纳米WC晶须的制备方法技术

本发明专利技术公开了一种纳米WC晶须的制备方法，按照如下步骤完成：(1)、将偏钨酸、葡萄糖、氯化钠、氯化钴加入纯水中进行充分溶解，葡糖糖的量为偏钨酸重量的8％-9％，氯化钠的重量为偏钨酸重量的6.5％-65％，氯化钴的重量为偏钨酸重量的30％-70％；(2)、将上述溶液放入真空干燥箱中干燥，得到粉末；(3)、将步骤(2)中得到的粉末充分研磨，然后过40目筛网，细粉备用；(4)、将步骤(3)中筛分后的细粉放入真空碳化管炉中，通入氩气，升温至1300-1450℃，保温1-2h，然后冷却得到WC晶须。本发明专利技术通过气-液-固相反应制备WC晶须，除WC晶须外，其他生成物均为气态，可以有效的排出，可以有效的提高晶须的纯度；该制备方法操作简单，对设备要求较低。

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】
一种纳米WC晶须的制备方法，其特征在于：按照如下步骤完成：(1)、将偏钨酸、葡萄糖、氯化钠、氯化钴加入纯水中进行充分溶解，所述葡糖糖的量为偏钨酸重量的8％‑9％，所述氯化钠的重量为偏钨酸重量的6.5％‑65％，所述氯化钴的重量为偏钨酸重量的30％‑70％；(2)、将上述溶液放入真空干燥箱中干燥得到粉末；(3)、将步骤(2)中得到的粉末充分研磨，然后过40目筛网，细粉备用；(4)、将步骤(3)中筛分后的细粉放入真空碳化管炉中，通入氩气，升温至1300‑1450℃，保温1‑2h，然后冷却得到WC晶须。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：姜爱民，蒋显全，杨荣杰，余荣，李权，杨锦，潘复生，
申请(专利权)人：重庆市科学技术研究院，
类型：发明
国别省市：重庆;85