一种阵列基板、显示面板及显示器制造技术

本发明专利技术公开了一种阵列基板、显示面板及显示器，在阵列基板上的栅极线和总线的第一交叠区域至显示区域之间设置有辅助电极线段，辅助电极线段与栅极线在第二交叠区域交叠且与栅极线和总线均绝缘，且辅助电极线段与所述总线位于同一导电层，或者，辅助电极线段位于总线所在导电层与栅极线所在导电层之间。通过形成辅助电极线段，使得在制作阵列基板的过程中栅极线和辅助电极线段之间发生静电击伤，而释放栅极线上的静电，最大程度的降低栅极线和总线发生静电击伤而短路的几率，进而提高产品的良率。

【技术实现步骤摘要】
【专利摘要】本专利技术公开了一种阵列基板、显示面板及显示器，在阵列基板上的栅极线和总线的第一交叠区域至显示区域之间设置有辅助电极线段，辅助电极线段与栅极线在第二交叠区域交叠且与栅极线和总线均绝缘，且辅助电极线段与所述总线位于同一导电层，或者，辅助电极线段位于总线所在导电层与栅极线所在导电层之间。通过形成辅助电极线段，使得在制作阵列基板的过程中栅极线和辅助电极线段之间发生静电击伤，而释放栅极线上的静电，最大程度的降低栅极线和总线发生静电击伤而短路的几率，进而提高产品的良率。【专利说明】一种阵列基板、显示面板及显示器
本专利技术涉及静电防护
，更具体地说，涉及一种阵列基板、显示面板及显示器的静电防护。
技术介绍
TFT-LCD (Thin Film Transistor Liquid Crystal Display,薄膜晶体管液晶显示器)具有体积小、低功耗、无辐射等优点，在当前显示器市场占据了主导地位，其被广泛应用于手机、电视、电脑等电子产品中。薄膜晶体管液晶显示器主要包括阵列基板、液晶层和彩膜基板，液晶层设置于阵列基板和彩膜基板之间，通过在阵列基板和彩膜基板上施加电压，控制液晶层的液晶分子的长轴转向，从而控制透过液晶层的光线的多少，达到调节通过液晶层的光强的目的。参考图1所示，为现有的阵列基板的结构示意图，阵列基板包括非显示区域100和显示区域200,非显示区域100包围显示区域200。显示区域200内包括多个栅极线201,栅极线201延伸排布至非显示区域100，并与非显示区域100内的栅极驱动电路102电性相连，在非显示区域100靠近显示区域200的一侧边缘包括总线101，栅极线201与总线101交叠且在交叠区域内电性绝缘。阵列基板通常是在一个大玻璃基板上形成各功能层，而后将大玻璃基板切割后获得多个阵列基板，但是现有的阵列基板在制作过程中存在各种问题，导致良率很低。
技术实现思路
有鉴于此，本专利技术提供一种阵列基板、显示面板及显示器，通过在总线和显示区域之间形成辅助电极线段，能降低总线和栅极线之间发生静电击伤的几率，从而提高产品良率。一种阵列基板，包括非显示区域和显示区域，所述非显示区域包围显示区域，所述显示区域内包括多个栅极线，所述非显示区域内包括一总线，所述栅极线延伸排布至所述非显示区域，并与所述非显示区域内的栅极驱动电路电性相连，每个所述栅极线与所述总线在第一交叠区域内交叠且在所述第一交叠区域内电性绝缘，所述阵列基板还包括:位于所述总线与所述显示区域之间的多个辅助电极线段，所述辅助电极线段与所述总线位于同一导电层或位于所述总线所在的导电层与所述栅极线所在的导电层之间，且多个所述辅助电极线段之间电性绝缘，每个所述栅极线对应与一个所述辅助电极线段交叠并形成第二交叠区域，且所述栅极线与所述辅助电极线段互为电性绝缘。一种显示面板，包括上述阵列基板。一种显示器,包括上述的显示面板。与现有技术相比，本专利技术所提供的技术方案具有以下优点:本专利技术所提供的阵列基板、显示面板及显示器，在阵列基板上的栅极线和总线的第一交叠区域至显示区域之间设置有辅助电极线段，辅助电极线段与栅极线在第二交叠区域交叠且与栅极线和总线均绝缘，且辅助电极线段与所述总线位于同一导电层，或者，辅助电极线段位于总线所在导电层与栅极线所在导电层之间。通过形成辅助电极线段，使得在制作阵列基板的过程中栅极线和辅助电极线段之间发生静电击伤，而释放栅极线上的静电，最大程度的降低栅极线和总线发生静电击伤而短路的几率，进而提高产品的良率。【专利附图】【附图说明】为了更清楚地说明本专利技术实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本专利技术的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。图1为现有的一种阵列基板的结构不意图；图2a为本申请实施例提供的一种阵列基板的结构示意图；图2b为本申请实施例提供的一种静电聚集释放示意图；图3a为本申请实施例提供的一种相邻两个辅助电极线段所在区域以内的结构示意图；图3b为本申请实施例提供的另一种相邻两个辅助电极线段所在区域以内的结构示意图；图4a为本申请实施例提供的另一种相邻两个辅助电极线段所在区域以内的结构示意图；图4b为本申请实施例提供的另一种相邻两个辅助电极线段所在区域以内的结构示意图；图5为本申请实施例提供的一种显示面板的结构示意图。【具体实施方式】正如
