介孔二氧化硅微粒、介孔二氧化硅微粒的制造方法、含有介孔二氧化硅微粒的组合物、含有介孔二氧化硅微粒的成形物和有机电致发光元件技术

本发明专利技术的介孔二氧化硅微粒，具备具有第一介孔的粒子内部、和被覆上述粒子内部的粒子外周部。上述粒子外周部，含有包含有机二氧化硅的有机二氧化硅被覆部。上述有机二氧化硅，包含二氧化硅骨架内的两个Si之间被有机基团交联的交联型有机二氧化硅。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】【专利摘要】本专利技术的介孔二氧化硅微粒，具备具有第一介孔的粒子内部、和被覆上述粒子内部的粒子外周部。上述粒子外周部，含有包含有机二氧化硅的有机二氧化硅被覆部。上述有机二氧化硅，包含二氧化硅骨架内的两个Si之间被有机基团交联的交联型有机二氧化硅。【专利说明】介孔二氧化硅微粒、介孔二氧化硅微粒的制造方法、含有介孔二氧化硅微粒的组合物、含有介孔二氧化硅微粒的成形物和有机电致发光元件
本专利技术涉及介孔二氧化硅微粒、介孔二氧化硅微粒的制造方法、使用上述介孔二氧化硅微粒得到的组合物、使用上述组合物得到的成形物、和使用上述介孔二氧化硅微粒得到的有机电致发光元件。
技术介绍
以往，作为实现低反射率(Low-n)和/或低介电常数(Low_k)的微粒，已知如专利文献I中所记载的中空结构的二氧化硅微粒。另外近年来，要求更高孔隙化所带来的高性能化。但是，中空二氧化硅微粒将外侧的壳变薄是困难的，如果微粒化为粒径IOOnm以下则从其结构来看孔隙率容易下降。那样的状况之中，介孔(mesoporous) 二氧化娃微粒,具有即使从其结构上进行微粒化孔隙率也难以下降的特征，作为下一代的高孔隙微粒期待向着低反射率(Low-n)材料、低介电常数(Low-k)材料、以及低热传导率材料的应用。并且，通过使介孔二氧化硅微粒分散于树脂等的基质形成材料中，能够得到具有上述功能的成形物(参照专利文献2~6)。另外，也提出了外壳部具有介孔结构的核壳型介孔二氧化硅粒子等(参照专利文献7)。现有技术文献专利文献1:日本特开2001-233611号公报专利文献2:日本特开2009-040965号公报`专利文献3:日本特开2009-040966号公报专利文献4:日本特开2009-040967号公报专利文献5:日本特开2004-083307号公报专利文献6:日本特开2007-161518号公报专利文献7:日本特开2009-263171号公报非专利文献1:Microporous and Mesoporous Materialsl20 (2009) 447-453
技术实现思路
为了制作具有介孔二氧化硅微粒的优异功能的成形物，需要使孔隙率高的介孔二氧化硅微粒保持于成形物。但是，由于以往的介孔二氧化硅微粒中孔隙量少，存在介孔二氧化硅微粒的含量少则成形物等无法充分得到上述那样的功能，相反地，介孔二氧化硅微粒的含量变多则成形物的强度下降的问题。另外，也致力于将介孔二氧化硅微粒进一步高孔隙化。例如，非专利文献I中，记载了通过加入苯乙烯等扩大介孔而将粒子高孔隙化的技术。但是，用该方法，介孔的形状和/或配置没有规则性，起因于粒子强度使成形物的强度有可能降低。另外，同时，由于介孔的扩大使基质形成材料变得容易侵入介孔内，有可能变得难以体现低反射率(Low-n)、低介电常数(Low-k)和/或低热传导率的功能。并且，为了提高由介孔二氧化硅微粒的复合化所得到的成形物的功能，需要使介孔二氧化硅微粒高度分散于成形物中。但是，以往的介孔二氧化硅微粒，在分散性方面要求进一步的改善。本专利技术是鉴于上述的点而完成的，目的在于提供能够对成形物赋予低反射率(Low-n)、低介电常数(Low-k)和/或低热传导率等优异功能、以及高强度化两方面的介孔二氧化硅微粒。本专利技术提供一种介孔二氧化硅微粒，具备:具有第一介孔的粒子内部、和被覆上述粒子内部的粒子外周部，上述粒子外周部，含有包含有机二氧化硅的有机二氧化硅被覆部，上述有机二氧化硅，包含二氧化硅骨架内的两个Si之间被有机基团交联的交联型有机二氧化硅。