一种用于阵列基板的测试结构及其制造方法技术

本发明专利技术公开了一种测试结构及其制造方法，该测试结构包括薄膜晶体管，设置在所述阵列基板的外围区域中；在所述阵列基板的显示区域中设置有数据线，所述薄膜晶体管的源极或漏极与所述显示区域中的数据线电连接；栅极测试线，作为所述薄膜晶体管的栅极，且包括多个彼此分离的栅极测试线段；所述栅极测试线段通过导通线电连接在一起。该测试结构能够消除栅极测试线中的静电积累，防止栅极测试线与数据线之间的静电击伤，并且不增加工艺的复杂性。

【技术实现步骤摘要】
一种用于阵列基板的测试结构及其制造方法
本专利技术涉及液晶显示
，尤其涉及一种用于阵列基板的测试结构及其制造方法。
技术介绍
目前，液晶显示器以高清晰度、真彩视频显示、外观轻薄、耗电量少、无辐射等优点而逐渐成为显示设备发展的主流。液晶显示器通常包括用于显示画面的液晶显示面板和用于向液晶显示面板提供信号的电路部分。液晶显示面板又通常包括彩膜基板和阵列基板，它们通过框胶彼此粘接并由间隙隔开，而液晶材料注入到彩膜基板和阵列基板之间的空隙中。阵列基板是在透明玻璃基板设置栅线、栅绝缘层、有源层、源电极、漏电极、数据线、钝化层及像素电极而构成的层状结构，被区分为显示区域和位于所述显示区域外围的外围区域，外围区域上虽然也设有栅线、数据线及像素电极等，但是通过彩膜基板黑矩阵的遮挡，因此液晶显示器在外围区域不会有影像显示。目前，针对液晶面板的测试主要集中在整体品质的测试，如亮度、对比度或色饱和度等外部光学特性的测试。由于液晶面板制作完成后，阵列基板上的像素和电路部分均被封装在内部，无法直接接触和测量例如栅极、像素电极极公共电极线的信号等液晶面板内部电学特性。因此，现有技术在进行液晶面板测试中，通常采用拆分液晶面板并测试待测元件的电阻、线宽等方法。实际上，这种方法无法分析液晶面板的实际工作情况，不仅对分析造成很大困难和滞后，而且液晶面板拆分后不能工作，因此不是真正意义上实时信号测试。在这些改进的技术中，提出了在阵列基板的外围区域中形成测试线的技术方案，如公开号为CN101770122A的中国专利提出了一种TFT-LCD阵列基板及测试方法，在阵列基板的外围区域形成测试线，在正常工作室，测试线与待测元件（栅线、数据线、像素电极或公共电极线）之间处于绝缘状态，因此不会影响正常工作；在需要测试时，采用激光焊接方法建立测试线与待测元件之间的连接即可实现对液晶面板各待测元件上的信号进行测试。该方法仍然给测试带来很大不便。更为改进的技术是在阵列基板的外围区域中形成栅极测试线，在栅极测试线上形成薄膜晶体管，如附图1所示，在阵列基板的外围区域形成栅极测试线1，栅极测试线上形成薄膜晶体管的源极2和漏极3，以及沟道层4。薄膜晶体管的漏极3与显示区域中的数据线电连接。测试时，栅极测试线1控制所述薄膜晶体管的开关导通，从所述薄膜晶体管的源极2输入测试信号，该测试信号从所述薄膜晶体管的漏极3输送到所述数据线，从而在显示区域中可以显示测试画面。采用这种方式对阵列基板上的待测元件进行测试，工艺简便，测试效果好，但这种方式存在缺点，在测试结构的制造过程中，常会产生较大的静电，测试结构通常形成在玻璃基板上，这些静电能够在玻璃上聚集，对测试结构产生静电损害。尤其栅极测试线1为大面积金属，薄膜晶体管的源漏极也是由金属组成，会积聚静电，在像素电极的制成前，就经常在源漏极与栅极测试线交叠的边缘处5发生静电击伤，进而造成面板显示不良。
