本发明专利技术公开了一种循环缓冲器的存取方法，其中该循环缓冲器具有多个实体存储页，其步骤包括：建立扩展式存储管理查找表，其中，扩展式存储管理查找表具有依序排列的多个栏位，栏位的数量多于实体存储页的数量；并且，依序且循环式的将实体存储页的页位址依序储存于栏位中。
【技术实现步骤摘要】
【专利摘要】本专利技术公开了一种循环缓冲器的存取方法，其中该循环缓冲器具有多个实体存储页，其步骤包括：建立扩展式存储管理查找表，其中，扩展式存储管理查找表具有依序排列的多个栏位，栏位的数量多于实体存储页的数量；并且，依序且循环式的将实体存储页的页位址依序储存于栏位中。【专利说明】
本专利技术是有关于一种存储装置及其循环缓冲器的存取方法。
技术介绍
在习知的虚拟存储器(virtual memory)管理的
中，通常会提供让使用者以连续虚拟位址透过存储器查找表(MMU table)对实体存储器中不连续的多个存储器页面(memory page)进行连续的存取。而当需要对实体存储器的多个存储器页面进行循环式的连续的存取动作时，除了存取指针在软件端的控制以外通常也需要硬件电路进行配合，来完成循环式的连续的存取动作，例如常见用于脉冲编码调变(Pulse-codemodulation, PCM)的音效信号的存取上。在现有
中，在进行循环式的连续的存取动作时，可以利用软件控制的方式，来对实体存储器页面进行分段式的取存。举例来说，当上层的应用程式对于缓冲器的存取已达最后一个存储器页面的实体位址进行之后，接着，再由软件控制将缓冲器存取指针重新指向第一个存储器页面的开头位址继续进行存取，以达成循环存取的动作。或者，也有相关领域的现有技术是透过在硬件上增加电路来达成循环存取的动作。也就是说，如何简单且有效的完成循环存取的动作，是本领域设计者的一个重要的课题。
技术实现思路
本专利技术提供一种存储装置以及其循环缓冲器的存取方法，用以有效且简单的完成对循环缓冲器存取动作。本专利技术提供一种循环缓冲器的存取方法，其中该循环缓冲器具有多个实体存储页，其步骤包括:建立扩展式存储管理查找表，其中，扩展式存储管理查找表具有依序排列的多个栏位，栏位的数量多于实体存储页的数量；并且，依序且循环式的将实体存储页的页位址依序储存于栏位中。本专利技术另提供一种存储装置，包括循环缓冲器、扩展式存储管理查找表以及控制器。循环缓冲器具有多数个实体存储页。扩展式存储管理查找表具有依序排列的多个栏位，栏位的数量多于实体存储页的数量。控制器耦接循环缓冲器以及扩展式存储管理查找表。控制器依序将该些实体存储页的页位址依序且循环式储存于栏位中。基于上述，本专利技术利用扩展式存储管理查找表中的栏位，使实体存储页的页位址被连续且以循环的方式被储存在依序排列的栏位中。如此一来，当对实体存储页进行循环式的存取动作时，只要依序依据栏位来存取对应的实体存储页即可，有效提升对存储装置的循环缓冲器的存取效率。为让本专利技术之上述特征和优点能更明显易懂，下文特举实施例，并配合所附图式作详细说明如下。【专利附图】【附图说明】图1A绘示本专利技术一实施例的循环缓冲器的存取方法的流程图。图1B及图1C绘示本专利技术一实施例的存储管理查找表与循环缓冲器的关系图。图2绘示本专利技术另一实施例的存储管理查找表与循环缓冲器的关系图。图3绘示本专利技术实施例的循环缓冲器的存取动作示意图。图4绘示本专利技术再一实施例的储存装置400的示意图。主要元件符号说明:S11(TS120:循环缓冲器的存取步骤110、210、310、410:循环缓冲器120、220、320、420:扩展式存储管理查找表111 ?114、211 ?214、311 ?314、411 ?414:实体存储页121 ?127、221 ?228、321 ?327、421 ?427:栏位PADD0?PADD3:页位址PTR0?PTR4:指标位置300、400:储存装置330?334:存取指令【具体实施方式】请参照图1A，图1A绘示本专利技术一实施例的循环缓冲器存取方法的流程图。