一种光子计数全谱直读发射光谱仪制造技术

本发明专利技术提供一种光子计数全谱直读发射光谱仪，主要由激发装置、分光系统、光子计数成像探测器以及信息处理及显示构成：激发装置提供能量激发样品产生特征发射光谱；分光系统将包含特征发射光谱的入射复合光色散成光谱强度分布图像；光子计数成像探测器通过位敏探测和光子计数以数字化的方式重构光谱强度分布图像；信息处理及显示根据数字光谱强度分布图像中每一像元的位置和光强对样品进行定性定量分析。本发明专利技术结合了光子计数和“全谱直读”两大技术优势，不仅检出限低、读数精度高、数据稳定性好以及线性动态范围大，还可同时分析多种物质成分、可充分利用工作波长范围内的每一条谱线、工作速度快、结构简单以及运行稳定性好。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种全新的发射光谱仪，即一种基于“光子计数成像探测器”的光子计数全谱直读发射光谱仪。本专利技术特别适用于原子(元素)、分子、离子以及其它物质成分的痕量或超痕量分析，可广泛的应用于环境监测、食品安全、生物光学、冶金化工、地质勘探以及医药卫生等众多行业与学科

技术介绍
发射光谱是指处于激发态的原子或分子跃迁到基态或较低激发态时产生辐射，辐射的强度按频率或波长分布的集合。研究发射光谱的特征和规律可以了解原子或分子的能级结构、运动状态以及原子或分子同电磁场或粒子相互作用的性质。按照是否存在外界激发过程，发射光谱可分为自发辐射谱和受激辐射谱两种1)自发辐射是指处于高能级&上的原子或分子自发的跃迁到低能级E1上，并伴随辐射出一个频率为ν的光子，hv = E2-E1，式中h为普朗克常量。由于自发辐射的无序性， 自发辐射谱多为连续谱。幻受激辐射是指受外界能量的激发，处于高能级氏上的原子或分子跃迁到低能级 E1I，并伴随辐射出一个频率为ν的光子，Iw = E2-E1= ΔΕ，式中ΔΕ为外界激发能。由于受激辐射的相干性，原子的受激辐射谱为线状谱，分子的受激辐射谱为带状谱本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：缪震华，张利，杨萍，黄涛，张庆，尹延静，文敏，刘敏敏，
申请(专利权)人：深圳市世纪天源环保技术有限公司，缪震华，
类型：发明
国别省市：