技术介绍
所述，现有制作阵列基板的良率低，专利技术人经研究发现，造成这种缺陷的原因主要有栅极线与总线在交叠区域发生静电击穿，导致栅极线与总线之间短路。具体的，在制作阵列基板的过程中，制作完毕的栅极线和总线之间具有交叠区域，由于栅极线和总线均在制作阵列基板的过程中积累静电，当静电积累到一定程度后，可能会在两者的交叠区域发生静电击穿，进而破坏了该交叠区域的结构，使总线和栅极线之间电性导通。尤其是在非显示区域靠近显示区域的一侧边缘与显示区域之间的总线，该总线极易与栅极线发生静电击穿，降低了阵列基板的良率。本专利技术提供了一种阵列基板，以克服现有技术存在的上述问题，包括非显示区域和显示区域，所述非显示区域包围显示区域，所述显示区域内包括多个栅极线，所述非显示区域内包括一总线，所述栅极线延伸排布至所述非显示区域，并与所述非显示区域内的栅极驱动电路电性相连，每个所述栅极线与所述总线在第一交叠区域内交叠且在所述第一交叠区域内电性绝缘，所述阵列基板还包括:位于所述总线与所述显示区域之间的多个辅助电极线段，所述辅助电极线段与所述总线位于同一导电层或位于所述总线所在的导电层与所述栅极线所在的导电层之间，且多个所述辅助电极线段之间电性绝缘，每个所述栅极线对应与一个所述辅助电极线段交叠并形成第二交叠区域，且所述栅极线与所述辅助电极线段互为电性绝缘。由上述方案可以看出，通过形成辅助电极线段，使得在制作阵列基板的过程中栅极线和辅助电极线段之间发生静电击伤，而释放栅极线上的静电，最大程度的降低栅极线和总线发生静电击伤而短路的几率，进而提闻广品的良率。以上是本专利技术的核心思想，为使本专利技术的上述目的、特征和优点能够更加明显易懂，下面结合附图对本专利技术的【具体实施方式】做详细的说明。在下面的描述中阐述了很多具体细节以便于充分理解本专利技术，但是本专利技术还可以采用其他不同于在此描述的其它方式来实施，本领域技术人员可以在不违背本专利技术内涵的情况下做类似推广，因此本专利技术不受下面公开的具体实施例的限制。其次，本专利技术结合示意图进行详细描述，在详述本专利技术实施例时，为便于说明，表示器件结构的剖面图会不依一般比例作局部放大，而且所述示意图只是示例，其在此不应限制本专利技术保护的范围。此外，在实际制作中应包含长度、宽度及深度的三维空间尺寸。本申请实施例提供的一种阵列基板，参考图2a所示，为本申请实施例提供的一种阵列基板的结构示意图，阵列基板包括:非显示区域I和显示区域2,非显示区域I包围显示区域2。非显示区域I内包括有一总线11 ；显示区域2包括多个栅极线21 ；其中，栅极线21延伸排布至非显示区域1，并与非显示区域I内的栅极驱动电路13电性相连，每个栅极线21与该总线11在第一交叠区域A内交叠，本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种阵列基板，包括非显示区域和显示区域，所述非显示区域包围显示区域，所述显示区域内包括多个栅极线，所述非显示区域内包括一总线，所述栅极线延伸排布至所述非显示区域，并与所述非显示区域内的栅极驱动电路电性相连，每个所述栅极线与所述总线在第一交叠区域内交叠且在所述第一交叠区域内电性绝缘，其中，所述阵列基板还包括：位于所述总线与所述显示区域之间的多个辅助电极线段，所述辅助电极线段与所述总线位于同一导电层或位于所述总线所在的导电层与所述栅极线所在的导电层之间，且多个所述辅助电极线段之间电性绝缘，每个所述栅极线对应与一个所述辅助电极线段交叠并形成第二交叠区域，且所述栅极线与所述辅助电极线段互为电性绝缘。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：赵剑，丁洪，
申请(专利权)人：上海天马微电子有限公司，天马微电子股份有限公司，
类型：发明
国别省市：上海;31