苹果矮化砧木茎段继代培养返童绿枝扦插繁殖的方法技术

本发明专利技术公开了苹果矮化砧木茎段继代培养返童绿枝扦插繁殖的方法。该方法包括使离体的成年期苹果矮化砧木茎尖分生组织在继代培养基中长成植株，得到成年期苹果矮化砧木茎尖分生组织初代组培苗，取所述初代组培苗的茎段在所述继代培养基中进行继代培养，得到第1代组培苗，取所述第1代组培苗的茎段在所述继代培养基中连续进行所述继代培养直到返童，得到返童组培苗；将所述返童组培苗转入生根培养基进行生根培养得到返童组培苗的生根植株，将所述返童组培苗的生根植株移栽到大田，得到采穗母株，取所述采穗母株上的嫩梢作为插穗，用生根剂处理所述插穗得到处理后插穗，将所述处理后插穗插入基质中培养得到扦插生根苗。

【技术实现步骤摘要】
【专利摘要】本专利技术公开了。该方法包括使离体的成年期苹果矮化砧木茎尖分生组织在继代培养基中长成植株，得到成年期苹果矮化砧木茎尖分生组织初代组培苗，取所述初代组培苗的茎段在所述继代培养基中进行继代培养，得到第1代组培苗，取所述第1代组培苗的茎段在所述继代培养基中连续进行所述继代培养直到返童，得到返童组培苗；将所述返童组培苗转入生根培养基进行生根培养得到返童组培苗的生根植株，将所述返童组培苗的生根植株移栽到大田，得到采穗母株，取所述采穗母株上的嫩梢作为插穗，用生根剂处理所述插穗得到处理后插穗，将所述处理后插穗插入基质中培养得到扦插生根苗。【专利说明】
本专利技术涉及一种通过茎段继代培养实现苹果矮化砧木绿枝扦插繁殖的方法。
技术介绍
苹果无性系矮化砧木的繁殖方式主要有嫁接、压条和组培。压条是苹果无性系矮化砧木的常用无性繁殖方式。虽然绿枝扦插的繁殖系数明显高于压条，且繁育周期短。但苹果矮化砧木扦插生根难，需要特殊技术处理，因而未能在生产苗圃中广泛应用。“一种SH系苹果矮化砧木无性繁殖的方法”(申请号:201310074272.1)专利技术了一种将SH系苹果矮化砧木埋干促发新枝，再将新枝在拱棚中扦插生根的无性繁殖方法，生根率达80%以上。“一种苹果矮化砧木自根苗繁育技术”(申请号:201310039320.3)，专利技术了一种苹果矮化砧木温床培育苹果矮化砧木嫩枝、嫩枝扦插前处理技术、营养钵直接扦插技术、间歇性喷雾控制技术、炼苗移栽的自根苗繁育技术，可实现苹果矮化砧木和其它难生根木本植物的工厂化扦插育苗，并可实现当年扦插，当年达到嫁接粗度的育苗要求。“一种中石占I号的繁殖方法”(申请号:201210001119.1),专利技术了一种从中站I号童期树的枝条上剪取插穗，基部浸蘸2000ppm-4000ppm的IBA溶液，扦插到穴盘中进行培养的繁殖方法，具有繁殖系数高、繁育周期短、生产成本低等优点。诱导茎发生不定根是木本植物扦插成功的关键。随着供体植株年龄的增长，插穗形成不定根的能力显著下降。3年生卡罗莱纳州鼠李(Carolina Buckthorm)插穗生根率为88%，远高于成年期树(36年生)插穗17%(Graves，2002)。童期北美红杉插穗生根率100%，成年期30%(Li et al，1 992)。因此，通过诱导插穗返童可以提高插穗生根能力。将成年期芽连续嫁接到幼年期站'木可以诱导返童(Delargy and Wright, 1979; Husen, 2008b; Husenand Pal, 2003; Huang et al.，1992)。外施用赤霉素(GA3)或在培养基里添加GA3能显著提高甜楼桃(Prunus avium)生根能力，GA3可能诱导甜楼桃返童(Ford et al.，2002)。miR156基因介导开花植物营养阶段向生殖阶段转变，童期阶段miR156基因相对表达量显著高于成年期阶段(Poethig2009;Wu et al.，2009;Wang et al., 2011 ;Huijserand Schmid2011)。
技术实现思路
