一种用等离子发射光谱测定三乙基铝中铝含量的方法技术

技术编号:10168652 阅读:218 留言:0更新日期:2014-07-02 10:59
本发明专利技术涉及一种用等离子发射光谱法测定三乙基铝中铝含量的方法;量取100ml正己烷和20ml乙醚稀释1.0ml三乙基铝;加入20%的硫酸20ml,放出下层酸液再分别用20%的硫酸20ml和20ml去离子水各萃取一次,收集下层萃取液;将萃取液置于电热板上100~200℃下加热,至冒出大量三氧化硫白烟,用去离子水稀释定容至刻度待测;绘制标准曲线;用等离子发射光谱仪测定所得含铝样品溶液,按标准曲线自动计算出三乙基铝样品中铝元素的含量;三乙基铝中铝含量按下式计算:X=C×V1/V2;该方法简便,快速,准确,检测限低,回收率达96~103%,RSD<5%,用于合成1-己烯过程中三乙基铝中铝元素含量的测定。

【技术实现步骤摘要】
【专利摘要】本专利技术涉及一种用等离子发射光谱法测定三乙基铝中铝含量的方法;量取100ml正己烷和20ml乙醚稀释1.0ml三乙基铝;加入20%的硫酸20ml,放出下层酸液再分别用20%的硫酸20ml和20ml去离子水各萃取一次,收集下层萃取液;将萃取液置于电热板上100~200℃下加热,至冒出大量三氧化硫白烟,用去离子水稀释定容至刻度待测;绘制标准曲线;用等离子发射光谱仪测定所得含铝样品溶液,按标准曲线自动计算出三乙基铝样品中铝元素的含量;三乙基铝中铝含量按下式计算:X=C×V1/V2;该方法简便,快速,准确,检测限低,回收率达96~103%,RSD<5%,用于合成1-己烯过程中三乙基铝中铝元素含量的测定。【专利说明】
本专利技术涉及一种测定三乙基铝中铝含量的方法,特别涉及。
技术介绍
三乙基铝是乙烯齐聚合成1-己烯的主要助催化剂,通过它对主催化剂中金属进行还原,将催化剂中的金属还原成低价态,这样,乙烯对中心金属的络合才能发生反应。三乙基铝加入量过低,会影响主催化剂中金属的还原效果,使聚合物生成量增加;加入量过高,因其本身是链增长剂,会使副产物增加,1-己烯的选择性下降。因此,严格控制三乙基铝的含量才会使乙烯齐聚合成1-己烯的反应顺利进行。三乙基铝中铝的测定是控制三乙基铝含量有效手段。目前,测定铝元素的方法主要有分光光度法,电化学法,X荧光光谱法,原子吸收光谱法和等离子发射光谱法等。多数文献报道只是测定水中或固体样品中的铝,或有机溶剂中铝的含量的测定,而对于三乙基铝中铝的测定却未见报道(三乙基铝遇水和空气会发生爆炸)。
技术实现思路
本专利技术的目的是提供,采用正己烷和乙醚稀释、溶解三乙基铝,硫酸萃取铝离子,端视条件下电感耦合等离子发射光谱法测定三乙基铝的铝含量。本专利技术所述的用等离子发射光谱测定三乙基铝中铝含量的方法,按如下步骤:步骤一,在排风良好的通风柜中进行以下操作,量取100mL正己烷倒入用氮气吹扫过的250ml分液漏斗中,在氮气吹扫下,取下样品瓶瓶塞,用氮气吹扫过的移液管吸取1.0ml三乙基招,缓慢加入分液漏斗中,缓慢摇匀,冷却IOmin,再取约20ml乙醚缓慢加入分液漏斗中,充分摇匀。步骤二,再加入20%的硫酸20ml,剧烈震荡lOmin,静置分层,放出下层酸液于50ml石英烧杯中,再分别用20%的硫酸20ml和20ml去离子水各萃取一次,收集下层萃取液。步骤三,将盛有萃取液石英烧杯置于电热板上10(T20(TC下加热,至冒出大量三氧化硫白烟,待白烟赶尽,将石英烧杯取下,冷却至室温,将样品转移置50ml容量瓶中,用去离子水稀释并定容至刻度,混匀后待测;步骤四,绘制标准曲线:将浓度为ΙΟΟΟμ g/ml的铝标准储备液,稀释至50 μ g/ml,取50 μ g/ml铝的标准溶液0、0.1、0.5、1.0、2.0、5.0,10.0ml至50ml容量瓶中,加入I~2ml浓硝酸(65飞8%),用无离子水稀释至刻度,依次得空白溶液和浓度为0.1、0.5、1.0、2.0、5.0,10.0 μ g/ml的标准系列。用等离子发射光谱仪在设定的工作条件下,分别测定空白溶液、标样溶液,计算机自动绘制标准曲线。步骤五,用等离子发射光谱仪测定步骤三所得含铝样品溶液,按步骤四的曲线自动计算出三乙基铝样品中铝元素的含量。结果计算:三乙基铝中铝含量按下式计算:X=CXV1A2式中:X 二乙基招中招的浓度,单似:U g/ml ;C——仪器直接测定的样品的浓度,单位:μ g/ml ;V1——容量瓶的体积,单位:ml ;V2-三乙基铝试样的体积,单位:ml。计算结果保留四位有效数字。该方法简便,快速,准确,检测限低,回收率可达96~103%,RSD〈5%,适合于三乙基铝中铝的测定。该方法 适用于合成1-己烯过程中三乙基铝中铝元素含量的测定。【具体实施方式】实施例:1.仪器和试剂1.1 仪器1.1美国PE公司0ptima5300DV全谱直读等离子体发射光谱仪;波长范围165^782nm ;SCD分段式电荷耦合固体检测器。