些实施方式的性质和目的，应当结合附图参阅下面的详述。图1A和图1B图解了根据本专利技术实施方式实施的透明导体。图2A至图2C图解了根据本专利技术实施方式的用于形成透明导体的制造方法。图3A和图3B分别图解了根据本专利技术实施方式的“不足嵌入(under-embedding) ”和“过度嵌入(over-embedding) ”的情况。图4至图8图解了根据本专利技术实施方式的用于形成透明导体的制造方法。图9图解了根据本专利技术实施方式的LCD。图10图解了根据本专利技术实施方式的用于IXD的滤色片。图11图解了根据本专利技术实施方式的薄膜太阳能电池。 图12图解了根据本专利技术实施方式的投射电容式触摸屏装置。图13图解了根据本专利技术实施方式的OLED发光装置。图14图解了根据本专利技术实施方式的电子纸(e-paper)。图15图解了根据本专利技术实施方式的智能窗(smart window)。图16包含图解透明导体的热稳定性的显微镜图像。图17包含图解透明导体的热稳定性的显微镜图像。详述定义以下定义适用于关于本专利技术一些实施方式描述的一些方面。这些定义同样可以在本文得到扩展。除非上下文另作清楚规定，否则如本文使用的，单数形式“一个(a) ”、“一个(an) ”和“所述(the)”包括多个指代物。因此，例如，除非上下文另作清楚规定，否则提到一个对象可包括多个对象。如本文使用的，术语“组(set)”是指一个或多个对象的集合。因此，例如，一组对象可包括单个对象或多个对象。一个组的对象也可称作所述组的成员。一个组的对象可以是相同或不同的。在一些情况中，一个组的对象可共有一个或多个共同特征。如本文使用的，术语“邻近”是指接近或邻接。邻近的对象可彼此间隔开，或者可彼此实际或直接接触。在一些情况中，邻近的对象可彼此连接，或者可彼此整体地形成。如本文使用的，术语“连接”、“连接的”是指操作性耦接或链接。连接的对象可彼此直接耦接，或者可例如经由另一组对象彼此间接地耦接。如本文使用的，术语“基本上”和“基本”是指相当大的程度或范围。当结合某一事件或情况使用时，该术语可以指所述事件或情况准确地发生的情形以及所述事件或情况近似地发生的情形，比如解释本文所述的制造方法的典型容限水平(tolerance level)。如本文使用的，术语“任选的”和“任选地”是指随后描述的事件或情况可能发生或可能不发生，并且这一描述包括所述事件或情况发生的情形以及所述事件或情况不发生的情形。如本文使用的，相对性术语，例如“里面(inner) ”、“内部(interior) ”、“外面(outer) ”、“外部(exterior) ”、“顶部”、“底部”、“正面”、“背面”、“后面”、“上部”、“向上地”、“下部”、“向下地”、“垂直”、“垂直地”、“横向”、“横向地”、“在……之上(above)”及“在……之下(below) ”是指例如根据附图，一组对象相对彼此的取向，但在制造或使用期间不要求这些对象的特定取向。如本文使用的，术语“纳米范围”或“nm范围”是指约Inm至约I微米(“ μ m”)的尺寸范围。nm范围包括“较低nm范围”,指的是从约Inm到约IOnm的尺寸范围；“中间nm范围”，指的是从约IOnm到约IOOnm的尺寸范围；以及“较高nm范围”,指的是从约IOOnm到约Iym的尺寸范围。如本文使用的，术语“微米范围”或“ym范围”是指约Ιμπι至约I毫米(“mm”)的尺寸范围。μ m范围包括“较低μL?范围”，指的是从约ΙμL?到约ΙΟμL?的尺寸范围；“中间μ m范围”，指的是从约10 μ m到约100μπι的尺寸范围；以及“较高μ m范围”，指的是从约100 μ m到约Imm的尺寸范围。如本文使用的,术语“纵横比(aspect ratio) ”是指对象的最大尺寸或范围与所述对象的其余尺寸或范围的平均值的比，其中所述其余尺寸相对彼此且相对最大尺寸正交。在一些情况中，对象的其余尺寸可基本上相同，并且所述其余尺寸的平均值可基本上对应于所述其余尺寸中的任一项。例如，圆柱体的纵横比是指圆柱体的长度与圆柱体截面直径的比。作为另一个实例，椭球体的纵横比是指椭球体的长轴与椭球体的短轴的比。如本文使用的，术语“纳米级”对象是指具有至少一个在nm范围内的尺寸的对象。纳米级对象可具有任何的各种各样的形状，并且可由各种各样的材料形成。纳米级对象的实例包括纳米线(nanowire)、纳米管、纳米片(nanoplatelet)、纳米颗粒以及其它纳米结构。如本文使用的，术语“纳米线”是指细长的纳米级对象，其基本上是实心的。一般地，纳米线具有nm范围 内的横向尺寸(例如，以宽度、直径或者表示跨正交方向的平均值的宽度或直径形式的截面尺寸)、在μ m范围内的纵向尺寸(例如，长度)以及约3或更大的纵横比。如本文使用的，“纳米片”是指基本上实心的片状纳米级对本文档来自技高网...

【技术保护点】
透明导体，其包括：导电性陶瓷的膜；以及至少部分地并入所述膜中的添加剂，所述添加剂是导电性的和半导电的至少一种，并且所述添加剂的至少一种具有至少3的纵横比。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...

【专利技术属性】
技术研发人员：A·D·斯里尼瓦斯，M·R·罗宾逊，M·E·扬，
申请(专利权)人：英诺华动力有限公司，
类型：发明
国别省市：美国;US