一种可以提高直拉法单晶生长速度的冷却装置制造方法及图纸

本实用新型专利技术公开了一种可以提高单晶生长速度的冷却装置。该装置为有锥度的筒状组合部件，由三层组成，最外层为低发射率的钼筒，中间层为内部通冷却介质的绕制铜管，铜管穿出炉外后，连接炉台冷却介质管路，最内层为铜筒。铜筒和绕制铜管之间充分焊接接触。铜筒的下端内径大于或等于导流筒的下端内径。该装置结构设计合理，铜管按照一定锥度绕制后，穿出炉外，杜绝了冷却介质在炉内泄漏的可能。导流筒可以避免熔体飞溅到冷却装置。在直拉法单晶炉热场中采用该装置，可以强化生长界面附近的晶体冷却效果，增大晶体的纵向温度梯度，从而大幅提高晶体的生长速度。达到快速生长晶体，降低晶体加工成本的目的。（*该技术在2023年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】
一种可以提高直拉法单晶生长速度的冷却装置，其安装于单晶炉内，其特征在于，该冷却装置由具有锥度的三层部件组合而成，最外层为钼筒（4），中间层为内部通冷却介质的绕制铜管（3），最内层为铜筒（2）。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：黄小卫，吴亮，孟召标，刘辉，伍耀川，陈龙，
申请(专利权)人：上海涌真机械有限公司，苏州协鑫工业应用研究院有限公司，
类型：新型
国别省市：上海;31