本专利技术所要解决的技术问题是提供一种通过诱导成年期苹果矮化砧木返童来实现苹果矮化砧木绿枝扦插繁殖的方法。本专利技术所提供的苹果矮化砧木扦插繁殖方法，包括使离体的成年期苹果矮化砧木茎尖分生组织在继代培养基中长成植株，得到成年期苹果矮化砧木茎尖分生组织初代组培苗，取所述初代组培苗的茎段在所述继代培养基中进行继代培养，得到第I代组培苗，取所述第I代组培苗的茎段在所述继代培养基中连续进行所述继代培养直到返童，得到返童组培苗；将所述返童组培苗转入生根培养基进行生根培养得到返童组培苗的生根植株，将所述返童组培苗的生根植株移栽到大田，得到采穗母株，取所述采穗母株上的嫩梢作为插穗，用生根剂处理所述插穗得到处理后插穗，将所述处理后插穗插入基质中培养得到扦插生根苗。上述方法中，所述基质可为河沙。上述方法中，所述得到返童组培苗的方法为取所述第I代组培苗的茎段在所述继代培养基中连续进行所述继代培养直到第N代，得到第N代组培苗，所述第N代组培苗即为所述返童组培苗，所述N为大于等于18小于等于21的任一个自然数。上述方法中，所述苹果矮化砧木可为中砧I号、M9或M26。在本专利技术的一个【具体实施方式】中，所述苹果矮化砧木为中砧I号，N为大于等于18小于等于21的任一个自然数。在本专利技术的另一个实施方式中，所述苹果矮化砧木为M9，N为21。在本专利技术的另一个实施方式中，所述苹果矮化砧木为M26，N为21。上述方法中，取所述第I代组培苗的茎段在所述继代培养基中连续进行所述继代培养直到第N代，得到第N代组培苗的方法可为取所述第I代组培苗的茎段在所述继代培养基中进行所述继代培养，得到第2代组培苗，取所述第2代组培苗的茎段在所述继代培养基中进行所述继代培养，得到第3代组培苗，取所述第3代组培苗的茎段在所述继代培养基中进行所述继代培养，得到第4代组培苗，取所述第4代组培苗的茎段在所述继代培养基中进行所述继代培养，得到第5代组培苗，取所述第5代组培苗的茎段在所述继代培养基中进行所述继代培养，得到第6代组培苗，取所述第6代组培苗的茎段在所述继代培养基中进行所述继代培养，得到第7代组培苗，取所述第7代组培苗的茎段在所述继代培养基中进行所述继代培养，得到第8代组培苗，取所述第8代组培苗的茎段在所述继代培养基中进行所述继代培养，得到第9代组培苗，取所述第9代组培苗的茎段在所述继代培养基中进行所述继代培养，得到第10代组培苗，取所述第10代组培苗的茎段在所述继代培养基中进行所述继代培养，得到第11代组培苗，取所述第11代组培苗的茎段在所述继代培养基中进行所述继代培养，得到第12代组培苗，取`所述第12代组培苗的茎段在所述继代培养基中进行所述继代培养，得到第13代组培苗，取所述第13代组培苗的茎段在所述继代培养基中进行所述继代培养，得到第14代组培苗，取所述第14代组培苗的茎段在所述继代培养基中进行所述继代培养，得到第15代组培苗，取所述第15代组培苗的茎段在所述继代培养基中进行所述继代培养，得到第16代组培苗，取所述第16代组培苗的茎段在所述继代培养基中进行所述继代培养，得到第17代组培苗，取所述第17代组培苗的茎段在所述继代培养基中进行所述继代培养，得到第18代组培苗。上述方法中，得到第N代组培苗的方法可为取所述第18代组培苗的茎段在所述继代培养基中进行所述继代培养，得到第19代组培苗。上述方法中，得到第N代组培苗的方法可为取所述第19代组培苗的茎段在所述继代培养基中进行所述继代培养，得到第20代组培苗。上述方法中，得到第N代组培苗的方法可为取所述第20代组培苗的茎段在所述继代培养基中进行所述继代培养，得到第21代组培苗。上述方法中，所述继代培养基可为在MS培养基中加入BA和IBA得到的固体培养基，所述继代培养基中BA的浓度为0.2mg/L，所述继代培养基中IBA的浓度为0.5mg/L。上述方法中，上述所有茎段均至少带一个芽和一片营养叶。上述方法中，所述继代培养的条件为每天的光照周期为16小时光照8小时黑暗，光强为2000Lx，光照时温度为24-25°C，黑暗时温度18°C。上述方法中，所述生根培养基可为在1/2MS本文档来自技高网...

【技术保护点】
苹果矮化砧木扦插繁殖方法，包括使离体的成年期苹果矮化砧木茎尖分生组织在继代培养基中长成植株，得到成年期苹果矮化砧木茎尖分生组织初代组培苗，取所述初代组培苗的茎段在所述继代培养基中进行继代培养，得到第1代组培苗，取所述第1代组培苗的茎段在所述继代培养基中连续进行所述继代培养直到返童，得到返童组培苗；将所述返童组培苗转入生根培养基进行生根培养得到返童组培苗的生根植株，将所述返童组培苗的生根植株移栽到大田，得到采穗母株，取所述采穗母株上的嫩梢作为插穗，用生根剂处理所述插穗得到处理后插穗，将所述处理后插穗插入基质中培养得到扦插生根苗。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：韩振海，肖祖飞，张艳珍，吉娜，张新忠，王忆，吴婷，许雪峰，
申请(专利权)人：中国农业大学，
类型：发明
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