一种纳米二硅化钼增强的高导热碳化硅基陶瓷电路板基板材料及其制备方法技术

本发明专利技术公开了一种纳米二硅化钼增强的高导热碳化硅基陶瓷电路板基板材料，该碳化硅基陶瓷基板以微米级的碳化硅粉体与纳米量级的氧化铝粉体复合使用，使得坯体密度更高，烧结稳定性更佳，加入的叶腊石可有效的降低烧结温度，纳米二硅化钼有良好的补强增韧功效，其能增进导热能力，不破坏基板的绝缘性，而含有纳米陶瓷粉透明液体的聚乙二醇复合溶剂对粉体间的浸润性和粘结能力强，可使得各物料间均匀分散包覆，形成具有均匀结构的坯体，在相对较低的烧结温度下即可得到高致密度、高强度、高导热性的复合陶瓷基板，且生产过程安全环保，应用潜力巨大。

【技术实现步骤摘要】
【专利说明】 一种纳米二硅化钼増强的高导热碳化硅基陶瓷电路板基板 材料及其制备方法
本专利技术涉及碳化硅陶瓷制备
，尤其涉及。
技术介绍
随着电子元器件功率和密度的增大，致使单位体积发热量也随之增加，对电路基板的综合性能要求越来越高，其中陶瓷基板具备良好的综合性能，在绝缘性、导热性以及热膨胀性、化学稳定性等方面表现突出，逐渐被广泛的应用于基板材料中，其中沿用较久的主要是以氧化铝、氧化铍作为基板原料，然而氧化铝陶瓷片存在热导率低、热膨胀系数与Si不相匹配等缺点，氧化铍陶瓷虽然综合性能较为优良，但是其生产成本较高、有毒，氮化铝陶瓷虽然综合性能较为优良，但生产成本较高，应用也受到限制，反之以碳化硅作为基板材料在使用性能上则具有较为明显的优势。虽然碳化硅陶瓷基板的应用前景广阔，然而在实际生产过程中存在烧结致密度低、原料利用率低、绝缘性有待提高等等问题，制约着这类材料的大规模使用，急需从原料配制及生产工艺上做进一步的改进。
技术实现思路
本专利技术目的就是为了弥补已有技术的缺陷，提供。本专利技术是通过以下技术方案实现的: 一种纳米二硅化钼增强的高导热碳化硅基陶瓷电路板基板材料，该材本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种纳米二硅化钼增强的高导热碳化硅基陶瓷电路板基板材料，其特征在于，该材料由以下重量份的原料制成：碳化硅60‑75、叶腊石2‑3、纳米二硅化钼1‑1.5、纳米氧化铝12‑15、硅烷偶联剂kh550 1‑2、甘油8‑10、乙二醇5‑6、聚乙二醇1‑2、纳米陶瓷粉透明液体10‑12、去离子水50‑60。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：王丹丹，王乐平，夏运明，涂聚友，
申请(专利权)人：合肥龙多电子科技有限公司，
类型：发明
国别省市：安徽;34