1.2 试剂HNO3> H2SO4为高纯试剂;正己烷、乙醚为优级纯;氩气纯度≥99.9%。铝的标准储备液为国家标准试剂,浓度为ΙΟΟΟμ g/ml。将铝标准储备液稀释至50μ g/ml备用。测定时逐级稀释成0.1、0.5、1.0、2.0、5.0、10.0μ g/ml的标准系列。2.测试条件仪器测试条件见表1。表1ICP的测试条件【权利要求】1.一种用等离子发射光谱法测定三乙基铝中铝含量的方法,其特征包括: 步骤一,在排风良好的通风柜中进行以下操作,量取100mL正己烷倒入用氮气吹扫过的250ml分液漏斗中,在氮气吹扫下,取下样品瓶瓶塞,用氮气吹扫过的移液管吸取1.0ml三乙基招,缓慢加入分液漏斗中,缓慢摇匀,冷却1Omin,再取约20ml乙醚缓慢加入分液漏斗中,充分摇匀; 步骤二,再加入20%的硫酸20ml,剧烈震荡lOmin,静置分层,放出下层酸液于50ml石英烧杯中,再分别用20%的硫酸20ml和20ml去离子水各萃取一次,收集下层萃取液; 步骤三,将盛有萃取液石英烧杯置于电热板上100~20(TC下加热,至冒出大量三氧化硫白烟,待白烟赶尽,将石英烧杯取下,冷却至室温,将样品转移置50ml容量瓶中,用去离子水稀释并定容至刻度,混匀后待测; 步骤四,绘制标准曲线:将浓度为1000μg/ml的铝标准储备液,稀释至50 μ g/ml,取.50 μ g/ml铝的标准溶液0、0.1、0.5、1.0、2.0、5.0,10.0ml至50ml容量瓶中,加入I~2ml浓硝酸(65飞8%),用无离子水稀释至刻度,依次得空白溶液和浓度为0.1,0.5、1.0,2.0,5.0、.10.0 μ g/ml的标准系列;用等离子发射光谱仪在设定的工作条件下,分别测定空白溶液、标样溶液,计算机自动绘制标准曲线; 步骤五,用等离子发射光谱仪测定步骤三所得含铝样品溶液,按步骤四的曲线自动计算出三乙基铝样品中铝元素的含量; 结果计算: 三乙基铝中铝含量按下式计算: X=CXV1A2 式中:X 二乙基招中招的浓度,单位:u g/ml ; C——仪器直接测定的样品的浓度,单位:μ g/ml ; V1——容量瓶的体积,单位:ml ; V2-三乙基铝试样的体积,单位:ml。【文档编号】G01N21/71GK103901016SQ201210579318【公开日】2014年7月2日 申请日期:2012年12月27日 优先权日:2012年12月27日 【专利技术者】荣丽丽, 李群英, 孙玲, 王桂芝, 张春燕, 高文丽, 邵伟, 张岩, 韩延楠, 李国庆, 刘长福, 梁忠越 申请人:中国石油天然气股份有限公司本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种用等离子发射光谱法测定三乙基铝中铝含量的方法,其特征包括:步骤一,在排风良好的通风柜中进行以下操作,量取100ml正己烷倒入用氮气吹扫过的250ml分液漏斗中,在氮气吹扫下,取下样品瓶瓶塞,用氮气吹扫过的移液管吸取1.0ml三乙基铝,缓慢加入分液漏斗中,缓慢摇匀,冷却10min,再取约20ml乙醚缓慢加入分液漏斗中,充分摇匀;步骤二,再加入20%的硫酸20ml,剧烈震荡10min,静置分层,放出下层酸液于50ml石英烧杯中,再分别用20%的硫酸20ml和20ml去离子水各萃取一次,收集下层萃取液;步骤三,将盛有萃取液石英烧杯置于电热板上100~200℃下加热,至冒出大量三氧化硫白烟,待白烟赶尽,将石英烧杯取下,冷却至室温,将样品转移置50ml容量瓶中,用去离子水稀释并定容至刻度,混匀后待测;步骤四,绘制标准曲线:将浓度为1000μg/ml的铝标准储备液,稀释至50μg/ml,取50μg/ml铝的标准溶液0、0.1、0.5、1.0、2.0、5.0、10.0ml至50ml容量瓶中,加入1~2ml浓硝酸(65~68%),用无离子水稀释至刻度,依次得空白溶液和浓度为0.1、0.5、1.0、2.0、5.0、10.0μg/ml的标准系列;用等离子发射光谱仪在设定的工作条件下,分别测定空白溶液、标样溶液,计算机自动绘制标准曲线;步骤五,用等离子发射光谱仪测定步骤三所得含铝样品溶液,按步骤四的曲线自动计算出三乙基铝样品中铝元素的含量;结果计算:三乙基铝中铝含量按下式计算:X=C×V1/V2式中:X——三乙基铝中铝的浓度,单位:μg/ml;      C——仪器直接测定的样品的浓度,单位:μg/ml;      V1——容量瓶的体积,单位:ml;      V2——三乙基铝试样的体积,单位:ml。...

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员:荣丽丽李群英孙玲王桂芝张春燕高文丽邵伟张岩韩延楠李国庆刘长福梁忠越
申请(专利权)人:中国石油天然气股份有限公司
类型:发明
国别省市:北京;11

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