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一种纳米二硅化钼增强的高导热碳化硅基陶瓷电路板基板材料及其制备方法技术
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文档序号:12984901
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本发明公开了一种纳米二硅化钼增强的高导热碳化硅基陶瓷电路板基板材料,该碳化硅基陶瓷基板以微米级的碳化硅粉体与纳米量级的氧化铝粉体复合使用,使得坯体密度更高,烧结稳定性更佳,加入的叶腊石可有效的降低烧结温度,纳米二硅化钼有良好的补强增韧功效,...
该专利属于合肥龙多电子科技有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过合肥龙多电子科技有限公司授权不得商用。
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