一种湿法刻蚀的切水装置制造方法及图纸

技术编号:10139846 阅读:95 留言:0更新日期:2014-06-27 19:00
本实用新型专利技术公布了一种湿法刻蚀的切水装置,包括至少一对上下垂直安装的滚轮,所述滚轮整体外径相同,所述上下滚轮之间留有间隙,所述滚轮的两端安装有卡槽,所述上下滚轮的转动方向相反,转动速率相同,所述切水装置水平方向至少设有一个滚轮,所述水平方向的滚轮间的间距相等。本实用新型专利技术的湿法刻蚀的切水装置,相较于现有的湿法刻蚀采用的风刀切水装置而言,具有以下优点:切水滚轮不需要压缩空气,硅片无压力,大大降低了碎片及堵片的风险;硅片表面的药液受到滚轮的阻挡,从硅片表面流入下槽,不会带入后面的槽体内,实现了化学反应的隔离;柱形切水滚轮表面一定的微结构处理,或者借助外面包裹一层多孔状泡沫,保证了硅片经过时不会打滑。(*该技术在2023年保护过期,可自由使用*)

【技术实现步骤摘要】
【专利摘要】本技术公布了一种湿法刻蚀的切水装置,包括至少一对上下垂直安装的滚轮,所述滚轮整体外径相同,所述上下滚轮之间留有间隙,所述滚轮的两端安装有卡槽,所述上下滚轮的转动方向相反,转动速率相同,所述切水装置水平方向至少设有一个滚轮,所述水平方向的滚轮间的间距相等。本技术的湿法刻蚀的切水装置,相较于现有的湿法刻蚀采用的风刀切水装置而言,具有以下优点:切水滚轮不需要压缩空气,硅片无压力,大大降低了碎片及堵片的风险;硅片表面的药液受到滚轮的阻挡,从硅片表面流入下槽,不会带入后面的槽体内,实现了化学反应的隔离;柱形切水滚轮表面一定的微结构处理,或者借助外面包裹一层多孔状泡沫,保证了硅片经过时不会打滑。【专利说明】—种湿法刻蚀的切水装置
本技术涉及一种湿法刻蚀的切水装置。
技术介绍
风刀在湿法刻蚀设备上使用非常普遍。晶体硅太阳能电池硅片主要通过湿法刻蚀完成边缘绝缘化,它通常由一系列槽体模块连接而成,依次为氢氟酸槽1-风刀-刻蚀槽-喷淋-风刀-碱槽-风刀-喷淋-风刀-氢氟酸槽2-风刀-喷淋-风刀。风刀主要用吹掉硅片表面的残液,实现相邻槽化学反应的隔离,避免硅片表面发生污染。不过,采用风刀装置实现化学药液的隔离仍存在一定的严重缺陷,如压缩空气高压吹扫下硅片受力不均易破碎,碎硅片又会造成后面的硅片前进受阻而发生堵片,进一步加剧了碎片的数量。因此,必须对切水装置进行改造来减少碎片数量。
技术实现思路
技术目的:本技术的目的在于针对目前现有技术中的不足,提出一种湿法刻蚀的切水装置。技术方案:为实现上述技术目的,本技术采用如下的技术方案:一种湿法刻蚀的切水装置,其特征在于:所述切水装置包括至少一对上下垂直安装的滚轮,所述滚轮整体外径相同,所述上下滚轮之间留有间隙,所述滚轮的两端安装有卡槽,所述上下滚轮的转动方向相反,转动速率相同,所述切水装置水平方向至少设有一个滚轮,所述水平方向的滚轮间的间距相等。上滚轮和下滚轮安装时保持中心线垂直,上滚轮和下滚轮的转动方向相反,均与硅片前进方向一致。所述滚轮为圆柱形平滑滚轮。所述上下滚轮之间的间隙为0.2-0.5mm。一般硅片的厚度为大约有0.2 mm,滚轮安装于硅片的两侧,间隙为0.2-0.5_,既能充分让滚轮将硅片表面残液挤掉,又恰好让硅片通过。保证了硅片经过时不会打滑。所述滚轮外径表面设有凹凸结构或设有多孔软泡沫层,所述泡沫层厚度均匀。所述水平方向的滚轮间的间距≤4cm。所述滚轮的外径≤4cm。 所述凹凸结构包括微孔结构、浅沟槽结构。所述微孔结构的开口宽度≤1mm,所述浅沟槽结构的深度≤0.5mm。所述滚轮的材质为高分子材料,包括PVDF。切水滚轮采用高强度、耐强酸和强碱的高分子材料加工,包括但不限于PVDF材质。PVDF材质,强度高,耐酸碱,使用寿命长。所述泡沫层的材质为高分子材料,包括PP、PVC0泡沫层采用高分子材料,其化学性能稳定,耐强酸和强碱,且韧性好,包括但不限于PP、PVC等材料。有益效果:采用上述技术方案的本技术具有以下优点:本技术的湿法刻蚀的切水装置,相较于现有的湿法刻蚀采用的风刀切水装置而言,具有以下优点:(I)切水滚轮不需要压缩空气,硅片无压力,大大降低了碎片及堵片的风险;(2)硅片表面的药液受到滚轮的阻挡,从硅片表面流入下槽,不会带入后面的槽体内,实现了化学反应的隔离;(3)柱形切水滚轮表面一定的微结构处理,或者借助外面包裹一层多孔状泡沫,保证了硅片经过时不会打滑;(4)本技术所述的滚轮,主体采用PVDF板材加工而成,强度高,耐酸碱,使用寿命长的优点。