在步骤SI 10中，建立扩充式存储管理查找表，其中的存储管理查找表具有依序排列的多个栏位，而所述的栏位的数量多于实体存储页的数量。接着，在步骤S120中，则将实体存储器页的页位址依序且循环式的储存于栏位中。具体说明，请参照图1B以及图1C，其中，图1B及图1C绘示本专利技术一实施例中存储管理查找表与循环缓冲器的关系图。其中，以作为循环缓冲器的存储器Iio具有4个实体存储页Ilf 114为范例，实体存储页11广114分别具有页位址PADD(TPADD3。扩充式存储管理查找表120则包括多于存储器110之实体存储页Ilf 114所具有的的复数个栏位12广127。在图1B中，扩充式存储管理查找表120中的部份的栏位12广124依序被存入实体存储页Ilf 114的页位址PADD(TPADD3。在图1C中，在实体存储页Ilf 114的数量少于栏位12广127的前提下，其余的部份栏位125?127则可提供以重新依序储存实体存储页Ilf 113的页位址PADD(TPADD2。也就是说，实体存储页Ilf 114的页位址是依序且循环式的被储存至栏位12广127中。值得注意的，实体存储页Ilf 114的每一个页位址PADD(TPADD3被储存于一个或两个的存储管理查找表120的栏位12f 127中。其中，在本实施例中，实体存储页111的页位址PADDO被储存于存储管理查找表120的栏位121及125中，实体存储页112的页位址PADDl被储存于存储管理查找表120的栏位122及126中，实体存储页113的页位址PADD2被储存于存储管理查找表120的栏位123及127中，而实体存储页114的页位址PADD2则仅被储存于存储管理查找表120的栏位123中。也就是说，实体存储页111对应到栏位121及125，实体存储页112对应到栏位122及126，实体存储页113对应到栏位123及127，实体存储页114则仅对应到栏位124。在此请注意，实体存储页Ilf 114的页位址PADD(TPADD3可以不是连续的位址，实体存储页Ilf 114的页位址PADD(TPADD3也可以是非连续的位址。另外，上述说明中的实体存储页Ilf 114中可能包括一定数量级的存储空间大小(例如4K位元组)，当例如透过扩充式存储管理查找表120的栏位122来对页位址PADDl实体存储页112进行存取时，可以依据存储器管理的方式来对实体存储页112进行每次不同存储容量(例如I位元组、2位元组、4位元组或是8位元组)的存取动作，直到针对实体存储页112的存取动作完成后，才会转透过扩充式存储管理查找表120的栏位123来对页位址PADD2实体存储页113进行存取。以下请参照图2，图2绘示本专利技术另一实施例的存储管理查找表与循环缓冲器的关系图。在本实施例中，同样以循环缓冲器的存储器210具有4个实体存储页21 f 214为范例。本实施例中所建立的扩充式存储管理查找表220则具有6个栏位22f226，其中，栏位22广224依序储存实体存储页21 f 214的位址PADD(TPADD4，栏位225~226则同样依序储存实体存储页211~214的页位址PADD0~PADD1。在此，存储管理查找表220中栏位的个数可以由设计者依据实际的需求来加以设定，值得注意的是，扩充式存储管理查找表220中栏位的个数必须要多于实体存储页的个数，而在实际的应用上，存储管理查找表220中栏位的个数是小于实体存储页的个数的两倍。以下请参照图3，图3绘示本专利技术实施例的循环缓本文档来自技高网...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：陈亘志，纪富中，
申请(专利权)人：扬智科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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