技术实现思路
本专利技术的目的在于提出一种用于阵列基板的测试结构及其制造方法，消除栅极测试线中的静电积聚，防止发生静电击伤，提高产品的良率。为达此目的，本专利技术采用以下技术方案：一种用于阵列基板的测试结构，其特征在于，包括薄膜晶体管，设置在所述阵列基板的外围区域中；在所述阵列基板的显示区域中设置有数据线，所述薄膜晶体管的源极或漏极与所述显示区域中的数据线电连接；栅极测试线，作为所述薄膜晶体管的栅极，且包括多个彼此分离的栅极测试线段；所述栅极测试线段通过导通线电连接在一起。进一步地，所述导通线至少为两条，且彼此分离设置于相邻的所述栅极测试线段之间。进一步地，所述导通线为一条连接所有所述栅极测试线段的导线。进一步地，在所述栅极测试线的一侧还包括延伸出所述栅极测试线段的接触栅极测试线，所述接触栅极测试线通过所述导通线使栅极测试线段实现电连接。进一步地，测试时，所述栅极测试线控制所述薄膜晶体管的开关导通，从所述薄膜晶体管的源极输入测试信号，该测试信号从所述薄膜晶体管的漏极输送到所述数据线，从而在显示区域中可以显示测试画面；或者从所述薄膜晶体管的漏极输入测试信号，该测试信号从所述薄膜晶体管的源极输送到所述数据线。进一步地，在所述显示区域中还设置有多条扫描线，所述扫描线和所述数据线彼此交叉限定出像素区，在所述像素区中具有像素电极，所述导通线与所述像素电极采用同层材料制作。进一步地，在每个栅极测试线段中可以设置1-5个薄膜晶体管。本专利技术还提供了一种阵列基板测试结构的制造方法，其特征在于，包括以下步骤：提供一阵列基板；该阵列基板包括显示区域和外围区域；所述外围区域中形成彼此分离的栅极测试线段；在所述栅极测试线段上形成栅绝缘膜；在所述栅极绝缘膜上形成薄膜晶体管的沟道层；形成所述薄膜晶体管的源漏极和数据线，其中，所述薄膜晶体管的源极或漏极与所述数据线电连接；在所述栅极测试线段上形成导通线，所述栅极测试线段通过所述导通线电连接在一起。进一步地，所述导通线至少为两条，且彼此分离形成于相邻的所述栅极测试线段之间。进一步地，所述导通线为一条连接所有所述栅极测试线段的导线。进一步地，在所述栅极测试线的一侧形成伸出所述栅极测试线段的接触栅极测试线，所述接触栅极测试线通过所述导通线使栅极测试线段实现电连接。进一步地，在所述栅极绝缘膜上形成薄膜晶体管的沟道层的步骤之后，还包括：在所述源漏极和栅极测试线上形成保护层。进一步地，在所述栅极测试线段上形成导通线，所述薄膜晶体管的源极或漏极与所述数据线电连接步骤包括：在覆盖接触栅极测试线的栅绝缘膜和保护层上形成接触孔，所述导通线通过接触孔将栅极测试线段电连接在一起。进一步地，在所述显示区域中还形成多条扫描线，所述数据线与所述扫描线交叉限定出像素区域，在所述像素区域中形成像素电极。进一步地，所述导通线与像素电极采用同层材料制作。进一步地，所述薄膜晶体管的源极或漏极与所述数据线为同一条金属线。进一步地，在每个栅极测试线段结构中设置1-5个薄膜晶体管。与现有技术相比，本专利技术的测试结构能够消除栅极测试线线中的静电积累，防止栅极测试线与数据线之间的静电击伤，并且不增加工艺的复杂性。附图说明图1为现有技术中测试结构的俯视图。图2为本专利技术具体实施例一中阵列基板的俯视图。图3为本专利技术具体实施例一中测试结构的俯视图。图4为本专利技术具体实施例一中另一种测试结构的俯视图。