半导体器件及其形成方法技术
【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及半导体制造领域技术，特别涉及半导体器件及其形成方法。
技术介绍
半导体器件中的半导体电容器包括PIP电容器和PPS电容器，其中，PIP电容器为多晶硅-绝缘体-多晶硅（Poly-Insulator-Poly）电容器，PPS电容器为多晶硅-多晶硅-衬底（Poly-Poly-Substrate）电容器。PIP电容器和PPS电容器在存储器件中被广泛应用于防止噪音和模拟器件的频率解调。随着半导体器件的飞速发展，不断缩小管芯面积成为延长产品生命力的主要方法之一。而在数模混合电路中，半导体电容器面积在芯片中所占的比例时相当可观的，因此，制作高性能、高电容值的半导体电容器是半导体器件发展的必然趋势。然而，随着半导体器件的形成工艺不断发展，难以在不增加工艺成本的情况下，在半导体器件中形成半导体电容器，以提高半导体器件的性能。
技术实现思路
本专利技术解决的问题是提供一种半导体器件及其形成方法，在不增加额外工艺成本的条件下，在半导体器件中形成半导体电容器。为解决上述问题，本专利技术提供一种半导体器件的形成方法，包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底包括存储区、逻辑区和电容区；在所述电容区半导体衬底表面形成掩膜层；刻蚀所述掩膜层，直至暴露出半导体衬底表面，使得刻蚀后的掩膜层与半导体衬底形成第一凹槽；在所述第一凹槽底部和侧壁、以及掩膜层表面形成侧墙膜；回刻蚀去除位于掩膜层表面和半导体衬底表面的侧墙膜，保留...
【技术保护点】
一种半导体器件的形成方法，其特征在于，包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底包括存储区、逻辑区和电容区；在所述电容区半导体衬底表面形成掩膜层；刻蚀所述掩膜层，直至暴露出半导体衬底表面，使得刻蚀后的掩膜层与半导体衬底形成第一凹槽；在所述第一凹槽底部和侧壁、以及掩膜层表面形成侧墙膜；回刻蚀去除位于掩膜层表面和半导体衬底表面的侧墙膜，保留形成紧挨掩膜层侧壁的侧墙，所述侧墙与半导体衬底形成第二凹槽；在所述掩膜层表面、以及第二凹槽底部和侧壁形成第一介质层；在所述存储区半导体衬底表面形成字线多晶硅层的同时，形成覆盖于所述第一介质层的第一多晶硅膜；去除位于掩膜层表面的第一多晶硅膜和第一介质层，形成第一多晶硅层；去除所述掩膜层，暴露出电容区半导体衬底表面；在所述第一多晶硅层表面形成第二介质层；在所述逻辑区形成栅极的同时，在所述第二介质层表面和电容区半导体衬底表面形成第二多晶硅膜，并对所述第二多晶硅膜进行刻蚀，暴露出侧墙一侧的半导体衬底表面和部分第一多晶硅层表面，形成覆盖剩余第二介质层的第二多晶硅层，且所述第二多晶硅层还覆盖侧墙的侧壁。
【技术特征摘要】
1.一种半导体器件的形成方法，其特征在于，包括：
提供半导体衬底，所述半导体衬底包括存储区、逻辑区和电容区；
在所述电容区半导体衬底表面形成掩膜层；
刻蚀所述掩膜层，直至暴露出半导体衬底表面，使得刻蚀后的掩膜层与
半导体衬底形成第一凹槽；
在所述第一凹槽底部和侧壁、以及掩膜层表面形成侧墙膜；
回刻蚀去除位于掩膜层表面和半导体衬底表面的侧墙膜，保留形成紧挨
掩膜层侧壁的侧墙，所述侧墙与半导体衬底形成第二凹槽；
在所述掩膜层表面、以及第二凹槽底部和侧壁形成第一介质层；
在所述存储区半导体衬底表面形成字线多晶硅层的同时，形成覆盖于所
述第一介质层的第一多晶硅膜；
去除位于掩膜层表面的第一多晶硅膜和第一介质层，形成第一多晶硅层；
去除所述掩膜层，暴露出电容区半导体衬底表面；
在所述第一多晶硅层表面形成第二介质层；
在所述逻辑区形成栅极的同时，在所述第二介质层表面和电容区半导体
衬底表面形成第二多晶硅膜，并对所述第二多晶硅膜进行刻蚀，暴露出侧墙
一侧的半导体衬底表面和部分第一多晶硅层表面，形成覆盖剩余第二介质层
的第二多晶硅层，且所述第二多晶硅层还覆盖侧墙的侧壁。
2.根据权利要求1所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，还包括：在
所述电容区半导体衬底内形成浅槽隔离结构；在所述浅槽隔离结构表面形
成侧墙；在所述第二介质层表面和浅槽隔离结构表面形成多晶硅膜，并对
所述多晶硅膜进行刻蚀；所述第一多晶硅层、第二介质层和第二多晶硅层
构成PIP电容器。
3.根据权利要求1所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，还包括：在
所述电容区半导体衬底内形成掺杂阱，所述掺杂阱由浅槽隔离结构与半导
体衬底的其他区域隔离；在所述掺杂阱表面形成侧墙；在所述第二介质层
\t表面和掺杂阱表面形成多晶硅膜，并对所述多晶硅膜进行刻蚀；所述掺杂
阱、第一介质层和第一多晶硅层构成MOS电容器，第一多晶硅层、第二
介质层和第二多晶硅...
【专利技术属性】
技术研发人员：高超，江红，王哲献，
申请(专利权)人：上海华虹宏力半导体制造有限公司，
类型：发明
国别省市：
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