【专利附图】【附图说明】图1为本技术实施例的结构示意图;图2为传统的风刀切水装置示意图;图中:1-凹凸结构或泡沫层、2-上滚轮、3-上传动齿轮、4-硅片、5-下滚轮、6-下传动齿轮。【具体实施方式】以下结合附图及具体实施例对本技术做进一步阐述。图1为本技术的结构示意图,主要由1-凹凸结构或泡沫层、2-上滚轮、3-上传动齿轮、5-下滚轮、6-下传动齿轮构成。图2为传统的风刀切水装置示意图,图中的CDA是指干净干燥压缩空气。实施例1;一种湿法刻蚀的切水装置,其特征在于:一对上下垂直安装的圆柱形平滑滚轮滚轮,所述滚轮整体外径相同,所述上、下滚轮2、5之间留有0.3mm的间隙,所述上、下滚轮2、5对称的分布于硅片4的上下两侧,所述滚轮的两端安装有卡槽,所述上、下滚轮2、5分别装有上、下传动齿轮3、6,所述的上、下传动齿轮3、6转动方向相反,转动速率相同,所述切水装置水平方向至少设有一个滚轮,所述水平方向的滚轮间的间距相等约为3.8cm,所述滚轮外径表面设有开口宽度为0.9mm的微孔结构1,所述滚轮的外径3.8cm。实施例2:一种湿法刻蚀的切水装置,其特征在于:一对上下垂直安装的圆柱形平滑滚轮滚轮,所述滚轮整体外径相同,所述上、下滚轮2、5之间留有0.4mm的间隙,所述上、下滚轮2、5对称的分布于硅片4的上下两侧,所述滚轮的两端安装有卡槽,所述上、下滚轮2、5分别装有上、下传动齿轮3、6,所述的上、下传动齿轮3、6转动方向相反,转动速率相同,所述切水装置水平方向至少设有一个滚轮,所述水平方向的滚轮间的间距相等约为3.9cm,所述滚轮外径表面设有深度为0.4mm的浅沟槽结构I,所述滚轮的外径3.9cm。实施例3:一种湿法刻蚀的切水装置,其特征在于:一对上下垂直安装的圆柱形平滑滚轮滚轮,所述滚轮整体外径相同,所述上、下滚轮2、5之间留有0.5mm的间隙,所述上、下滚轮2、5对称的分布于硅片4的上下两侧,所述滚轮的两端安装有卡槽,所述上、下滚轮2、5分别装有上、下传动齿轮3、6,所述的上、下传动齿轮3、6转动方向相反,转动速率相同,所述切水装置水平方向至少设有一个滚轮,所述水平方向的滚轮间的间距相等约为4cm,所述滚轮外径表面设有厚度均匀的泡沫层I,所述滚轮的外径4cm。本技术适用于多晶硅太阳能硅片湿法刻蚀,主要用于去除硅片表面残液,而不会带入后面的槽,特别是减轻了硅片受到的压力,降低了碎片率方面具有重要意义。本技术在使用时,将原来的湿法刻蚀设备中的风刀切水装置拆下,替换为本技术的滚轮式切水装置即可进行湿法刻蚀。传统的风刀切水装置是压缩空气通过气孔喷出来,吹扫硅片表面的水来实现赶水功能。在此过程中会造成硅片受力不均而破碎,而本技术的切水装置采用相切的滚轮来挤掉硅片表面的水,可以避免硅片受力不均而破碎。以上所述是本技术的【具体实施方式】,应当指出:对于本
的普通技术人员来说,在不脱离本技术原理的前提下,对本技术的各种等价形式的修改均落于本申请所附权利要求所限定的范围。【权利要求】1.一种湿法刻蚀的切水装置,其特征在于:所述切水装置包括至少一对上下垂直安装的滚轮,所述滚轮整体外径相同,所述上、下滚轮(2、5)之间留有间隙,所述滚轮的两端安装有卡槽,所述上、下滚轮(2、5)分别装有上、下传动齿轮(3、6),所述的上、下传动齿轮(3、6)转动方向相反,转动速率相同,所述切水装置水平方向至少设有一个滚轮,所述水平方向的滚轮间的间距相等。2.根据权利要求1所述的湿法刻蚀的切水装置,其特征在于:所述滚轮为圆柱形平滑滚轮。3.根据本文档来自技高网
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【技术保护点】
一种湿法刻蚀的切水装置,其特征在于:所述切水装置包括至少一对上下垂直安装的滚轮,所述滚轮整体外径相同,所述上、下滚轮(2、5)之间留有间隙,所述滚轮的两端安装有卡槽,所述上、下滚轮(2、5)分别装有上、下传动齿轮(3、6),所述的上、下传动齿轮(3、6)转动方向相反,转动速率相同,所述切水装置水平方向至少设有一个滚轮,所述水平方向的滚轮间的间距相等。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员:庞瑞卿展士飞叶超桑和伟
申请(专利权)人:合肥海润光伏科技有限公司
类型:新型
国别省市:安徽;34

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