图5为本专利技术具体实施例一中另一种测试结构的俯视图。图6为本专利技术具体实施例一中薄膜晶体管的截面结构示意图。图7-10为本专利技术具体实施例一中接触栅极测试线的截面结构示意图。图11-12为本专利技术具体实施例一中另一种测试结构的截面结构示意图。图中的附图标记所分别指代的技术特征为：1、栅极测试线；2、漏极；3、源极；4、沟道层；5、静电击伤发生处；100、基板；101、栅极测试线；101-1、栅极测试线段；102、漏极；103、源极；104、沟道层；105、栅绝缘膜；106、保护层；107、接触孔；108、外围区域；109、显示区域；110、扫描线；111数据线；112、像素区；113、像素电极；211、212、214、215、217、接触栅极测试线；213、216、导通线。具体实施方式下面结合附图和实施例对本专利技术作进一步的详细说明。可以理解的是，此处所描述的具体实施例仅仅用于解释本专利技术，本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种用于阵列基板的测试结构，其特征在于，包括薄膜晶体管，设置在所述阵列基板的外围区域中；在所述阵列基板的显示区域中设置有数据线，所述薄膜晶体管的源极或漏极与所述显示区域中的数据线电连接；栅极测试线，作为所述薄膜晶体管的栅极，且包括多个彼此分离的栅极测试线段；所述栅极测试线段通过导通线电连接在一起。

【技术特征摘要】
1.一种用于阵列基板的测试结构，其特征在于，包括薄膜晶体管，设置在所述阵列基板的外围区域中；在所述阵列基板的显示区域中设置有数据线，所述薄膜晶体管的源极或漏极与所述显示区域中的数据线电连接；栅极测试线，作为所述薄膜晶体管的栅极，且包括多个彼此分离的栅极测试线段，所述栅极测试线段上形成栅绝缘膜，所述栅极绝缘膜上形成薄膜晶体管的沟道层，所述薄膜晶体管的源极和漏极覆盖部分沟道层；所述栅极测试线段通过导通线电连接在一起；在所述栅极测试线的一侧还包括延伸出所述栅极测试线段的接触栅极测试线，所述接触栅极测试线通过所述导通线使栅极测试线段实现电连接。2.根据权利要求1所述的测试结构，其特征在于，所述导通线至少为两条，且彼此分离设置于相邻的所述栅极测试线段之间。3.根据权利要求1所述的测试结构，其特征在于，所述导通线为一条连接所有所述栅极测试线段的导线。4.根据权利要求1所述的测试结构，其特征在于，测试时，所述栅极测试线控制所述薄膜晶体管的开关导通，从所述薄膜晶体管的源极输入测试信号，该测试信号从所述薄膜晶体管的漏极输送到所述数据线，从而在显示区域中可以显示测试画面；或者从所述薄膜晶体管的漏极输入测试信号，该测试信号从所述薄膜晶体管的源极输送到所述数据线。5.根据权利要求1所述的测试结构，其特征在于，在所述显示区域中还设置有多条扫描线，所述扫描线和所述数据线彼此交叉限定出像素区，在所述像素区中具有像素电极，所述导通线与所述像素电极采用同层材料制作。6.根据权利要求1所述的测试结构，其特征在于，在每个栅极测试线段中可以设置1-5个薄膜晶体管。7.一种阵列基板测试结构的制造方法，其特征在于，包括以下步骤：提供一阵列基板；该阵列基板包括显示区域和外围区域；所述外围区域中形成彼此分离的...

【专利技术属性】
技术研发人员：梁艳峰，
申请(专利权)人：上海中航光电子有限公司，天马微电子股份有限公司，
类型：发明
国别省市：上海;31