根据本专利技术，能够提高向基质形成材料中的分散性,并抑制基质形成材料向介孔的侵入，能够提供可对成形物赋予低反射率(Low-n)和/或低介电常数(Low-k)、低热传导率等优异功能、以及高强度化两方面的介孔二氧化硅微粒。 【专利附图】【附图说明】图1是表示本专利技术的实施方式涉及的有机电致发光元件的一例的截面图。图2A是表示实施例1的介孔二氧化硅微粒的透射型电子显微镜(TEM)图像的照片。图2B是表示实施例1的介孔二氧化硅微粒的TEM图像的照片。图3A是表示实施例2的介孔二氧化硅微粒的TEM图像的照片。图3B是表示实施例2的介孔二氧化硅微粒的TEM图像的照片。图4A是表示实施例3的介孔二氧化硅微粒的TEM图像的照片。图4B是表示实施例3的介孔二氧化硅微粒的TEM图像的照片。图5A是表示比较例I的介孔二氧化硅微粒的TEM图像的照片。图5B是表示比较例I的介孔二氧化硅微粒的TEM图像的照片。【具体实施方式】本【专利技术者】们发现，使介孔二氧化硅微粒分散于形成基质的材料(基质形成材料)从而形成成形物时，以往的介孔二氧化硅微粒具有下述课题:由于其表面为亲水性而在亲水性的基质形成材料中比较容易分散，但在疏水性的基质形成材料中难以分散。在此，本【专利技术者】们反复研究的结果，提供了一种具有向基质形成材料的优异分散性，其结果能够使成形物的功能更加提高的介孔二氧化硅微粒。并且，本【专利技术者】们提供了一种能够制造那样的介孔二氧化硅微粒的方法。并且，本【专利技术者】们提供了一种使用上述介孔二氧化硅微粒得到的组合物、使用上述组合物得到的成形物、和使用上述介孔二氧化硅微粒得到的有机电致发光元件(以下，记载为「有机EL元件」)。本专利技术的第一方式，提供一种介孔二氧化硅微粒，具备:具有第一介孔的粒子内部、和被覆上述粒子内部的粒子外周部， 上述粒子外周部，含有包含有机二氧化硅的有机二氧化硅被覆部，上述有机二氧化硅，包含二氧化硅骨架内的两个Si之间被有机基团交联的交联型有机二氧化硅。第一方式涉及的介孔二氧化硅微粒，粒子外周部包含有机二氧化硅被覆部。因此，由于可以通过适当地选择有机二氧化硅所含有的有机基团来使粒子表面成为疏水性，所以即使是构成成形物的基质形成材料为疏水性的情况，也可得到向基质形成材料中的优异分散性。并且，由于有机二氧化硅被覆部包含交联型有机二氧化硅，所以有机基团被插入骨架内成为在有机二氧化硅被覆部内均匀配置的状态。因此，能够均一地发现相对于基质形成材料的均匀的分散性和反应性等的功能。另外，由于具有介孔的粒子内部被粒子外周部被覆，基质形成材料变得难以侵入粒子内部的介孔内。因此，即使不增多介孔二氧化硅微粒的添加量，低反射率(Low-n)、低介电常数(Low-k)和/或低热传导率的功能也可被充分地体现。据此，第一方式涉及的介孔二氧化硅微粒，能够并存地赋予成形物低反射率(Low-n)、低介电常数(Low-k)和/或低热传导率等的优异功能和高强度化。本专利技术的第二方式，提供一种介孔二氧化硅微粒，在第一方式中，上述有机二氧化硅被覆部，具有比上述第一介孔小的第二介孔。 根据第二方式涉及的介孔二氧化硅微粒，能够保持构成成形物的基质形成材料向粒子内部的介孔内的侵入难度，同时增加粒子的孔隙量。本专利技术的第三方式，提供一种介孔二氧化硅微粒的制造方法，包括:表面活性剂复合二氧化硅微粒制作工序，该工序将第一表面活性剂、水、碱、含疏水部添加物、和二氧化硅源混合，制作表面活性剂复合二氧化硅微粒，上述含疏水部添加物具备使由上述第一表面活性剂形成的胶束(micelle，微胞)的体积增大的疏水部；和有机二氧化硅被覆工序，该工序向上述表面活性剂复合二氧化硅微粒加入有机二氧化硅源，利用本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...

【专利技术属性】
技术研发人员：福冈步，山名正人，
申请(专利权)人：松下电器产业株式会社，
类型：
国别省市：