一种砷化镉半导体纳米簇的制备方法技术

本发明专利技术的一种砷化镉纳米簇的制备方法属于半导体纳米材料制备的技术领域，具体涉及一种可用于大量制备砷化镉纳米簇的合成方法。本发明专利技术利用砷化物与无机酸反应制取AsH3气体，并同时将气体通入到N2保护的羧酸镉的十八稀溶液中进行反应，生成Cd3As2纳米簇化合物。本发明专利技术制备的纳米簇有着十分尖锐对称的吸收及荧光峰，表现出较好的发光性质，具有良好的单分散性，整个反应操作简单，所有反应物成本相对便宜且利于保存，并且可以大量合成，反应过程不使用有机磷。

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】
一种砷化镉半导体纳米簇的制备方法，利用砷化物与无机酸反应制取AsH3气体，并同时将制得的AsH3气体通入到N2保护的羧酸镉的十八稀溶液中，在50℃～120℃温度下进行反应，生成Cd3As2纳米簇化合物。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：解仁国，李冬泽，杨文胜，
申请(专利权)人：吉林大学，
类型：发明
国别省市：吉林;22